刻蝕仿真的搜索結果

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激光刻蝕是一種采用高能脈沖激光束在零件表面刻蝕出寬度為10~505μm、深度為5~1001μm的微細小槽，以改善材料表面潤滑特性的技術。本案例基于COMSOL軟件模擬了激光刻蝕的過程，仿真結果如圖所示：感興趣的朋友，如想詳細了解仿真過程，可下載模型源文件進行查看，歡迎進行交流！

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C乘風破浪 ??? 4年前

帖子造出國產頂尖刻蝕機

在等離子體刻蝕設備市場中主要是兩類的設備：CCP（Capacitively Coupled Plasma）電容性高能等離子體刻蝕機和ICP（Inductively Coupled Plasma）電感性低能等離子體刻蝕機。CCP設備主要是刻蝕深寬比較高的、較硬的介質材料；而ICP主要是刻蝕尺度小，厚度薄的較軟的材料。

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半導體材料與工藝設備 ??? 4年前

帖子 lsdyna無限移動循環沖蝕射流仿真

利用lsdyna建立了無限移動循環沖蝕射流仿真，案例難點如下：1.ALE方法的設置2.沖蝕的實現3.移動射流的實現4.循環沖蝕射流的實現具體實現效果如下：感興趣的可以私信我。

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小海-有限元 ??? 1年前

視頻基于dpm模型的節流閥沖蝕仿真

1. fluent DPM沖蝕模型仿真基本通用流程2. 沖蝕模型介紹，參數介紹3. 管道幾何前處理與meshing網格劃分4. fluent后處理過程5. 提供源文件與答疑過程

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楊仿君 ??? 4年前

視頻 ABAQUS 燒蝕/腐蝕仿真 UEL子程序

在 ABAQUS 里用自定義單元（UEL）實現“固體被氧氣腐蝕/燒蝕”的耦合仿真，并給出一種無需水平集即可自動追蹤腐蝕界面的簡單方法。要點如下： 1. 物理模型 - 力學場：靜力平衡，材料剛度隨腐蝕損傷 d??? 退化。

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我在技術鄰日漸消瘦 ??? 4月前

問答 Ansys apdl 結合生死單元仿真激光燒蝕纖維復合材料，表面溫度過高？

如果單元數量小于0(沒有發生燒蝕) esel,s,live !選擇活單元 *endifnsle,s !選擇活單元上的節點nsel,inve !選擇死單元上的節點 D,all,all,0 !約束死節點自由度nsel,inve !

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風_5208 ??? 3年前

視頻 Fluent管道粒子沖蝕仿真分析

Fluent管道粒子沖蝕仿真分析

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寧博士CAE團隊 ??? 4年前

帖子【Lumerical系列】無源器件-端面耦合器2丨十字型異質多芯波導

當半刻蝕Si波導的厚度設定為70 nm時，其與光纖的模場匹配度如圖3（a）、（b）所示，而當Si波導的厚度設定為150 nm時，其與光纖的模場匹配度如圖3（c）、（d）所示。由圖分析可知150 nm厚度的半刻蝕Si波導更適合本端面耦合器的設計，同時，還需選擇合適的和以實現最優耦合效率。圖3 十字型波導TE模和TM模與光纖的模場匹配度。

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摩爾芯創 ??? 3月前

帖子半導體前道設備研究框架

刻蝕是使用化學或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕，干法刻蝕市場占比超 90%。干法刻蝕也稱等離子刻蝕，是使用氣態的化學刻蝕劑去除部分材料并形成可揮發性的生成物，然后將其抽離反應腔的過程。等離子體刻蝕機根據等離子體產生和控制技術的不同而大致分為兩大類，即電容性等離子體（CCP）刻蝕機和電感性等離子體（ICP）刻蝕機。

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第三代半導體聯合創新孵化中心 ??? 3年前

帖子芯片制造的6個關鍵步驟--封裝技術：臺積電Chiplets和3D封裝技術詳解

刻蝕下一步是去除退化的光刻膠，以顯示出預期的圖案。在"刻蝕"過程中，晶圓被烘烤和顯影，一些光刻膠被洗掉，從而顯示出一個開放通道的3D圖案。刻蝕工藝必須在不影響芯片結構的整體完整性和穩定性的情況下，精準且一致地形成導電特征。先進的刻蝕技術使芯片制造商能夠使用雙倍、四倍和基于間隔的圖案來創造出現代芯片設計的微小尺寸。和光刻膠一樣，刻蝕也分為“干式”和“濕式”兩種。

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第三代半導體聯合創新孵化中心 ??? 3年前

帖子 Lumerical Mode分析鈮酸鋰定向耦合器的側壁傾角對耦合效率的影響

關鍵詞：鈮酸鋰；定向耦合器；側壁刻蝕鈮酸鋰(Lithium Niobate)，是各向異性的晶體，因此在仿真中需要考慮這一性質。由于x-cut鈮酸鋰是最常使用的，所以在這篇推文中考慮x-cut的鈮酸鋰折射率數據。

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320科技工作室 ??? 1年前

帖子采用電解預刻蝕實現高界面結合強度的鎳/鋼微流控芯片模芯

這種 pcb 板怎么用 comsol 建模呢

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用戶_55283 ??? 1年前

帖子都2022年了，這些半導體上游設備及材料上市公司不會還有人不知道吧？

中微公司專注于研發干法刻蝕（等離子體刻蝕）設備，用于在晶圓上加工微觀結構。干法刻蝕通過等離子釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料。根據所要去除材料和加工器件結構的不同，可分為電介質刻蝕、導體刻蝕和硅通孔刻蝕。

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半導體材料與工藝設備 ??? 3年前

帖子光刻技術第1期 | 計算光刻技術介紹

其作用機制在于，通過專業軟件對光刻系統的核心元素（包括光源、掩膜版、光學鏡頭等）進行精準模擬與參數優化，從技術層面助力光刻機突破硬件限制，更精準地刻蝕芯片的微小結構。最終，這一技術不僅實現了光刻分辨率的顯著提升，還有效保障了芯片生產的良率，為集成電路向更小特征尺寸發展提供了核心支撐。上述兩項關鍵技術與光學成像物理仿真等技術相互協同，形成“模擬-優化-校正”的完整技術鏈條。

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武漢二元 ??? 6月前

帖子供電老大難！新EUV光刻機為什么是“電力黑洞”

光刻之外電力消耗依舊不少除了光刻曝光，刻蝕、離子注入、氣相沉積等流程也是極其耗電的。晶圓光刻曝光后，還需刻蝕、離子注入等階段來雕刻集成電路。我們以干法刻蝕舉例。干法刻蝕就是利用等離子體進行薄膜刻蝕的一項技術，具有各向異性。通過電場將離子流加速，轟擊半導體材料表面來移走特定的硅原子。

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半導體材料與工藝設備 ??? 3年前

問答有朋友會空化穴蝕仿真分析？

有朋友會用STAR-CCM+做空化穴蝕分析嗎？

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1_4820 ??? 3年前

帖子數字揭秘丨什么？！Altair EDEM竟然可以用來解答高考物理壓軸的電磁力學題？

離子束刻蝕技術（Ion Beam Etching，IBE）為經典的半導體干法刻蝕技術，發源于1970年代。通過將稀有惰性氣體（如氬、氙等）電離形成帶正電的離子（如本題中的兩個帶電質點），然后使用電場加速（和磁場引導）后精準轟擊基材表面特定位置的原子，從而實現在基材表面的精確刻蝕，具有良好的各向異性。

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ALTAIR ??? 10月前