設備 | 愛發科自主研發可生成高密度TiN膜且膜壓可控濺射模組
CINNO Research產業資訊,愛發科株式會社(ULVAC)的“ENTRON-EX W300”平臺基于單片式多腔體理念,被廣泛應用于鋁(Al)、鎢(W)等金屬配線制程。“ULTiNA”是一種用于形成高密度TiN(氮化鈦,以下簡稱為:“TiN”)膜且膜壓可控的濺射模組(Sputtering Module),且可搭載于“ENTRON-EX”。
可搭載“ULTiNA”的半導體濺射設備一一“ENTRON-EX W300”。(圖片出自:電波新聞)
此外,“ULTiNA”模組還搭載了一種可控制高密度TiN薄膜壓力的新型技術,而利用以往的成膜技術,很難控制膜壓。
利用該技術形成的TiN薄膜,可用做硬掩膜(Hard Mask)。硬掩膜可用作加工最尖端的5納米邏輯半導體的層間絕緣膜。此外,愛發科也計劃將其推廣應用于3納米邏輯半導體的生產。
由于硬掩膜可提高蝕刻選擇比,所以高密度膜是理想選項。以往的高密度TiN薄膜具有較大的膜壓,因此在對層間絕緣膜實施蝕刻加工后,容易出現線路(Pattern)變形的現象。
愛發科此次成功研發的新型TiN成膜技術,不僅可維持薄膜的高密度,也可以控制薄膜的拉伸和壓縮的壓力。利用該技術制成的高密度TiN薄膜擁有與層間絕緣膜吻合的壓力。
“ULTiNA”搭載了愛發科自主研發的壓力控制技術,僅需調整施加給晶圓側的RF電力,就可在維持薄膜特性(不含壓力)的情況下,任意調整薄膜壓力,即自由拉伸和壓縮。此外,“ULTiNA”不僅具備特殊的成膜特性,又兼顧了作為最尖端半導體設備的量產機被全面采用的“粉塵超低排放”。
利用“ULTiNA”形成的TiN膜在分布、電阻率、密度、光學特性等薄膜特性方面的表現不亞于傳統TiN膜,因此除硬掩膜外,也可應用于其他方面。實際上,已開始被應用于硬掩膜以外的成膜制程。
愛發科表示,由于向業界公布了上述可調整壓力的選擇項,因此打開了之前被限制的用途領域。
季度全球半導體裝備行業市場分析報告(大綱)
一、全球半導體裝備企業市場規模分析(Top10)
二、中國大陸半導體裝備行業市場投資情況分析
1. 中國大陸半導體裝備行業季度投資規模分析
2. 中國大陸半導體裝備行業季度投資區域分析
3. 中國大陸半導體裝備行業季度投資分布分析
三、全球半導體裝備行業新技術發展洞察
1.全球半導體裝備行業細分領域新技術趨勢洞察
2. 中國大陸半導體裝備行業細分領域技術發展洞察
四、全球半導體行業裝備產業最新動態
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