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隨著技術(shù)的發(fā)展，毛細(xì)管流變儀除了可以做常規(guī)的流變分析，也可以作為一個(gè)通用平臺(tái)，搭載不同測(cè)試功能的模塊。

T3ster 熱阻測(cè)試儀作為行業(yè)內(nèi)的先進(jìn)設(shè)備，為熱特性測(cè)試帶來(lái)了革命性的解決方案。一、T3ster 熱阻測(cè)試儀簡(jiǎn)介 T3ster 熱阻測(cè)試儀由專業(yè)的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備制造商研發(fā)，是一款專注于半導(dǎo)體器件封裝熱特性測(cè)試的精密儀器。它能在數(shù)分鐘內(nèi)快速提供各類封裝的詳細(xì)熱特性數(shù)據(jù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子應(yīng)用和 LED 行業(yè)以及研發(fā)實(shí)驗(yàn)室等領(lǐng)域。

在測(cè)試測(cè)量行業(yè)經(jīng)驗(yàn)超過(guò)17年的高科技公司，虹科與世界知名的測(cè)量行業(yè)巨頭公司Marvin Test、Pickering Interface, Spectrum, Raditeq等公司合作多年，提供領(lǐng)域內(nèi)頂尖水平的基于PXI/PXIe/PCI/LXI平臺(tái)的多種功能模塊，以及自動(dòng)化測(cè)試軟件平臺(tái)和測(cè)試系統(tǒng)，通用臺(tái)式信號(hào)源設(shè)備，高速數(shù)字化儀測(cè)試方案等。

接下來(lái)我們就重點(diǎn)介紹一下T3Ster熱阻測(cè)試儀。 Phase11熱阻測(cè)試儀 T3Ster熱阻測(cè)試儀 T3Ster是MicReD研發(fā)的熱測(cè)試儀，運(yùn)用JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法，專業(yè)測(cè)試分離或集成的雙極型晶體管、MOS晶體管、常見(jiàn)的三極管、LED封裝和半導(dǎo)體閘流管等器件的熱特性。

通過(guò)集成傳感器、微處理器等智能元件，測(cè)試儀將實(shí)現(xiàn)更加智能的自動(dòng)測(cè)量、數(shù)據(jù)處理和故障診斷功能，提高檢測(cè)效率和準(zhǔn)確性。 此外，多功能化也是回路電阻測(cè)試儀發(fā)展的一個(gè)重要方向。通過(guò)集成更多的測(cè)試功能，如絕緣電阻測(cè)試、介電強(qiáng)度測(cè)試等，測(cè)試儀將能夠?qū)崿F(xiàn)一機(jī)多用，降低用戶的設(shè)備成本和維護(hù)成本。

摘 要 斐索干涉儀是工業(yè)中常見(jiàn)的光學(xué)計(jì)量設(shè)備，它們通常用于光學(xué)表面質(zhì)量的高精度測(cè)試。 借助VirtualLab Fusion中的非順序追跡，我們構(gòu)建了一個(gè)菲索干涉儀，并利用它測(cè)試了不同的光學(xué)表面，例如圓柱形和球形。 可以看出，產(chǎn)生的干涉條紋對(duì)表面輪廓具有敏感性。

接下來(lái)我們就重點(diǎn)介紹一下T3Ster熱阻測(cè)試儀。 Phase11熱阻測(cè)試儀 T3Ster熱阻測(cè)試儀 T3Ster是MicReD研發(fā)的熱測(cè)試儀，運(yùn)用JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法，專業(yè)測(cè)試分離或集成的雙極型晶體管、MOS晶體管、常見(jiàn)的三極管、LED封裝和半導(dǎo)體閘流管等器件的熱特性。它能測(cè)試具有單獨(dú)加熱器和溫度傳感器的熱測(cè)試芯片，以及PCB和導(dǎo)熱材料的熱特性。

三、慧通測(cè)控-搖桿壽命測(cè)試儀WH-1721-2C 獨(dú)特設(shè)計(jì)與高穩(wěn)定性：該測(cè)試儀設(shè)計(jì)獨(dú)特，具有操作簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定可靠的特點(diǎn)，運(yùn)行時(shí)噪音低，其運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)無(wú)需頻繁維護(hù)，可減少停機(jī)維護(hù)時(shí)間，提高測(cè)試效率，同時(shí)也降低了使用成本。此外，設(shè)備外形美觀，占用空間合理，便于在實(shí)驗(yàn)室或生產(chǎn)車間部署。

摘 要 斐索干涉儀是工業(yè)中常見(jiàn)的光學(xué)計(jì)量設(shè)備，它們通常用于光學(xué)表面質(zhì)量的高精度測(cè)試。 借助VirtualLab Fusion中的非順序追跡，我們構(gòu)建了一個(gè)菲索干涉儀，并利用它測(cè)試了不同的光學(xué)表面，例如圓柱形和球形。 可以看出，產(chǎn)生的干涉條紋對(duì)表面輪廓具有敏感性。

測(cè)試前應(yīng)先設(shè)定好耐壓測(cè)試儀的測(cè)試條件, 待測(cè)品的輸入與輸出分別應(yīng)與測(cè)試儀接觸良好. (2). 耐壓的規(guī)格值設(shè)定參考安規(guī)要求. 30.

[2] 王超.基于瞬態(tài)溫升技術(shù)多通道系統(tǒng)級(jí)熱阻測(cè)試儀研究與開(kāi)發(fā)[D].北京工業(yè)大學(xué),2017.[3] 張立,汪新剛,崔福利.使用T3Ster對(duì)宇航電子元器件內(nèi)部熱特性的測(cè)量[J].空間電子技術(shù),2011,8(02):59-64.[4] 溫存,林偉瀚,周明,等.模組內(nèi)部燈條LED真實(shí)熱阻模擬測(cè)試系統(tǒng)研究與分析[J].電子產(chǎn)品世界,2020,28(12):33-36.

國(guó)內(nèi)目前開(kāi)發(fā)了一種直流電阻絕緣電阻測(cè)試儀ZZJ3D，該測(cè)試儀操作簡(jiǎn)單，測(cè)量全過(guò)程可由計(jì)算機(jī)控制，精確度和穩(wěn)定性都遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的檢測(cè)設(shè)備。 （三）工頻耐壓檢測(cè)。 　　 工頻耐壓一般采用交流電壓進(jìn)行檢測(cè)。

完成測(cè)試后，高壓線束需要滿足絕緣，耐壓，接觸電阻及氣密要求。2.3.5耐化學(xué)試劑測(cè)試：該實(shí)驗(yàn)是為了模擬整車在化學(xué)泄露的工況下，線束總成仍然能滿足基本的使用和可靠性。一般要求由主機(jī)廠按照實(shí)際汽車使用的各類溶劑（變速箱油，冷凝劑，潤(rùn)滑油，機(jī)油，汽油，清洗劑，制動(dòng)液等）對(duì)線束產(chǎn)品進(jìn)行浸沒(méi)實(shí)驗(yàn)。要求線束產(chǎn)品在允許一定形變率的情況下，滿足絕緣，耐壓，及氣密要求。

2.在直流高壓的試驗(yàn)中，檢驗(yàn)設(shè)備的絕緣主要以其所含的潮氣和水分是影響絕緣好壞的關(guān)鍵，由于水分有電滲析現(xiàn)象(即水分子在電場(chǎng)中具有正離子的性質(zhì))，測(cè)試時(shí)，高壓都施加在帶電部件，由于高壓是負(fù)極性的，因此，水份易吸附在高壓極附近，從而容易檢測(cè)出被測(cè)物的缺陷。

2.2泄漏電流的測(cè)量在電力變壓器泄漏電流的測(cè)量中，主要使用數(shù)顯泄漏電流測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量，其額定工作電壓一般在2.5kV以下，明顯低于變壓器的額定工作電壓。如果使用直流兆歐表無(wú)法滿足試驗(yàn)中對(duì)于電壓的要求，可以采取加直流高壓的試驗(yàn)方法，以確保變壓器泄漏電流測(cè)量結(jié)果的精確性。

1.測(cè)試內(nèi)容不同 通用測(cè)試臺(tái)的測(cè)試項(xiàng)目有：油缸基本參數(shù)測(cè)試，啟動(dòng)壓力、耐壓測(cè)試、保壓測(cè)試、泄漏測(cè)試等； 型式試驗(yàn)測(cè)試臺(tái)的測(cè)試項(xiàng)目主要是：油缸性能參數(shù)測(cè)試，耐壓測(cè)試、耐久性測(cè)試、泄漏測(cè)試、緩沖特性測(cè)試、負(fù)載效率測(cè)試等。

?? 測(cè)試方法避坑指南：拒絕"形式化檢測(cè)" 排除線阻干擾： 接觸電阻測(cè)試務(wù)必采用四線制測(cè)量法；高壓測(cè)試需配帶有緩升壓功能的專用儀器，防階躍擊穿。 模擬真實(shí)裝車姿態(tài)： 動(dòng)態(tài)彎曲和振動(dòng)必須將線束固定在模擬車身支架上，按實(shí)際三維布線和卡扣點(diǎn)位測(cè)試。 應(yīng)對(duì)新技術(shù)企標(biāo)： 面對(duì)車載以太網(wǎng)、新型刺破式連接、鋁導(dǎo)線等，實(shí)驗(yàn)室應(yīng)提前配備高頻網(wǎng)絡(luò)分析儀、自動(dòng)化微觀切片等前沿裝備。

B.標(biāo)淮： 1.輸入電壓為額定電壓上限的106%. 2.測(cè)試結(jié)果：Class I≦3.5mA;Class II≦0.25mA. 3.耐壓測(cè)試(Dielectric Withstand Voltage Test)：

圖5 東芝ST IGBT柵極耐壓測(cè)試對(duì)比(1)圖6 東芝ST IGBT柵極耐壓測(cè)試對(duì)比(2)TC4427芯片極限電壓測(cè)試，TC4427芯片VCC測(cè)試首次出現(xiàn)擊穿拐點(diǎn)在18~19V，隨著施加電壓增加擊穿電壓增大，總體測(cè)試芯片擊穿電壓大致范圍在21~23V之間。

英飛凌IGBT模塊已經(jīng)搭建了實(shí)驗(yàn)樣機(jī)，初步的測(cè)試表明英飛凌IGBT模塊的關(guān)斷電壓應(yīng)力很大。因IGBT橋臂的耐壓為1200V，關(guān)斷時(shí)只承受一半的母線電壓，電壓應(yīng)力不是問(wèn)題。IGBT的鉗位耐壓值為650V( 英飛凌、西門康) 或600V( 富士)，關(guān)斷電壓尖峰問(wèn)題很嚴(yán)重[6]。