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圖9 聚磁優(yōu)化設(shè)計(jì) 4.2 優(yōu)化仿真結(jié)果對(duì)比分析通過(guò)COMSOL對(duì)增加聚磁裝置優(yōu)化后的漏磁仿真模型進(jìn)行計(jì)算，檢測(cè)探針提離值由3mm遞增到8mm, 所測(cè)得優(yōu)化后的漏磁曲線如圖10 所示。由此可知，隨著提離值由3mm到5mm時(shí)，漏磁信號(hào)變小，但到6mm、7mm時(shí)，漏磁信號(hào)開始變大，最后到8mm時(shí)，漏磁信號(hào)回落。

1.2 創(chuàng)建幾何模型圖1 三維模型示意圖 實(shí)驗(yàn)采用Q235碳鋼、304L不銹鋼模擬實(shí)驗(yàn)鋼材，鋼材的尺寸為30mm×20mm×3mm。三維模型的建模及網(wǎng)格劃分如圖1所示。對(duì)于電極表面電解質(zhì)區(qū)域，為了更加準(zhǔn)確地構(gòu)建出腐蝕形貌，模擬出腐蝕深度等，采用掃掠方式，將電解質(zhì)與電極反應(yīng)界面分開創(chuàng)建自由網(wǎng)格，并采用超細(xì)化處理方式來(lái)劃分材料網(wǎng)格大小。

可見模擬結(jié)果與試驗(yàn)結(jié)果一致。圖8 同軸送粉TIG熔覆表面單層單道熔覆層 圖9 實(shí)際電弧圖像 圖1 0 對(duì)應(yīng)的電弧溫度場(chǎng)數(shù)值模擬結(jié)果 3.2.2 顯微組織焊接電流為130 A、送粉量為6 g/mm、SiC濃度為1.5%的工藝參數(shù)下熔覆層橫截面不同區(qū)域顯微組織如圖11所示。

添加研究，對(duì)兩種微穿孔板吸聲體的吸聲系數(shù)進(jìn)行頻率分析： 圖.圓形微穿孔板的吸聲系數(shù)有限元結(jié)果 圖.花瓣形微穿孔板的吸聲系數(shù)有限元結(jié)果 與文獻(xiàn)中的結(jié)果對(duì)比： 圖(a)文獻(xiàn)中具有圓形和花瓣形穿孔的MPP的吸聲系數(shù):理論預(yù)測(cè)與有限元仿真結(jié)果的比較；(b)Comsol中復(fù)現(xiàn)的有限元仿真結(jié)果。

一根超導(dǎo)帶材的二維網(wǎng)格剖分如圖 1 所示，超導(dǎo)帶材模型長(zhǎng) 10 mm，寬 0． 1 mm，對(duì)超導(dǎo)帶材設(shè)置長(zhǎng)度方向分布單元數(shù)為 100，寬度方向分布單元數(shù)為 10 的映射網(wǎng)格，對(duì)空氣域采用常規(guī)的自由三角形網(wǎng)格剖分，這樣在保證原有網(wǎng)格剖分精度基礎(chǔ)上，細(xì)致剖分超導(dǎo)帶材區(qū)域網(wǎng)格，保證計(jì)算準(zhǔn)確性，縮短仿真時(shí)間。

右擊“結(jié)果”，增加一個(gè)一維繪圖組，將標(biāo)簽改為“散射截面”，取消勾選“顯示圖例” 17. 右擊 “散射截面”一維繪圖組，新增“全局”圖，在表達(dá)式中輸入“Csca”，單位改成m 18. 點(diǎn)擊繪制，就可以在繪圖窗口中看到散射截面的曲線 19.

包含的文件截圖：詳細(xì)描述：如上圖所示，該器件是由 L 形金天線構(gòu)成的超表面，超表面上分成 8 個(gè)區(qū)域，對(duì)應(yīng)不同的 h 和 r 尺寸，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)相位的調(diào)制。超表面的排列周期 P = 1.5 mm，t1 = 300 nm，工作頻率是 0.1 THz。x方向偏振的高斯光束從下往上入射到超表面，能夠輸出一個(gè)渦旋光。

請(qǐng)注意，在下面的圖中，顏色表達(dá)代表粒子速度的 y 分量，單位是 mm/s。結(jié)果表明，在通道中心兩側(cè)約 0.3D 的距離上，所有的粒子都接近于平衡位置。(D 代表通道的寬度)。然而，在通道中心附近釋放的粒子確實(shí)需要更長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)到達(dá)這些位置。這些例子的初始力較弱，因?yàn)樗鼈儽会尫旁谒俣忍荻茸钚〉膮^(qū)域。從圖中，我們可以看到，粒子在通道寬度的 0.2 和 0.8 倍的高度上聚集。

1 礦井線纜仿真(1）模型建立由于電纜負(fù)荷電流變化引起的溫升只與電纜自身參數(shù)有關(guān)，因此，與穩(wěn)態(tài)熱路模型不同，分析電纜暫態(tài)熱路模型時(shí)需要考慮電纜不同結(jié)構(gòu)的熱容量，根據(jù)MYJV22-8.7/10 k V 3×50 mm2電纜的結(jié)構(gòu)以及相關(guān)參數(shù)，基于電纜熱路分析法在COMSOL軟件中建立仿真模型。其參數(shù)如表1所示。

8 導(dǎo)出保存comsol文件04 結(jié)果展示 圖 9 參數(shù)5mm×2mm，孔隙率0.2圖 10 參數(shù)2mm×2mm，孔隙率0.5需要源代碼的可以加我QQ：2449972097，有償。

我們將該模型的模擬結(jié)果導(dǎo)出后，作為下一個(gè)計(jì)算步驟的入口條件。 速度場(chǎng)的流線圖。速度場(chǎng)被用作詳細(xì)模型（在切片圖的位置）的入口邊界條件。 詳細(xì)的幾何結(jié)構(gòu) 電氣設(shè)備的詳細(xì)幾何結(jié)構(gòu)是在 SolidWorks? 軟件中建立的，并通過(guò) CAD 導(dǎo)入模塊 導(dǎo)入到COMSOL Multiphysics? 中。

圖2 滲流場(chǎng)及空隙水壓力分布圖3 流固耦合前應(yīng)力分布圖4 初始位移分布（右）圖5 流固耦合后應(yīng)力分布圖6 流固耦合后位移分布圖7 等效塑性應(yīng)變區(qū)2．結(jié)果分析通過(guò)計(jì)算后發(fā)現(xiàn)，斜坡流固耦合計(jì)算前由圖2-3可知，斜坡最大位移分布于斜坡較陡位置，其中斜坡后緣位移最大約0.004m，因滑坡所在位置后緣存在少量崩塌，與實(shí)際較為符合。

歡迎在下方留言，與我們分享你的進(jìn)展和結(jié)果！更多資源瀏覽“COMSOL 博客”，閱讀更多關(guān)于模擬離心泵和攪拌器的信息： 使用適用于大型 CFD 仿真的代數(shù)多重網(wǎng)格（AMG）方法 計(jì)算攪拌器和旋轉(zhuǎn)機(jī)械中的自由液面 借助 COMSOL Multiphysics? 分析攪拌器的設(shè)計(jì)元素本文內(nèi)容來(lái)自 COMSOL 博客

為了證明井特征給出的結(jié)果與圓柱表面上的相應(yīng)邊界條件相同，我們比較了生產(chǎn)溫度的結(jié)果?？梢钥吹剑瑑蓚€(gè)結(jié)果具有很好的一致性。兩種建模選項(xiàng)的生產(chǎn)溫度比較。結(jié)束語(yǔ) 在這篇文章中，我們看到新的井邊界條件可以提高模型性能，并使井建模變得更加容易。我們還了解了相關(guān)的仿真背景以及如何設(shè)置與傳熱的耦合。 本文來(lái)自： COMSOL 博客

其中（a）為本文模型的結(jié)果，（b）為參考文獻(xiàn)[1]的結(jié)果。當(dāng)壁面接觸角為170度的時(shí)候液滴向錐形流道寬端發(fā)生自輸運(yùn)。圖12 四、總結(jié) 基于COMSOL Mutiphysics，本文分別建立了“接觸角（表面潤(rùn)濕性）梯度”和“曲率半徑差異”導(dǎo)致液滴自輸運(yùn)現(xiàn)象的模型。

圖2 管道復(fù)雜應(yīng)力磁導(dǎo)率曲線 2 輸油氣管道磁力學(xué)模型仿真分析本文采用MATLAB的COMSOL Multiphysics工具箱進(jìn)行建模，通過(guò)內(nèi)部嵌入的CAD建模工具直接在軟件中建立輸油氣管道模型，設(shè)置管道外壁直徑為508 mm、管壁厚度為10 mm、拉伸管道長(zhǎng)度為600mm的三維空間管道模型，如圖3所示。

COMSOL Multiphysics? 仿真的輸出結(jié)果中往往包含一個(gè)或多個(gè)物理量。根據(jù)物理量的數(shù)量、幾何的復(fù)雜性和得到精確結(jié)果所需的網(wǎng)格密度，仿真可能包含數(shù)百萬(wàn)個(gè)自由度。然而通常情況下，儲(chǔ)存一個(gè)或幾個(gè)標(biāo)量，或小型幾何零件的結(jié)果便足夠了。在這篇文章中，我們將探討不僅可用于存儲(chǔ)選定輸出量、減小模型文件大小，還能縮短顯示數(shù)據(jù)所需的時(shí)間的方法。

依據(jù)參考文獻(xiàn)給定的條件，樣品液中涉及到兩種粒子，其物性參數(shù)如圖2所示。 圖1 圖2 2.結(jié)果分析與討論 如圖3所示，為第1秒時(shí)顆粒在流體運(yùn)動(dòng)中的速度圖，其中（a）為本節(jié)模型所模擬的結(jié)果，（b）為參考文獻(xiàn)的結(jié)果。

本文主要從點(diǎn)缺陷和設(shè)置及電磁調(diào)制響應(yīng)Comsol仿真仿真展開，基于禁帶缺陷態(tài)調(diào)制理論，本文選擇三角形晶格結(jié)構(gòu)進(jìn)行建模，選用氧化鋁為纖維棒作為微結(jié)構(gòu)介質(zhì)材料進(jìn)行二維建模，氧化鋁纖維折射率為3.08，直徑為6mm，周圍環(huán)境為空氣，折射率為1。為設(shè)置二維點(diǎn)缺陷，在中間設(shè)置基于SiO2前提的等離子體缺陷，等離子體折射率為0.97，建模如圖1所示。