產業研究 | PIF聚酰亞胺薄膜:在柔性電子器件中,為什么要求低熱膨脹系數和高透光性?
聚酰亞胺因其優異的耐熱性、尺寸穩定性、柔韌性等性能,在柔性器件中應用越來越廣泛。在柔性顯示或器件用聚酰亞胺技術方面,本周有6篇新公開專利,包括低CTE、高透光性、高Tg、高拉伸模量、提高膜透射率、耐彎折性等方向的研究。
本文分兩個部分:一、簡要介紹了低CTE的原因,實現聚酰亞胺薄膜(PIF)低CTE的方法。二、顯示用PIF要求高透光性的原因及常用方法的缺點。
聚酰亞胺是指分子鏈含有酰亞胺環的一類高分子材料,具有高力學性能、耐高低溫、阻燃、耐輻照等優異性能。其產品包括薄膜、纖維、樹脂、泡沫、復合材料等,廣泛應用于國防軍工、微電子、車輛、化工等領域。其中,薄膜材料作為聚酰亞胺最早的商品之一,應用于絕緣領域,主要產品有杜邦的Kapton,宇部興產的Upilex,鐘淵的Apical等。隨著科學技術的發展,電子產品逐漸向小型化、輕便化、可折疊方向發展,對柔性基板材料的耐熱性、尺寸穩定性、柔韌性提出了更高的要求,聚酰亞胺由于其優異的綜合性能,成為柔性基板領域最有潛力的應用材料。
一、柔性器件中,為何要求PIF具有低熱膨脹系(CTE)?
低熱膨脹系數:在柔性器件中,聚酰亞胺要與銅、硅片等材料結合在一起,如果兩種材料的熱膨脹系數各不相同,在受到冷熱作用后,就會發生翹曲、開裂。銅的熱膨脹系數是18ppm/℃,硅片在10ppm/℃以下,而普通聚酰亞胺薄膜的熱膨脹系數為40~60ppm/℃,因此降低熱膨脹系數是聚酰亞胺薄膜需要解決的問題之一。
當前降低PIF熱膨脹系數的方法有哪些呢?
方法一:PIF制備過程采用牽伸工藝,使分子鏈沿牽伸方向取向,從而降低薄膜的熱膨脹系數。
方法二:分子結構設計,在聚酰亞胺分子結構中引入剛性棒狀結構、氫鍵結構、交聯結構等,可以減少分子空間阻礙,使分子鏈堆積更加緊密,自由體積更小。
方法三:填料改性,在聚酰亞胺薄膜中添加CTE值低的填料可以降低體系的熱膨脹系數,填料種類包括SiO2、蒙脫土、石墨烯、陶瓷材料等。
二、柔性顯示中,為何要求PIF具有高透光性?
高透光性:隨著OLED顯示技術的快速發展,聚合物膜已取代硬質玻璃逐漸成為OLED器件中的基板。目前,OLED的出光方式主要有三種,包括頂發射、底發射和雙面發射,其中對于底發射型(bottom?emitting)的OLED器件,其基板必須為無色透明聚合物膜保證光線從陽極的TFT陣列基板側出射,因此,確保基板的良好光學透明性至關重要。
提高PIF光學透明性常用的方法有哪些?
方法一:引入脂環結構;
方法二:引入大位阻效應側基;
方法三:引入柔性連接基團。但是上述方法制備的PIF雖然光學透過率得到改善,但是會導致玻璃化溫度偏低(低于350℃),熱膨脹系數CTE值偏高(比如高于30ppm K?1),不適合熱加工,基板強度較弱,在高溫加工時由于PI與無機或金屬層之間的CTE值不匹配而產生碎裂、卷曲或剝離,此外,高溫時PI襯底熱分解產生的揮發物質會污染OLED器件,從而影響使用壽命。
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