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本研究展示了(100)、(110)和(111)取向 PZO 薄膜在室溫下隨電場變化的熱導(dǎo)率（圖3A）。與其他取向薄膜相比，(111)取向薄膜在零電場下的 k 值同樣較低，但在 -800 至 800 kV/cm 的電場下，k 值較高。這一觀察結(jié)果表明，(111)取向薄膜具有最高的開關(guān)比。

基于高電阻和mCNTs的導(dǎo)熱性能，制備出的PCPU / mCNT薄膜表現(xiàn)出增強(qiáng)的導(dǎo)熱性和高電阻。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，PCPU/ mCNTs薄膜具有優(yōu)異的柔韌性、抗拉性(>6 MPa)、熱穩(wěn)定性、高相變焓(>92 J/g)、高導(dǎo)熱系數(shù)和高電阻(比銅高5個(gè)數(shù)量級)。基于上述優(yōu)異性能，PCPU/mCNTs薄膜可以通過相變和散熱的協(xié)同作用，有效地實(shí)現(xiàn)電子器件的熱管理。

為了獲得高導(dǎo)熱的柔性Gr薄膜，提高Gr的分散性至關(guān)重要。芳綸納米纖維(ANFs)、明膠、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)被用作Gr分散體的分散劑，PVP中親水性(-CONH)和疏水性(-CH)基團(tuán)的存在加速了Gr的分散，導(dǎo)致真空過濾后形成致密的高導(dǎo)熱石墨烯薄膜。然而，PVP的導(dǎo)熱系數(shù)低得多，這將略微降低石墨烯薄膜的導(dǎo)熱系數(shù)。

一、柔性器件中，為何要求PIF具有低熱膨脹系（CTE）？低熱膨脹系數(shù)：在柔性器件中，聚酰亞胺要與銅、硅片等材料結(jié)合在一起，如果兩種材料的熱膨脹系數(shù)各不相同，在受到冷熱作用后，就會(huì)發(fā)生翹曲、開裂。銅的熱膨脹系數(shù)是18ppm/℃，硅片在10ppm/℃以下，而普通聚酰亞胺薄膜的熱膨脹系數(shù)為40～60ppm/℃，因此降低熱膨脹系數(shù)是聚酰亞胺薄膜需要解決的問題之一。

此外，可穿戴設(shè)備的輕薄特性往往會(huì)限制導(dǎo)電材料的熱管理能力。熱積累會(huì)造成薄膜失效，影響可穿戴織物的舒適性;加入電能也會(huì)影響材料的熱工性能。熱傳導(dǎo)和分散往往伴隨著其他材料性能的波動(dòng)，并依賴于外部溫度，這使得可靠的散熱和熱利用非常有限。

圖3.相變薄膜材料的防漏實(shí)驗(yàn)。 圖4.相變薄膜的自愈合過程。 圖5.相變膜光學(xué)圖片以及材料的TGA/DSC曲線。 圖6.熱管理性能應(yīng)用示意圖。

表2總結(jié)了以石墨烯為原料直接制備石墨烯薄膜的原料處理方法、制膜的工藝、薄膜厚度及性能的數(shù)據(jù)，可以看到經(jīng)過熱退火和機(jī)械壓縮，薄膜的性能有了顯著提升，但仍未達(dá)到理想的超高熱導(dǎo)率。

為了提高導(dǎo)熱膜的熱流密度，采用自熔合法制備了一種超厚氧化石墨烯薄膜，該薄膜厚度為亞毫米，其熱傳導(dǎo)率和導(dǎo)電性分別為1224 W/mk和6910 S/cm，在熱管理和電磁干擾屏蔽方面具有廣闊的應(yīng)用前景。如表1所示，大多數(shù)氧化石墨烯薄膜的平均k值僅為~1300 W/mk，遠(yuǎn)低于體石墨的2000 W/mk。由于氧化石墨烯在氧化處理過程中存在固有的結(jié)構(gòu)缺陷。

圖3.原PBO薄膜的熱導(dǎo)率和力學(xué)性能。 圖4.PBO薄膜退火后的熱導(dǎo)率和力學(xué)性能。

將其應(yīng)用于電磁屏蔽，nMAG的高導(dǎo)電性將其達(dá)成商用最小屏蔽效果(20 dB)的材料厚度降低到了100 nm；將其應(yīng)用于紅外探測，強(qiáng)光致熱發(fā)射(PTI)效應(yīng)將擴(kuò)展了石墨烯/硅二極管的響應(yīng)波長從1.5 μm擴(kuò)展到了4 μm。此外，作者通過將200 nm厚的nMAG層層組裝，降低薄膜氣體逸散阻力，進(jìn)而抑制氣囊的產(chǎn)生。

事實(shí)上，AlN薄膜的熱導(dǎo)率已被證明為數(shù)百和幾微米厚，但這種薄膜通常在1200°C以上沉積。而且，集成電子學(xué)也將受益于更薄的微尺度AlN薄膜，其導(dǎo)熱性尚未得到優(yōu)化，其熱極限也知之甚少。02成果掠影近期，斯坦福大學(xué)Kenneth E.

波紋型不銹鋼薄膜結(jié)構(gòu) 　　主要薄膜層都設(shè)計(jì)成褶皺形狀，原因很簡單，因?yàn)橹饕?em>薄膜屏障要面臨零下163攝氏度的低溫，這一溫度變化帶來的應(yīng)力變化是不可忽視的，結(jié)構(gòu)需要能夠承受交變溫度應(yīng)力所帶來的熱膨脹與熱收縮。　　

LPE石墨烯散熱器的熱性能取決于幾個(gè)因素。首先，分散劑和其他成分的存在往往會(huì)降低薄膜的性能。其次，單個(gè)石墨烯片在薄膜中的排列對薄膜的性能起著重要的決定作用。研究表明，通過過濾，高度排列的石墨烯薄膜表現(xiàn)出很強(qiáng)的各向異性熱導(dǎo)率，即面內(nèi)導(dǎo)熱系數(shù)為120W/(mK)，而面外導(dǎo)熱系數(shù)為0.5-2W/(mK)。最后但并非最不重要的因素是石墨烯薄片的橫向尺寸。

本文通過阻抗匹配設(shè)計(jì)了一種簡單的TiN/Si雙層薄膜，該薄膜的熱輻射波長為3.5 ~ 20μm，具有可控的寬帶輻射峰。同時(shí)，在不同溫度下應(yīng)用于鋁器件的不同雙層膜表現(xiàn)出出色的散熱效率，并保持相應(yīng)的平衡溫度，確保器件長時(shí)間穩(wěn)定工作。此外，沉積在柔性PI襯底上的雙層膜比沉積在PDMS, PE, PMMA或TPX等上的現(xiàn)有輻射冷卻材料具有更好的熱穩(wěn)定性和更高的拉伸強(qiáng)度。

與一維和二維導(dǎo)電填料相比，具有相互連接的多孔網(wǎng)絡(luò)的三維石墨烯泡沫/薄膜由于其輕量化和優(yōu)異的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性等優(yōu)點(diǎn)，已被用于EMI屏蔽和熱管理應(yīng)用。盡管取得了相關(guān)進(jìn)展，但大多數(shù)的柔性EMI屏蔽泡沫/薄膜仍然遇到一些缺點(diǎn)，例如導(dǎo)電性差，熱穩(wěn)定性不理想，SE不足(通常<60 dB)，以及較小厚度下的特定SE (SE/密度/厚度，SSE/t)，這限制了它們的進(jìn)一步應(yīng)用。

在這種情況下，采用具有優(yōu)異的電磁屏蔽性能和熱管理性能的材料來解決上述問題是非常理想的方式之一。含碳導(dǎo)熱填料由于其熱導(dǎo)率高，且填充在聚合物中的復(fù)合材料其重量輕、柔韌性好、可加工性好等優(yōu)點(diǎn)，成為當(dāng)前電磁干擾屏蔽和熱管理材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。石墨烯納米片(GNPs)具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、優(yōu)異的導(dǎo)熱性，顯示出作為新材料的巨大潛力。

研究結(jié)果表明，G@BNNS/CNF薄膜既能滿足現(xiàn)代電子器件的維護(hù)性能，又能滿足熱管理的散熱要求。

輻射冷卻材料的進(jìn)步為太陽能電池板、發(fā)動(dòng)機(jī)部件、電子設(shè)備、新能源電池等的熱管理、節(jié)能和冷卻開辟了新的可能性。

細(xì)菌纖維素基輻射冷卻薄膜的熱絕緣性能。 圖4. 細(xì)菌纖維素基輻射冷卻薄膜與半透明太陽能電池集成應(yīng)用展示。

為此，采用各向異性濕法蝕刻法制備這款Micro LED薄膜，該方法通過氫氧化鉀有選擇性地移除底部的LED層，從而形成一個(gè)排列非常緊密的Micro LED中空結(jié)構(gòu)。由于中空結(jié)構(gòu)將LED層和襯底分開，LED層可以通過熱釋放薄片（轉(zhuǎn)移技術(shù)）一次性剝離，并且不會(huì)損傷Micro LED或生物相容性聚對二甲苯薄膜。