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同樣道理，對于簡單模型這樣做無特別優勢，無非就是省了幾秒鐘的重復修改兩個零件的同一尺寸的時間；但是當存在多處關聯甚至多級關聯時，這樣做所省的時間是可觀的。 關于SolidWorks多實體的應用，感興趣的同學可以搜索“SolidWorks多實體”以及類似關鍵詞查找資料學習。“SolidWorks多實體”值得深入學習！

下圖關于包絡線倒角直接引用自SolidWorks文檔。看圖即基本能理解其意思。 現在主要是如何創建包絡線的問題（涉及SolidWorks從曲面和曲線的建模技巧）。下面就我們本例的具體模型來看如何創建包絡線，以實現正確的倒角建模。

在創建材料時，我們使用編織材料，并根據需要調整材料屬性。我們創建以下三個不同的材料層，并設置厚度。外層鋪層：厚度0.2mm（編織材料）。 內部鋪層：厚度0.2mm（UD材料）。 內層鋪層：厚度0.175mm（UD材料）。 鋪層方向與坐標系，創建單元集并進行坐標系設置。

我們使用 DSEARCH 為我們創建的 MACro 對鏡頭進行了更多優化。像質非常好，至少在 20 攝氏度的溫度下是這樣的。現在我們要檢查熱特性。在 WorkSheet?（WS）中，將外殼指定為鋁 6061，如上所述。然后刪除厚度求解，因此隨著溫度的變化鏡頭不會自動重新聚焦。在 WS 中，鍵入 NTOP 以刪除求解。現在準備另一個 MACro 來啟動此鏡頭的熱分析。

以如下復雜殼體結構為例，采用有限元方法建模時，為了保證有限元網格的質量，需要清除殼體邊緣的倒角和圓角，同時對殼體上大量存在的螺栓孔進行填充處理。清理完之后的幾何模型如圖1(b）所示。而采用無網格方法時，則可以直接采用殼體原始幾何模型，不需要對幾何模型進行清理，因此減少了大量的有限元模型前處理時間成本。2）在連接方式建模處理上的差異。

表五：殼體架構優化結果 表五中SIMP方法的結果表明，拉向約束對優化形狀有重要影響。優化后的肋板形狀滿足脫模要求，但厚度比一般厚度過厚。 水平集方法的計算結果具有相似之處。

我們在做配合時，不能毫無章法，想怎么做就怎么做，因為這樣做會帶來很多問題，比如裝配體打開緩慢、后期修改難度增加等等。SOLIDWORKS中的配合類型呢，分為三類：標準配合、高級配合、機械配合，從軟件運行速度上來說呢，使用了高級配合和機械配合，模型求解的速度是比沒有使用的模型要慢的，所以如果是大型裝配體，建議盡量少使用高級配合和機械配合。

Simufact.forming具有豐富的模型數據接口，可以直接導入目前通用的CAD軟件創建的幾何模型，包括：Catia、UG、Pro/E、SolidWorks和Inventor等，無需轉換為中間格式；Simufact.forming也支持導入中間格式模型文件，如：Parasolid、DXF、STL、IGES、VDA、STEP和ACIS。

至此，實體單元已經全部簡化處理成了片體單元，導出或另存為x_t、stp、igs等格式，然后導入CAE軟件在幾何單元屬性環節賦予厚度，并進行后續相關操作即可。

這是使用四層SiO2和Ta2O5，我們在每個Ta2O5層中引入誤差，在第四層中，靠近基板厚度+10%，在較厚的第二層中厚度-10%。正確設計和錯誤設計的反射率如圖1所示，其中考慮了基板背面的影響。圖1.橙色曲線表示無誤差四層設計的性能，黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。 我們要做的第一件事就是通過File-New子菜單設置中創建新的反演工程。

我們怎么能期望這種位移會影響身體內部的壓力呢？ 例如，由于位移會產生力矩，我們可以預期模型曲線中的應力高于我們在線性部分中看到的應力。

這是使用四層SiO2和Ta2O5，我們在每個Ta2O5層中引入誤差，在第四層中，靠近基板厚度+10%，在較厚的第二層中厚度-10%。正確設計和錯誤設計的反射率如圖1所示，其中考慮了基板背面的影響。 圖1.橙色曲線表示無誤差四層設計的性能，黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。

這是使用四層SiO2和Ta2O5，我們在每個Ta2O5層中引入誤差，在第四層中，靠近基板厚度+10%，在較厚的第二層中厚度-10%。正確設計和錯誤設計的反射率如圖1所示，其中考慮了基板背面的影響。 圖1.橙色曲線表示無誤差四層設計的性能，黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。

這是使用四層SiO2和Ta2O5，我們在每個Ta2O5層中引入誤差，在第四層中，靠近基板厚度+10%，在較厚的第二層中厚度-10%。正確設計和錯誤設計的反射率如圖1所示，其中考慮了基板背面的影響。 圖1.橙色曲線表示無誤差四層設計的性能，黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。 我們要做的第一件事就是通過File-New子菜單設置中創建新的反演工程。

這是使用四層SiO2和Ta2O5，我們在每個Ta2O5層中引入誤差，在第四層中，靠近基板厚度+10%，在較厚的第二層中厚度-10%。正確設計和錯誤設計的反射率如圖1所示，其中考慮了基板背面的影響。 圖1.橙色曲線表示無誤差四層設計的性能，黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。

我們要做的第一件事就是通過File-New子菜單設置中創建新的反演工程。該工具立即要求導入正確的設計，圖2，Next，圖3，是我們需要的基板，默認是從設計中讀取的。如果在后表面變黑或磨平的情況下測量性能為反射率，則應使用Wedge屬性。最后，我們需要導入測量性能。圖4顯示了這個階段工具的外觀。圖2.反演工程工具的對話框，其中應輸入無錯誤設計的路徑。

這是使用四層SiO2和Ta2O5，我們在每個Ta2O5層中引入誤差，在第四層中，靠近基板厚度+10%，在較厚的第二層中厚度-10%。正確設計和錯誤設計的反射率如圖1所示，其中考慮了基板背面的影響。 圖1.橙色曲線表示無誤差四層設計的性能，黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。

批量抽取中面，捕捉面的厚度，并自動延伸；后續可導入CAE軟件，進行板殼結構的應力分析。

批量抽取中面，捕捉面的厚度，并自動延伸；后續可導入CAE軟件，進行板殼結構的應力分析。 創建或抽取梁模型，自動捕捉梁的截面信息，并可方便偏置；后續可導入CAE軟件，應用梁單元進行內力分析。 體積抽取及包圍體創建功能，用于流體及電磁分析域的幾何生成。