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因此，許多研究開發了LDPE與六方氮化硼納米片(BNNS)相結合的高導熱復合材料，以在熔體粘附過程中實現高導熱和形狀穩定。然而，較強的化學鍵和強的范德華力會導致BNNS與LDPE的相容性較低，從而導致BNNS與LDPE界面處的相分離和重新聚集。因此，由于這些問題引起的熱阻增加，這可能會大大降低制備好的BNNS/LDPE復合材料的熱導率。

半導體制造在半導體制造領域，氮化硼可以作為刻蝕劑和薄膜沉積原料。在半導體器件制造過程中，氮化硼可以起到保護層的作用，防止器件受到損傷或污染。此外，氮化硼還可以用作電子束蒸發源材料，用于制備各種薄膜材料。8. 納米電子學在納米電子學領域，氮化硼具有良好的納米尺度加工性能和穩定的物理化學性質，可用于制造各種納米電子器件。

氮化硼納米片與氧化鋁顆粒協同高導熱絕緣PET無紡布/PDMS夾心復合膜[J]. 聚合物復合材料 總結：該文通過納米纖維素纖維的分散和界面增強，在聚酯基紡織布(NWF)上配置氮化硼納米片(BNNS)，獲得三維環氧樹脂網絡骨架(BNNS@NWF)。

然而，聚合物基復合材料的低導熱性和高溫穩定性差限制了其應用范圍為了獲得更高的散熱能力，添加具有高導熱性的碳材料(如石墨烯)或無機材料(如氧化鋁和氮化硼)等填料是一種優化方法。六方氮化硼納米片(BNNSs)的寬禁帶(5 ~ 6 eV)、類石墨結構和穩定的結晶度使其具有高導熱性、優異的電絕緣性能和優異的熱穩定性。

近年來，靜電植絨技術被應用于制備熱界面材料，在此基礎上，提出了一種新的策略，通過靜電植絨方法使BN納米片在柔性環氧基中有序排列，搭建傳熱通道。與機械混合法制備的隨機分布的氮化硼填充復合材料相比，垂直取向的氮化硼填充復合材料可以增強材料的導熱性能。

采用氧化鋁、石墨烯(G)、碳化硅和六方氮化硼(h-BN)等多種導電填料增強聚合物基體的導熱系數。其中，氮化硼納米片(BNNSs, 導熱系數為400.0 W/(m K)，楊氏模量為865 (GPa)是典型的二維材料，因其低滲透閾值和高縱橫比而備受關注。然而，由于隨機分散的BNNSs或部分定向的BNNSs無法將其各向異性的優勢發揮到最高水平，復合膜通常表現出中等的導熱系數，與理論預測相差甚遠。

此外，和金剛石和立方氮化硼相比，碳化硼制造容易、成本低廉，因而使用更加廣泛，在某些地方可以取代價格昂貴的金剛石、常見在磨削、研磨、鉆孔等方面的應用。二，納米碳化硼(VK-BC100)的幾種制備方法：1. 碳熱還原法因具有密度低、強度大、高溫穩定性以及化學穩定性好的特點。在耐磨材料、陶瓷增強相，尤其在輕質裝甲，反應堆中子吸收劑等方面使用。

本文采用“高溫固相&重氮鹽分解”法制備了聯苯胺功能化氮化硼(m-BN)。隨后，通過溶膠-凝膠膜轉化法制備了m-BN/聚(苯并苯并異惡唑)納米纖維(PNF)納米復合紙。由于m-BN和PNF之間存在廣泛的氫鍵和π -π相互作用，以及穩定的模擬納米層狀結構，所獲得的m-BN/PNF納米復合紙具有優異的導熱性、令人難以置信的電絕緣性、出色的機械性能和熱穩定性。

在我們之前的工作中，石墨層焊接的3D碳納米管網絡由于在結處有效的聲子和應力傳遞而顯示出大大改善的導熱性。通過界面焊接，還觀察到氮化硼和碳化硅納米線網絡的導熱性顯著增強。然而，目前仍然缺乏對于界面聲子傳輸機理的深入研究。

因此，開發創新的高導熱材料來解決這一問題具有重要意義，常見的導熱填料如氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氮化硅、金剛石、石墨、金屬顆粒、碳納米管(CNTs)、石墨烯等，已被廣泛用于制備聚合物復合材料，以達到期望的性能。其中，碳納米管相對于金屬納米填料具有更大的縱橫比和靈活性，可以更好地融入聚合物基體中，以滿足熱管理要求。

由于具有較大的比表面積和豐富的邊基，氮化硼納米片BNNS在聚合物基質中的分散性和相容性方面往往比未剝離的hBN具有前所未有的優勢。然而，剝離后的BNNS橫向尺寸僅為100 nm，厚度達到10 nm。因此，制備厚度均勻、產率高的高質量BNNS對于制備具有高導熱性能的柔性復合膜具有重要意義。近年來，高性能PI納米纖維薄膜在導熱領域得到了廣泛的研究。

碳材料以其優異出 眾的性能被廣泛應用于各個領域，尤其是在國家戰略 性新興產業中的應用，石墨烯及碳納米材料、碳纖維 及其復合材料、金剛石、碳基薄膜和傳統碳材料（炭 黑、多孔碳、石墨、特種石墨等）在鋰電、電容器、儲能、 光伏、半導體、光電顯示、５Ｇ 通訊、傳感器、通用航空、 未來交通、高端裝備等領域應用前景廣闊　　2、cBN的結構與性能　　立方氮化硼（cBN）是第二大品種的超硬材料。

該團隊采用單向冷凍鑄造技術制備了各向異性氮化硼納米片(BNNs)/聚乙烯醇復合氣凝膠。與傳統SiO2或Al2O3基氣凝膠中相互連接的各向同性納米顆粒形成的開孔結構不同，二維BNNS可以將氣凝膠分隔成獨立的細胞，有效減少空氣傳導和對流，從而實現超低導熱。得益于BNNs排列的多孔結構，具有最佳BNNS含量的復合氣凝膠在具有20.3 W/mK的超低導熱系數。

圖2.初始氮化硼含量為(a) 50 mg/mL， (b) 150 mg/mL， (c) 200 mg/mL， (g) 250 mg/mL， (h) 300 mg/mL， (i) 400 mg/mL時3D BN- TA骨架的橫截面SEM圖像。

(a) 在垂直方向上取向排列的導熱氮化硼復合材料; (b)具有沿平面取向結構的導熱液態金屬-彈性體復合材料; (c)導熱氮化硼納米片復合材料，可以根據制造方法在垂直方向和面內方向取向排列。 圖5.用于被動熱管理的隔熱材料。

六方氮化硼(BN)作為導熱填料在TIM中得到了廣泛的關注，因為它具有很高的導熱性和電絕緣性，特別是單個BN微板的400 W/mK面內導熱系數(λ∥)為了充分利用BN的優秀面內導熱系數，二維填料的垂直排列方法得到人們的關注，但與平行取向片狀填料相比，通常需要更復雜的工藝或特殊的設備。目前，制造垂直取向的主流方法是冷凍鑄造和在填料表面植入磁性納米顆粒后進行垂直磁感應。

（值得一提的是，哥倫比亞大學 Dimitri Basov 研究團隊，同時獨立地發現基于氮化硼/氧化鉬異質結的面外負折射效應）該發現開辟了傳統結構光學路徑以外的新方案，實現了高效的納米尺度光場聚焦和電可調的正負折射轉換功能，為納米尺度光操控提供新方法，有望應用于光電融合集成器件等諸多領域。

但對于比表面積較大的二維材料，如BNNSs(氮化硼納米片)，容易形成不穩定的粉-液共存結構，這種方法存在局限性。硫醇可以與金屬形成配位鍵，在LMMPs表面形成自組裝單分子(SAM)層，可以有效提高LM顆粒的分散性能和穩定性。但僅適用于LM含量低的導電LMEE材料。對于LM含量高的導熱LMEE，目前還沒有有效的LM泄漏解決方案。

Owais等人利用三元雜化填料體系制備環氧納米復合材料，得到了一種具有高??值和高電絕緣特性的復合材料(圖14g)。Zhang等人構建了碳納米管(CNT) @碳化聚乙烯醇(??PVA)和聚酰亞胺(PI)/氮化硼納米片(BNNS)的互穿纖維膜。

例如Zhang等將片狀六方氮化硼和球形立方氮化硼2種導熱填料復配填充環氧樹脂。當二者體積比為2:1時，在較低的填充量下（6 vol%）復合材料的導熱系數相比純環氧基體提高了116.14%，優于相同含量下單一填料的填充效果。