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DIC技術(shù)作為該瓶頸的突破口，毋庸置疑地成為數(shù)字孿生技術(shù)發(fā)展的著力點。DIC技術(shù)可以進行全場光學(xué)測量，在被用于數(shù)字孿生技術(shù)的測量端時，這一技術(shù)特征優(yōu)勢顯著。尤其是新型的FE-DIC技術(shù)的出現(xiàn)，直接基于CAD文檔進行校正和計算，大量減少或是拋棄了傳統(tǒng)DIC測量中校正板的使用，以MESH網(wǎng)格作為校正依據(jù)，直接將仿真和實測整合在一起，真正實現(xiàn)了“虛實整合”。

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3DIC 封裝即三維集成電路封裝，是一種將多個芯片或芯片層垂直堆疊，并通過硅通孔（TSV）等技術(shù)實現(xiàn)互連的先進半導(dǎo)體封裝技術(shù)。在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)進步的當(dāng)下，先進封裝（3DIC）技術(shù)憑借將多個芯片垂直堆疊，并借助硅通孔（TSV）達成垂直互聯(lián)的方式，已然成為提升芯片集成度與性能的關(guān)鍵路徑。

數(shù)字圖像相關(guān)法（DIC）是一種測量變形位移等數(shù)據(jù)的非接觸式光學(xué)測量方法。其利用在物體表面噴涂的隨機散斑，通過精確匹配物體變形前后的散斑圖像中的對應(yīng)點來計算試件變形。與其它傳統(tǒng)的接觸式測量技術(shù)相比，DIC技術(shù)優(yōu)勢明顯，目前已在眾多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。最近試驗用某國產(chǎn)DIC設(shè)備進行了全場應(yīng)變的測試，但是在生成應(yīng)變場的時候廠家的軟件直接報錯無法處理數(shù)據(jù)。

<p><strong>3DIC</strong>（3D Integrated Circuit）是一種通過垂直堆疊多層芯片或晶圓，并利用先進互連技術(shù)（如硅通孔TSV）實現(xiàn)三維集成的半導(dǎo)體技術(shù)。其核心目標(biāo)是突破傳統(tǒng)平面集成電路的物理限制，在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更高性能、更低功耗和更強功能集成。

2.5DIC 硅中介電源是 2.5D 集成芯片（2.5DIC）技術(shù)中，通過硅中介層為堆疊或并排集成的各種芯片提供電源分配、傳輸和管理的系統(tǒng)。

ROM技術(shù)的高靈活性和兼容性使得其可以在不同的設(shè)計階段，覆蓋從模塊級到3DIC中芯片級，更快速地進行多場景多條件分析，從而優(yōu)化設(shè)計方案，幫助設(shè)計人員高效完成全芯片或多芯片3DIC的電源完整性可靠性sign-off工作。

上述多物理場流程包括Ansys RedHawk-SC、Ansys Redhawk-SC Electrothermal平臺和Synopsys 3DIC Compiler?3DIC設(shè)計探索與簽核一體化平臺，可用于實現(xiàn)分層熱感知時序分析和電壓感知時序分析。這樣的多物理場方法，可幫助客戶加速大型3DIC設(shè)計的收斂。

1、試驗方法壓縮跟剪切試驗需要結(jié)合DIC技術(shù)進行應(yīng)變監(jiān)測，測試前需在樣品表面制作散斑，穿孔試驗一般無需測試應(yīng)變。各試驗樣品如圖1~圖3。2、具體試驗2.1 剪切測試剪切條件：試驗速度2mm/min，應(yīng)力數(shù)據(jù)采集頻率每秒1個~4個，結(jié)合DIC技術(shù)進行應(yīng)變檢測，拍攝幀數(shù)最小60fps，視頻儲存是選擇跳幀保存，以確保應(yīng)力數(shù)據(jù)與應(yīng)變數(shù)據(jù)間隔一致。

憑借ROM技術(shù)，工程師可在不犧牲精度的前提下顯著提升熱仿真速度，加速設(shè)計迭代，為3DIC的高效熱管理提供強大支持，成為行業(yè)熱仿真領(lǐng)域的突破性工具。

1 概述以DIC為主的視覺測量技術(shù)已經(jīng)是結(jié)構(gòu)物變形非接觸測量的首要選擇，而隨著測量對象的體量越來越大，DIC已經(jīng)開始應(yīng)用于現(xiàn)場的大型結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)距離變形監(jiān)測，如大型橋梁和建筑物[1, 2]，甚至觀測距離已經(jīng)達到1km，位移測量精度已經(jīng)達到2mm，但是其中的折光校正問題卻很少被提及，測量時間也只是短時間的，這其中有土木人員對折光的認(rèn)識不充分的原因，也有視覺測量中遮光問題太過復(fù)雜的原因。

主要測試表征材料的破壞力與破壞位移，一般無需DIC技術(shù)配合測試。測試速度3mm/min，根據(jù)需求選取不同直徑的壓頭測試，選擇合適的預(yù)應(yīng)力，并在壓頭末端處貼特氟龍膠帶，以減小壓頭與試樣的摩擦力。總之，通過上述各種試驗方法，可以全面評估材料在不同環(huán)境條件下的性能特性，為汽車結(jié)構(gòu)設(shè)計和安全性能評估提供有力支持。

材料斷裂極限應(yīng)變目前多采用數(shù)字圖像相關(guān)法（Digital Image Corre?lation,DIC）進行測量，其測量精度與試樣設(shè)計、散斑質(zhì)量、加載及DIC拍攝速率均相關(guān)。在試驗過程中，應(yīng)合理匹配加載速度與DIC圖像拍攝幀率，并在DIC結(jié)果后處理時按不同的DIC虛擬網(wǎng)格尺寸輸出試樣關(guān)鍵區(qū)域應(yīng)變測量結(jié)果，為后續(xù)網(wǎng)格尺寸修正提供參考。

作為一個覆蓋從探索到簽核的統(tǒng)一平臺，新思科技 3DIC Compiler 通過自動化能力提升設(shè)計生產(chǎn)力，支持基于臺積公司 3DFabric 技術(shù)的設(shè)計實現(xiàn)。新思科技 3DIC Compiler 還與 RedHawk?SC?、RedHawk?SC Electrothermal? 以及 Ansys HFSS? 軟件實現(xiàn)集成，提供覆蓋熱、功耗及高速信號完整性的多物理場分析能力。

為應(yīng)對傳統(tǒng)熱仿真方法在復(fù)雜3DIC結(jié)構(gòu)中計算量大、耗時長的挑戰(zhàn)，AEDT Icepak的ROM（降階模型）技術(shù)提供了一種快速且高精度的熱仿真解決方案。該技術(shù)通過一維ROM和三維ROM靈活應(yīng)對不同熱管理場景：一維ROM適用于簡化的熱傳導(dǎo)分析，三維ROM則能處理復(fù)雜的熱對流和熱輻射問題。

專家將通過案例演示3DIC IR及chip centric散熱分析流程，以幫助后端及熱工程師更好的理解和克服3DIC 多物理場分析的相關(guān)難點和痛點。

作為專業(yè)的第三方檢測機構(gòu)，國高材分析測試中心憑借先進的試驗設(shè)備（如高精度萬能試驗機、數(shù)字圖像相關(guān)技術(shù)DIC等）和資深技術(shù)團隊，為客戶提供符合GB、ASTM、ISO等標(biāo)準(zhǔn)的力學(xué)性能測試服務(wù)。

1.三維集成電路（3DIC）與系統(tǒng)整合芯片（TSMC-SoICTM） 系統(tǒng)整合芯片（TSMC-SoICTM）是創(chuàng)新的晶圓級前段三維集成電路（3DIC）芯片堆棧平臺，具有卓越的接合密度、互連頻寬、功耗效率和薄形輪廓，可透過系統(tǒng)級微縮來延續(xù)摩爾定律，具有持續(xù)性的效能提升和相對應(yīng)的成本優(yōu)勢。

演講人介紹 Julia Zou，Ansys Senior Application AE 2020年加入Ansys，負(fù)責(zé)Ansys半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部Redhawk-SC/Pathfinder-SC/Redhawk產(chǎn)品的售前/售后技術(shù)支持以及項目仿真的咨詢工作。