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通過控制反應的沉積條件，該文實現了~ 600 nm薄膜的導熱系數(~ 36?104 W/mK)，其上限代表了室溫下這種薄膜厚度的最高值之一，特別是在低于100°C的沉積溫度下。

由于制造工藝中需要薄膜沉積技術在晶圓上重復堆疊薄膜，因此薄膜沉積技術可視為前道制造中的“加法工藝”。薄膜沉積是決定薄膜性能的關鍵，相關工藝和設備壁壘很高。芯片制造的關鍵在于將電路圖形轉移到薄膜上這一過程，薄膜的性能除了與沉積材料有關，最主要受到薄膜沉積工藝的影響。

在柔性OLED的核心技術——薄膜封裝（TFE）工藝中，默克導入了原子層沉積（ALD）方法，以替代傳統的化學氣相沉積（CVD）方法。根據韓媒Sisajournal報道，據顯示行業8月27日消息，默克公司已成功開發了一種適用于ALD工藝的前驅體，并將其應用于柔性OLED的薄膜封裝過程中。據悉，這種新方式實現了極高的異物檢測精度，接近零檢測率。

因此，海斯坦普通過使用Code Saturne計算流體力學軟件，將流體力學仿真與其正在開發的生物質鍋爐項目結合起來，運用CFD分析的方法，模擬其內部流體的流動狀態以及傳熱特性，根據仿真結果在設計階段優化生物質鍋爐設計，預測飛灰的產生和飛灰對于鍋爐性能的影響，以最大限度地提高鍋爐的工作效率，并且根據仿真模擬的結果相應地調整運維策略，使得經濟效益最大化。

在DED（Directed energy deposition定向能量沉積，下述簡稱DED）增材工藝過程中，由于零部件的重復加熱，極易產生部件的變形問題。借助海克斯康專業的金屬定向能量沉積仿真軟件Simufact Welding，能夠對目標件進行瞬態數值模擬，在得到變形結果后輸出反變形補償結果，從而大大減少必要的實際物理試驗次數，降低企業成本。

圖 7不同麥克風的空間相關性在Actran中使用聲學有限元輻射模型和麥克風測點的實驗數據逆推薄膜模態參與因子，恢復HVAC單元表面的聲源分布。圖 8 Actran中的聲學模型圖 9 近場麥克風預測和實驗值對比最后進行遠場結果的仿真分析。通過對比近場和遠場測量數據與仿真結果，驗證模型準確性，并構建指向性圖評估不同距離下的聲輻射特性。

仿真痛點DED沉積過程中，零部件的變形不可避免，通過上述介紹我們可以了解到，Simufact Welding軟件能夠對打印過程中的變形等問題進行預測分析，但對于該類型的仿真分析——基于熱機耦合的瞬態仿真，往往需要耗費大量的建模時間與計算時間。

研究內容：基于目前學者所設計的超材料結構設計了一種薄膜型聲學超材料的單元模型，支撐框架、彈性薄膜和空心質量塊。支撐框架是固定并張緊薄膜類似彈簧的作用。圖1.薄膜型聲學超材料的結構示意圖技術路線：在comsol中對薄膜聲學超材料低頻降噪進行仿真分析。

而薄膜的晶粒尺寸、吸收效應和殘余應力都會隨沉積溫度的升高而變大，這些都會減小薄膜的LIDT。例如，離子束輔助沉積最突出的特點是使薄膜變得致密，有利于提高LIDT。

<p>本案例建立了一薄膜體聲波諧振器(FBAR)模型，一個硅襯底上挖一個空腔，然后在其上增加隔離層、下電極壓電層和上電極層，結構如圖所示：</p><p><img src="https://img.jishulink.com/202205/imgs/c13a34fa2c6945ebbbe32c149f037a96.png" alt="Untitled1.png"></p><p class="ql-align-center

薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導體多晶硅、金屬銅等。用來鍍膜的這個設備就叫薄膜沉積設備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積（CVD），其中CVD工藝設備占比更高。

非均勻薄膜對太陽能電池的性能產生極大的影響，因此需要深入探究非晶硅薄膜的沉積過程，解決沉積薄膜的非均勻性問題。而在晶硅薄膜的制備過程中很難通過現場實驗測量的方法獲得薄膜的生長規律、氣流流動特性、復雜的氣相和表面化學反應過程，因此需要借助CFD軟件模擬和預測非晶硅薄膜的沉積過程，獲得薄膜生長規律，從而解決薄膜的均勻性問題。

在制備薄膜太陽能電池的過程中，非晶硅表面上沉積的薄膜往往存在厚度不均勻的問題。非均勻薄膜對太陽能電池的性能產生極大的影響，因此需要深入探究非晶硅薄膜的沉積過程，解決沉積薄膜的非均勻性問題。

對此，聯合研究團隊結合超聲波和氣象沉積法(Aerosol Deposition)提出了新的技術方案。氣象沉積法是在基板表面涂層固體材料薄膜的方法，廣泛應用于半導體和太陽能電池等制造工藝。 研究團隊采用所開發的新方式成功制造了高密度的量子點薄膜。不僅如此，在3μm厚度(用噴墨方法所制造的厚度的25%)的薄膜上，也完美實現了將藍色轉化為綠色和紅色。

其中，磁控濺射鍍膜具有諸多優勢，例如薄膜與基體結合力好，薄膜致密度較高；濺射范圍廣，可以沉積鉭、鋁、銅、鈦等金屬靶材，也可沉積ITO、AZO等非金屬靶材；能夠實現大面積靶材的濺射沉積，且沉積均勻性好。磁控濺射鍍膜技術可以制備工業上所需要的超硬薄膜、耐蝕性薄膜、磁性薄膜、超導薄膜以及光學薄膜等功能性薄膜，發展前景十分可觀。

制造流程：a)LNOI晶圓，b)TFLN結構圖案化，c)SiO?包層沉積，d)T-segments與偏置電極金屬薄膜沉積，e)絕緣SiO?層沉積，f,i)絕緣SiO?層蝕刻，g,j)頂部金屬沉積，h,k)硅襯底背面孔蝕刻。f–h)對應s-sep結構，i–k)對應g-sep結構。l)s-sep與m)g-sep調制器的成品 圖6 調制器件的性能。

本文通過阻抗匹配設計了一種簡單的TiN/Si雙層薄膜，該薄膜的熱輻射波長為3.5 ~ 20μm，具有可控的寬帶輻射峰。同時，在不同溫度下應用于鋁器件的不同雙層膜表現出出色的散熱效率，并保持相應的平衡溫度，確保器件長時間穩定工作。此外，沉積在柔性PI襯底上的雙層膜比沉積在PDMS, PE, PMMA或TPX等上的現有輻射冷卻材料具有更好的熱穩定性和更高的拉伸強度。

進行COMSOL 預應力模態仿真時，圓形薄膜結構采用膜單元(Membrane)，薄膜中心質量塊結構進行添加質量處理，除邊界條件的設置外，還需在薄膜表面施加初始面應力 200N/m。仿真分析的步驟如下所示。

（2）薄膜沉積設備薄膜沉積設備主要分 CVD、PVD、ALD 三大類，其中 CVD 市場占比最高。薄膜沉積是指在硅片 襯底上沉積一層待處理的薄膜材料，如二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬。