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ASML光刻機(jī)的工作原理 ASML光刻機(jī)的簡易工作原理圖簡單介紹一下圖中各設(shè)備的作用：測量臺(tái)、曝光臺(tái)：承載硅片的工作臺(tái)，也就是雙工作臺(tái)。一般的光刻機(jī)需要先測量，再曝光，只需一個(gè)工作臺(tái)，而ASML有個(gè)專利，有兩個(gè)工作臺(tái)，實(shí)現(xiàn)測量與曝光同時(shí)進(jìn)行。

EUV光刻機(jī)又為什么被稱為電力黑洞？極紫外光的特殊性質(zhì)我們知道，光線在穿過不同介質(zhì)時(shí)會(huì)發(fā)生折射現(xiàn)象，不同波長的光線折射角度也不同。第一次發(fā)現(xiàn)這一原理的人是牛頓。他將太陽光逛街穿過三棱鏡后，發(fā)現(xiàn)了太陽光是由多種顏色的光組成的。其中的原理就是因?yàn)椴煌ㄩL的光線折射率不同——紅光波長較長，折射角度小，紫光波長短，折射角度大。

所以很多國家和地區(qū)的企業(yè)紛紛自研新技術(shù)，或者自研先進(jìn)的光刻機(jī)等設(shè)備，這意味著ASML的EUV光刻機(jī)也正在被拋棄。

中芯國際實(shí)現(xiàn)14nm芯片量產(chǎn)，靠的是進(jìn)口ASML的DUV光刻機(jī)，可如果國產(chǎn)光刻機(jī)能夠?qū)崿F(xiàn)28nm以下節(jié)點(diǎn)的突破，很有可能觸及到DUV光刻機(jī)的工藝程度。那么距離最高的EUV光刻機(jī)技術(shù)就不會(huì)太過于遙遠(yuǎn)了。

業(yè)界資料顯示，當(dāng)下全球僅有阿斯麥（ASML）能制造出 EUV光刻機(jī)。過去的十年時(shí)間里，阿斯麥總共售出大約140套EUV光刻機(jī)，現(xiàn)在每一套系統(tǒng)的成本高達(dá)2億美元。

為什么選擇極紫光 光刻機(jī)的分辨率是光刻機(jī)能夠清晰投影最小圖像的能力，這一關(guān)鍵指標(biāo)決定了這臺(tái)光刻機(jī)可以用于何種工藝節(jié)點(diǎn)。R=k1*λ/NA代表了與其相關(guān)的多個(gè)參數(shù)，其中R為分辨率，k1為光刻工藝系數(shù)，λ為波長，NA為數(shù)值孔徑。 很明顯，要想壓縮分辨率有三種方法，減小光刻工藝系數(shù)，減小波長或是增加數(shù)值孔徑。

ASML在45nm以下制程的高端光刻機(jī)市場中占有85%的份額。從ASML在2022年第一季度的出貨情況來看，其一共出售了62臺(tái)光刻機(jī)，包括59臺(tái)新光刻機(jī)和3臺(tái)二手光刻機(jī)。但是，目前ASML生產(chǎn)光刻機(jī)的速度仍然難以趕上訂單規(guī)模。ASML預(yù)計(jì)，公司在2024年才能將積壓訂單消化完畢。溫寧克稱，市場對(duì)其生產(chǎn)的光刻機(jī)系統(tǒng)需求超過了當(dāng)前產(chǎn)能。

ASML在這一季度共售出59臺(tái)全新光刻機(jī)和3臺(tái)二手光刻機(jī)，相比之下，上一季度的相應(yīng)數(shù)據(jù)分別為72臺(tái)和10臺(tái)。 從終端應(yīng)用上看，該季度ASML來自邏輯和存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的貢獻(xiàn)均為50%，與上一季度相比，來自存儲(chǔ)客戶的銷售大增。

ASML在2020年出貨其第100臺(tái)EUV光刻機(jī)2019 年，第一款支持 EUV 的商業(yè)產(chǎn)品發(fā)布（三星的 Galaxy Note10 和 Galaxy Note10+ 智能手機(jī)）。2020 年 12 月，ASML 慶祝了第 100 臺(tái) EUV 系統(tǒng)出貨，截至 2021 年底，127 臺(tái)最新一代 EUV 機(jī)器在全球客戶所在地使用。

另外，針對(duì)網(wǎng)上流傳的的碳基芯片可避開EUV光刻機(jī)的謠言，可信度也非常低。原因之一就在于，碳基芯片只是在同等性能的前提下，制程難度低于硅芯片，如同為10nm制程，碳基芯片的性能大概是硅芯片性能的5到10倍，但不管是哪種材料，要想生產(chǎn)7nm及以下的芯片，如今有且只有一條路，那就是通過EUV光刻機(jī)。寫在最后不可否認(rèn)的是，與硅基芯片相比，碳基芯片的優(yōu)勢的確很大。

●該設(shè)備采用NIL技術(shù)，即將掩膜（Mask，即“模具”）直接按壓在晶圓的光刻膠上，從而“忠實(shí)”地將掩膜上的線路復(fù)制到晶圓上。佳能利用在噴墨打印機(jī)（Inject Pinter）領(lǐng)域中積累的“噴墨技術(shù)”，依據(jù)電路圖案調(diào)整光刻膠，并在最準(zhǔn)確的位置涂覆最合適的量。最后，將掩膜對(duì)準(zhǔn)涂覆有光刻膠的晶圓，以極高的精度對(duì)正確的位置進(jìn)行“壓印”，形成線路。

在此種背景下，我國也在不斷加大高新技術(shù)的研發(fā)力度，并在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了彎道超車，一舉扭轉(zhuǎn)了科技落后的不利局面，在我國一項(xiàng)尖端技術(shù)高調(diào)問世之后，局勢就已經(jīng)徹底被改變了，就連歐美國家都眼紅不已，重要性更是堪比光刻機(jī)。

在此種背景下，我國也在不斷加大高新技術(shù)的研發(fā)力度，并在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了彎道超車，一舉扭轉(zhuǎn)了科技落后的不利局面，在我國一項(xiàng)尖端技術(shù)高調(diào)問世之后，局勢就已經(jīng)徹底被改變了，就連歐美國家都眼紅不已，重要性更是堪比光刻機(jī)。

祥明大學(xué)系統(tǒng)半導(dǎo)體工程教授Lee Jong-hwan說道：“三星已引進(jìn)數(shù)十臺(tái)EUV光刻設(shè)備，據(jù)說每臺(tái)設(shè)備的成本約為2000億韓元，這表明該公司打算擴(kuò)大3nm量產(chǎn)機(jī)會(huì)，并在未來實(shí)現(xiàn)2nm計(jì)劃。” 此前，三星電子宣布計(jì)劃到2025年擁有100臺(tái)EUV光刻機(jī)。市場估計(jì)三星目前的EUV機(jī)群約為40臺(tái)。

在此種背景下，我國也在不斷加大高新技術(shù)的研發(fā)力度，并在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了彎道超車，一舉扭轉(zhuǎn)了科技落后的不利局面，在我國一項(xiàng)尖端技術(shù)高調(diào)問世之后，局勢就已經(jīng)徹底被改變了，就連歐美國家都眼紅不已，重要性更是堪比光刻機(jī)。 要知道，以美國為首的西方國家，為了繼續(xù)保持領(lǐng)先優(yōu)勢，就不斷處處打壓我國，更是壟斷了不少高新技術(shù)，而在3D機(jī)床打印技術(shù)問世之后，這種不利局面就被徹底改變了。

02/關(guān)鍵技術(shù)原理與方法在計(jì)算光刻的核心技術(shù)體系中，光學(xué)鄰近效應(yīng)校正（OPC）與光源掩模聯(lián)合優(yōu)化（SMO）是兩大關(guān)鍵技術(shù)，二者從不同維度提升圖形轉(zhuǎn)移精度與光刻分辨率，共同構(gòu)筑起計(jì)算光刻的技術(shù)核心。光學(xué)鄰近效應(yīng)校正（OPC）以修正光刻后圖形缺陷和變形為核心目標(biāo)，是保障圖形復(fù)刻精度的基礎(chǔ)技術(shù)。

其核心原理是在稀疏分布的主圖形周圍，添加尺寸遠(yuǎn)小于主圖形的輔助結(jié)構(gòu)——這些輔助圖形的尺寸低于光刻機(jī)的分辨率閾值，在曝光后不會(huì)在晶圓上形成實(shí)際成像，但能改變局部光照分布，使稀疏圖形區(qū)域的光照條件接近密集圖形區(qū)域，從而擴(kuò)大不同圖形布局下的公共工藝窗口。SRAF的應(yīng)用效果高度依賴參數(shù)控制：輔助圖形的放置位置需避開主圖形關(guān)鍵區(qū)域，尺寸需嚴(yán)格匹配光刻系統(tǒng)特性，避免因光照干擾導(dǎo)致主圖形失真。

滑片式壓縮機(jī) 滑片壓縮機(jī)工作原理：空氣經(jīng)由一過濾器及一調(diào)節(jié)比例閥而吸入，該調(diào)節(jié)閥主要用于調(diào)節(jié)空氣缸轉(zhuǎn)子，滑片形成的壓力腔。

以下是其工作原理圖，注：1——噴嘴；2——混合室；3——擴(kuò)壓管注油器工作原理圖9、主要輔助設(shè)備(1) 凝汽器凝汽器是熱力循環(huán)的冷源。其基本功能是接收汽輪機(jī)的排汽并將其凝結(jié)成水，使汽輪機(jī)排汽口形成最佳真空，使工質(zhì)膨脹到最低壓力，盡可能多地將蒸汽熱能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能。

點(diǎn)擊藍(lán)字 關(guān)注我們光刻是半導(dǎo)體前道制程中的關(guān)鍵工藝，光刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)的精度與其中所使用的設(shè)備-光刻機(jī)、材料-光刻膠緊密相關(guān)。光刻原理光刻膠在半導(dǎo)體制程中起到了圖形轉(zhuǎn)移的作用。