芯片封裝結(jié)構(gòu)材料的案例
芯片封裝結(jié)構(gòu)的散熱分析
隨著封裝結(jié)構(gòu)越來(lái)越小型化，我們?cè)絹?lái)越需要仔細(xì)評(píng)估芯片封裝結(jié)構(gòu)的散熱效應(yīng)，對(duì)于產(chǎn)品可靠性的影響。以及相關(guān)熱應(yīng)力對(duì)于芯片性能的影響。設(shè)計(jì)出合理的散熱封裝結(jié)構(gòu)可以有效的提高產(chǎn)品性能，本文以常見(jiàn)BGA封裝結(jié)構(gòu)為例，采用ANSYS穩(wěn)態(tài)散熱對(duì)封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。雖然模型很簡(jiǎn)單，但是對(duì)于封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)很有幫助。
一、模型
BGA的模型主要有芯片，基板，EMC，焊球，粘結(jié)層等組成，在建模的時(shí)候，我省略了一部分。
二、因主要考慮穩(wěn)態(tài)的散熱問(wèn)題，計(jì)算量不大，因此可以采用全模型進(jìn)行分析。
三、對(duì)以上各層材料都賦予材料參數(shù)，熱導(dǎo)率可由材料供應(yīng)商出獲得；
四、熱源主要為芯片產(chǎn)生的熱，可以根據(jù)功率和芯片面積進(jìn)行換算。本例子中，芯片的熱生產(chǎn)率設(shè)定為0.075w/mm^2;
五、熱對(duì)流換熱系數(shù)設(shè)定為2e-4 w/(mm^2*K)
六、模型外面還會(huì)通過(guò)輻射進(jìn)行散熱，可以設(shè)定底部或者上部材料的黑度值為0.9；
七、環(huán)境溫度設(shè)置為22C；
八、計(jì)算的結(jié)果如下：
可以看出，在該工作功率下，芯片的溫升僅為31C。
展開(kāi) Ansys在芯片/封裝結(jié)構(gòu)熱力可靠性方案
封裝結(jié)構(gòu)的熱力可靠性方案
Influence of flip-chip attachment process on IC
Moisture Diffusion\Moisture Stress
Thermal Cycling\Thermal Stresses
Solder Joint Reliability
Shock Analysis
Drop Test
Crack Initiation and Crack Growth
Multi-physics Reliability
Warpage Analysis
Model import
Thermal
Stress
Stress and Strain Analysis of Solderball
Additional Solution for the fatigue performance of solderball
3DIC熱力設(shè)計(jì)解決方案
深圳市優(yōu)飛迪科技有限公司成立于2010年，是一家專注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)平臺(tái)解決方案與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)開(kāi)發(fā)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。
展開(kāi) Moldex3D模流分析之個(gè)別指定金線材料預(yù)測(cè)芯片封裝缺陷
常見(jiàn)的金線材料則包含金、銅、鋁等等，由于金線的管徑細(xì)小，因此金線缺陷往往是芯片封裝制程最重要的挑戰(zhàn)之一，而金線缺陷包括金線偏移、斷裂以及交叉。而為了確保良率及提升性能，封裝制程廣泛使用多種類的線料。以下將說(shuō)明如何透過(guò)Moldex3D IC封裝模塊，進(jìn)行多種金線材料定義的偏移分析。
金線材料設(shè)定
步驟1：在Moldex3D網(wǎng)格前處理，用戶可產(chǎn)生芯片組件實(shí)體網(wǎng)格并設(shè)定金線，接著檢查圖層：SRMI$為芯片封裝實(shí)體網(wǎng)格圖層，WL$PF1為金線圖層。
步驟2：點(diǎn)選 Wire Material Setting，并按照提示欄顯示的訊息操作。
選擇曲線后，按下Enter。使用者可命名并指定金線材料群組的顏色。
步驟3：輸出項(xiàng)目分析用網(wǎng)格檔，并開(kāi)啟Moldex3D Studio 建立新的項(xiàng)目。
步驟4：新增分析組別并指定不同群組的金線材料，并開(kāi)啟下拉選單并點(diǎn)選材料精靈，開(kāi)啟Moldex3D 材料精靈 。
挑選材料并以右鍵點(diǎn)選加入項(xiàng)目，點(diǎn)選所需材料后，關(guān)閉材料精靈。
用戶可下拉選取窗口個(gè)別指定金線的材料。
步驟5：確認(rèn)顯示窗口中的材料信息。
展開(kāi) FCBGA封裝的 CPU 芯片散熱性能影響因素研究
圖2 某FCBGA封裝CPU傳熱路徑
根據(jù)CPU的傳熱熱阻路徑可以得到如式(1)和式(2)所示的熱阻和溫差計(jì)算公式：
Tj-Ta=Q*(Rjc+Rcs+Rsa) (1)
Tj-Ta=ΔTjc+ΔTTIM2+ΔTheatsink (2)
其中，Tj表示芯片結(jié)溫,單位為℃；Tc(見(jiàn)圖2)表示芯片殼溫，單位為℃；Ts(見(jiàn)圖2)表示散熱器基板溫度，單位為℃；Ta 表示環(huán)境溫度，單位為℃；Q表示芯片功耗，單位為W；ΔTjc 表示芯片結(jié)殼溫差，單位為℃；ΔTTIM2 表示界面材料 TIM2的上下表面溫差，單位為℃；Theatsink表示散熱器基板和空氣的溫差，單位為℃；Rjc表示芯片結(jié)殼熱阻，單位為℃/W，主要由封裝結(jié)構(gòu)、材料屬性決定；Rcs表示接觸熱阻，單位為℃/W，主要由 TIM2的厚度、導(dǎo)熱系數(shù)及有效傳導(dǎo)面積決定；Rsa表示散熱器熱阻，單位為℃/W，主要由散熱器本身屬性決定。
由式(1)熱阻計(jì)算公式可知，當(dāng)環(huán)境溫度和芯片功耗一定時(shí)，芯片結(jié)到外界環(huán)境的熱阻越低，芯片的結(jié)溫就越小。而芯片結(jié)到環(huán)境的熱阻由結(jié)殼熱阻、接觸熱阻及散熱器熱阻三者之和組成，其中結(jié)殼熱阻為芯片內(nèi)部熱阻，接觸熱阻和散熱器熱阻為芯片外部熱阻。
本文以芯片內(nèi)部熱阻為研究目標(biāo)，通過(guò)芯片級(jí)熱仿真和控制變量法，分析芯片封裝結(jié)構(gòu)和材料參數(shù)對(duì)芯片散熱效率的影響，即對(duì)芯片結(jié)殼熱阻或溫度的影響。
03
某 CPU 封裝結(jié)構(gòu)及參數(shù)定義
本文以某國(guó)產(chǎn)CPU為研究對(duì)象，分析 CPU封裝各個(gè)部件的結(jié)構(gòu)尺寸和材料參數(shù)對(duì)芯片散熱的影響趨勢(shì)。圖3為該CPU 的封裝結(jié)構(gòu)圖。
展開(kāi) 
芯片制造的6個(gè)關(guān)鍵步驟--封裝技術(shù)：臺(tái)積電Chiplets和3D封裝技術(shù)詳解
科普|芯片制造的6個(gè)關(guān)鍵步驟
在智能手機(jī)等眾多數(shù)碼產(chǎn)品的更新迭代中，科技的改變悄然發(fā)生。蘋果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技術(shù)成為可能。這些芯片是如何被制造出來(lái)的，其中又有哪些關(guān)鍵步驟呢？
智能手機(jī)、個(gè)人電腦、游戲機(jī)這類現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)品的強(qiáng)大性能已無(wú)需贅言，而這些強(qiáng)大的性能大多源自于那些非常小卻又足夠復(fù)雜的科技產(chǎn)物——芯片。世界已被芯片所包圍：2020年，全世界共生產(chǎn)了超過(guò)一萬(wàn)億芯片，這相當(dāng)于地球上每人擁有并使用130顆芯片。然而即使如此，近期的芯片短缺依然表現(xiàn)出，這個(gè)數(shù)字還未達(dá)到上限。
盡管芯片已經(jīng)可以被如此大規(guī)模地生產(chǎn)出來(lái)，生產(chǎn)芯片卻并非易事。制造芯片的過(guò)程十分復(fù)雜，今天我們將會(huì)介紹六個(gè)最為關(guān)鍵的步驟：沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離子注入和封裝。
沉積
沉積步驟從晶圓開(kāi)始，晶圓是從99.99%的純硅圓柱體（也叫“硅錠”）上切下來(lái)的，并被打磨得極為光滑，然后再根據(jù)結(jié)構(gòu)需求將導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體材料薄膜沉積到晶圓上，以便能在上面印制第一層。這一重要步驟通常被稱為 "沉積"。
隨著芯片變得越來(lái)越小，在晶圓上印制圖案變得更加復(fù)雜。沉積、刻蝕和光刻技術(shù)的進(jìn)步是讓芯片不斷變小，從而推動(dòng)摩爾定律不斷延續(xù)的關(guān)鍵。這包括使用新的材料讓沉積過(guò)程變得更為精準(zhǔn)的創(chuàng)新技術(shù)。
光刻膠涂覆
晶圓隨后會(huì)被涂覆光敏材料“光刻膠”（也叫“光阻”）。
展開(kāi) 2024電子封裝測(cè)試展|2024上海電子封裝測(cè)試展_技術(shù)_材料
</div><div contenteditable="false" width="100%">參展范圍</div><div contenteditable="false" width="100%">一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環(huán)氧樹(shù)脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設(shè)備及先進(jìn)制造技術(shù)、電子封裝測(cè)試技術(shù)設(shè)備、電子燒結(jié)相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進(jìn)封裝與系統(tǒng)集成: 球柵陣列封裝、芯片級(jí)封裝、倒裝芯片、晶圓級(jí)封裝、三維集成及其它各種先進(jìn)的封裝和系統(tǒng)集成技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導(dǎo)電膠等互連材料;芯片下填料、粘結(jié)劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導(dǎo)熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;</div><div contenteditable="false" width="100%">以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；</div><div contenteditable="false" width="100%">四、封裝設(shè)計(jì)與模擬: 各種新的封裝/組裝設(shè)計(jì)；電子封裝的電、熱、光和機(jī)械特性建模、模擬和驗(yàn)證方法;多尺度和多物理量建模等;</div><div contenteditable="false" width="100%">五、新興領(lǐng)域封裝: 傳感器、執(zhí)行器、微機(jī)電系統(tǒng)、納機(jī)電系統(tǒng)、微光機(jī)電系統(tǒng)的封裝技術(shù);光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術(shù)在液晶顯示，無(wú)源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領(lǐng)域的應(yīng)用等；</div><div contenteditable="false" width="100%"
展開(kāi) 芯片反擊開(kāi)始了！官媒正式發(fā)聲：中國(guó)用芯片封裝技術(shù)繞過(guò)美禁令
芯片性能隨著制程的不斷提升而逐步放緩，到了4nm，3nm工藝，進(jìn)一步突破摩爾定律極限，外界以為芯片性能可以呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，可是性能提升的幅度并沒(méi)有超出預(yù)期，而且伴隨而來(lái)的是功耗問(wèn)題。另外美國(guó)芯片規(guī)則的存在，讓國(guó)產(chǎn)芯片需要做更多的努力。
一、芯片封裝的反擊
芯片是一個(gè)復(fù)雜的集成電路元器件，一顆指甲蓋大小的芯片，采用了高端先進(jìn)的5nm，4nm制程技術(shù)可以，可以容納上百根晶體管。晶體管越多，計(jì)算能力越強(qiáng)，也意味著更強(qiáng)大的性能水準(zhǔn)。在傳統(tǒng)的芯片制造產(chǎn)業(yè)中，提升芯片性能的方式有很多。要么是從供應(yīng)鏈入手，由ASML提供更好的光刻機(jī)設(shè)備產(chǎn)品，要么是從芯片制造商作為切入點(diǎn)，提高芯片制程。
不過(guò)這些方法都離不開(kāi)多方的協(xié)同配合，即便芯片制造商解決了制程問(wèn)題，探索出更先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，如果沒(méi)有半導(dǎo)體設(shè)備，材料供應(yīng)商的配合，也很難完成芯片生產(chǎn)，更別說(shuō)提高芯片性能了。
但眼下國(guó)產(chǎn)芯片需要解決的不僅僅是提升芯片性能問(wèn)題，還得確保芯片產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)進(jìn)步。從國(guó)產(chǎn)化28nm到14nm，甚至更先進(jìn)的制程技術(shù)，都有待長(zhǎng)期探索。只是美國(guó)制定了芯片規(guī)則，在獲取一些頂級(jí)的EUV光刻機(jī)設(shè)備方面有一定的變數(shù)。
所以該如何讓芯片在沒(méi)有EUV光刻機(jī)的參與下，還能取得更大的性能突破嗎？有官媒正式發(fā)聲，指出芯片封裝技術(shù)可以繞過(guò)美禁令。
按此所說(shuō)，封裝技術(shù)會(huì)作為芯片反擊的方式，那么什么是芯片封裝技術(shù)呢？芯片封裝是芯片制造的后端產(chǎn)業(yè)，一顆芯片會(huì)經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，制造以及封裝等環(huán)節(jié)。而封裝環(huán)節(jié)需要將制造好的芯片用特殊的封裝技術(shù)，固定在集成電路芯片所用的外殼，讓芯片能夠和其它電子元器件連接。傳統(tǒng)的封裝工藝主要采用2D封裝，但隨著芯片制造技術(shù)的加強(qiáng)，也漸漸發(fā)展到2.5D以及3D封裝。
在這些封裝技術(shù)中，根據(jù)客戶的需求，掌握封裝能力的廠商，會(huì)采用不同的封裝工藝。
展開(kāi) 2024電子封裝測(cè)試展|2024上海電子封裝測(cè)試展_技術(shù)_材料_展
</div><div contenteditable="false" width="100%">參展范圍</div><div contenteditable="false" width="100%">一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環(huán)氧樹(shù)脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設(shè)備及先進(jìn)制造技術(shù)、電子封裝測(cè)試技術(shù)設(shè)備、電子燒結(jié)相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進(jìn)封裝與系統(tǒng)集成: 球柵陣列封裝、芯片級(jí)封裝、倒裝芯片、晶圓級(jí)封裝、三維集成及其它各種先進(jìn)的封裝和系統(tǒng)集成技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導(dǎo)電膠等互連材料;芯片下填料、粘結(jié)劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導(dǎo)熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;</div><div contenteditable="false" width="100%">以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；</div><div contenteditable="false" width="100%">四、封裝設(shè)計(jì)與模擬: 各種新的封裝/組裝設(shè)計(jì)；電子封裝的電、熱、光和機(jī)械特性建模、模擬和驗(yàn)證方法;多尺度和多物理量建模等;</div><div contenteditable="false" width="100%">五、新興領(lǐng)域封裝: 傳感器、執(zhí)行器、微機(jī)電系統(tǒng)、納機(jī)電系統(tǒng)、微光機(jī)電系統(tǒng)的封裝技術(shù);光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術(shù)在液晶顯示，無(wú)源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領(lǐng)域的應(yīng)用等；</div><div contenteditable="false" width="100%"
展開(kāi) 點(diǎn)陣數(shù)碼管顯示芯片超小封裝數(shù)顯驅(qū)動(dòng)芯片VK1Q60
產(chǎn)品品牌：永嘉微電/VINKA
產(chǎn)品型號(hào)：VK1Q60
封裝形式：QFN16L
概述
VK1Q60是一種帶鍵盤掃描電路接口的 LED 驅(qū)動(dòng)控制專用芯片，內(nèi)部集成有數(shù)據(jù)鎖存器、LED 驅(qū)動(dòng)、鍵盤掃描等電路。SEG腳接LED陽(yáng)極，GRID腳接LED陰極，可支持8SEGx4GRID的點(diǎn)陣LED顯示。最大支持7x4按鍵。本芯片性能穩(wěn)定質(zhì)量可靠，抗干擾能力強(qiáng)，適用于24小時(shí)長(zhǎng)期連續(xù)工作的應(yīng)用場(chǎng)合。采用QFN16L的封裝形式。
ANSYS和TSMC攜手助力芯片制造商設(shè)計(jì)尖端多晶片芯片-封裝系統(tǒng)
為滿足這些日益增長(zhǎng)的需求，ANSYS和TSMC正通力合作，以改進(jìn)并交付支持TSMC晶圓級(jí)集成型InFO封裝技術(shù)的、最綜合全面的設(shè)計(jì)解決方案套件。
通過(guò)ANSYS和TSMC的合作，ANSYS解決方案現(xiàn)在能夠?qū)崿F(xiàn)各種多晶片分析，包括抽取、功率和可靠性、信號(hào)和電源完整性、熱以及電磁干擾等。該設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)方案讓移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)制造商能夠充分利用ANSYS經(jīng)過(guò)全面驗(yàn)證的集成型電路和封裝級(jí)解決方案，從而打造更纖薄、更低成本、更高可靠性的尖端移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。
ANSYS總經(jīng)理John Lee指出：“我們與TSMC的合作，有助于在市場(chǎng)上推出面向InFO封裝技術(shù)的、經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的綜合電源信號(hào)完整性和可靠性解決方案。ANSYS的同類最佳工程仿真解決方案幫助我們的共同客戶積極創(chuàng)新，在移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域超越芯片向封裝和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)發(fā)展。”
TSMC基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)市場(chǎng)營(yíng)銷部門高級(jí)總監(jiān)Suk Lee指出：“通過(guò)雙方的緊密合作，我們能夠充分滿足InFO技術(shù)領(lǐng)域的可靠性和電源完整性設(shè)計(jì)要求。此次實(shí)現(xiàn)的ANSYS解決方案能夠幫助客戶在整個(gè)芯片、封裝和系統(tǒng)上分析并設(shè)計(jì)可靠的供電網(wǎng)絡(luò)。”
關(guān)于ANSYS, Inc.
作為全球工程仿真領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，ANSYS在眾多產(chǎn)品的創(chuàng)造過(guò)程中都扮演著至關(guān)重要的角色。無(wú)論是火箭發(fā)射、飛機(jī)翱翔長(zhǎng)空、汽車高速馳騁、電腦和移動(dòng)設(shè)備的便捷使用、橋梁虹跨江河還是可穿戴產(chǎn)品的貼心使用，ANSYS技術(shù)都盡顯卓越。我們幫助全球最具創(chuàng)新性的企業(yè)推出投其客戶所好的出色產(chǎn)品，通過(guò)業(yè)界性能最佳、最豐富的工程仿真軟件產(chǎn)品組合幫助客戶解決最復(fù)雜的仿真難題，我們讓工程產(chǎn)品充分發(fā)揮想象的力量。歡迎與我們?nèi)?5個(gè)戰(zhàn)略部門的近3000名專業(yè)人士合作，共同在工程仿真和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)領(lǐng)域彰顯非凡！
展開(kāi) 超小封裝數(shù)顯芯片/點(diǎn)陣LED驅(qū)動(dòng)芯片VK1Q60 QFN16L，適用于冰箱LED驅(qū)動(dòng)
產(chǎn)品品牌：永嘉微電/VINKA
產(chǎn)品型號(hào)：VK1Q60
封裝形式：QFN16L
概述
VK1Q60是一種帶鍵盤掃描電路接口的 LED 驅(qū)動(dòng)控制專用芯片，內(nèi)部集成有數(shù)據(jù)鎖存 器、LED 驅(qū)動(dòng)、鍵盤掃描等電路。SEG腳接LED陽(yáng)極，GRID腳接LED陰極，可支持 8SEGx4GRID的點(diǎn)陣LED顯示。最大支持7x4按鍵。本芯片性能穩(wěn)定質(zhì)量可靠，抗干擾能力 強(qiáng)，適用于24小時(shí)長(zhǎng)期連續(xù)工作的應(yīng)用場(chǎng)合。采用QFN16L的封裝形式。
IC芯片封裝測(cè)試工藝流程
Introduction of IC AssemblyProcess
IC封裝工藝簡(jiǎn)介
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芯片封裝測(cè)試流程詳解
來(lái)源：今日半導(dǎo)體
芯片封裝熱仿真詳解
本文來(lái)給大家講一講封裝級(jí)熱仿真的方法以及需要注意的問(wèn)題。芯片封裝熱仿真之所以重要，主要有以下兩個(gè)原因。
首先，在一個(gè)大外形、大功率芯片（例如片上系統(tǒng) SoC）設(shè)計(jì)中，如果不考慮散熱問(wèn)題，則很可能在以后會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，導(dǎo)致其無(wú)論從成本、尺寸、重量還是性能方面來(lái)看，均不能稱為理想的封裝解決方案。
其次，雖然在以往的IC設(shè)計(jì)中都已考慮到芯片溫度要均勻，但是在許多情況下，這已不再是一個(gè)有效的假設(shè)了。電流泄漏導(dǎo)致的發(fā)熱使功率耗散不均勻，加上使用更薄的芯片（現(xiàn)在已小于 50μm），更是降低了芯片自身的熱擴(kuò)散能力。這兩種原因使得芯片上溫度變化更大。
設(shè)計(jì)三維疊層集成電路等多晶粒芯片時(shí)，芯片封裝熱仿真設(shè)計(jì)就顯得必不可少。熱傳遞是高度的三維現(xiàn)象，封裝溫度的分布會(huì)影響芯片上的溫度分布。
本文以SOP封裝為例，介紹使用Flotherm對(duì)芯片封裝進(jìn)行熱仿真分析及優(yōu)化的流程。仿真目標(biāo)是確定保證芯片結(jié)溫低于150℃且熱量能夠正常耗散的最大功耗值。SOP封裝的尺寸如下圖所示。
SOP封裝在PCB板上的安裝形式及測(cè)溫點(diǎn)的位置如下圖所示。分別對(duì)沒(méi)有散熱器和有散熱器兩種情況進(jìn)行仿真，在有散熱器的情況下在PCB板和散熱器基板之間有導(dǎo)熱膠進(jìn)行連接。
仿真使用的PCB板為59x61mm的6層板，假設(shè)每層的覆銅率在每層內(nèi)分布是均勻的。基于該假設(shè)，根據(jù)每層的覆銅率計(jì)算該層的熱傳導(dǎo)系數(shù)，如下表。
首先，對(duì)沒(méi)有安裝散熱器的情況進(jìn)行仿真，封裝安裝在板的主面，copper slug焊接在板子上，環(huán)境溫度為85℃。下圖為仿真結(jié)果。仿真熱耗為2w，die attach的熱導(dǎo)率為1.6W/mK。如果把die attach換成導(dǎo)熱性能更好的材料（熱導(dǎo)率為50W/Mk），結(jié)殼熱阻值會(huì)有明顯的降低，由6.61℃/W降低到1.12℃/W。
展開(kāi) Moldex3D芯片封裝壓縮成型模塊
目前壓縮成型模塊支持芯片壓縮成型、嵌入式芯片級(jí)封裝(EWLP)、非流動(dòng)性底部填膠（NFU）和非導(dǎo)電熔膠（NCP）四種類型，并分析壓縮力對(duì)于堆棧式芯片及基板上的影響。而此制程方式主要優(yōu)點(diǎn)是可以批量生產(chǎn)芯片和降低成本。
挑戰(zhàn)
如何降低接合高度、翹曲、與晶粒偏移
測(cè)試與實(shí)際封裝價(jià)格昂貴
高填充物濃度增加會(huì)影響?zhàn)ざ扰c流動(dòng)行為
Moldex3D 解決方案
可視化壓縮成型覆晶封裝的充填行為
可評(píng)估壓縮成型過(guò)程中預(yù)填料受到壓縮的變化
可支持金線偏移與粒子追蹤模擬分析
可預(yù)測(cè)粉末濃度分布
可視化預(yù)估芯片偏移和剪切應(yīng)力分布
應(yīng)用產(chǎn)業(yè)
IC Packaging芯片封裝產(chǎn)業(yè)
Moldex3D建議產(chǎn)品
Moldex3D Advanced Package
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