半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2022-01-05
半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的實(shí)例教程
中微公司的介質(zhì)刻蝕機(jī)主要供應(yīng)國(guó)內(nèi)晶圓產(chǎn)線和存儲(chǔ)產(chǎn)線，整體占比15%，若單算介質(zhì)刻蝕的市場(chǎng)份額，中微公司達(dá)到25%的水平。近年來(lái)中微公司在介質(zhì)刻蝕設(shè)備的突破顯著，目前也已經(jīng)打入臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)線。
整體看，由于刻蝕機(jī)工藝技術(shù)壁壘較高，尤其是先進(jìn)制程設(shè)備下游客戶要求較高，相關(guān)核心技術(shù)僅有少數(shù)廠商突破，并且在技術(shù)持續(xù)更替中，沒(méi)有能力持續(xù)研發(fā)的企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力逐漸下降，導(dǎo)致份額逐步壓縮，最終僅有頭部企業(yè)參與競(jìng)爭(zhēng)，形成寡頭壟斷格局。我國(guó)企業(yè)中微公司在國(guó)家大力扶持以及公司不斷研發(fā)投入，在我國(guó)刻蝕機(jī)市場(chǎng)份額不斷增長(zhǎng)，已經(jīng)僅次于LAM Research。
半導(dǎo)體
刻蝕設(shè)備有望率先完成國(guó)產(chǎn)替代
國(guó)內(nèi)設(shè)備最成熟領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)替代率較高
目前來(lái)看，刻蝕機(jī)尤其是介質(zhì)刻蝕機(jī)，是我國(guó)最具優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，也是國(guó)產(chǎn)替代占比最高的重要半導(dǎo)體設(shè)備之一。根據(jù)IC Insights等的相關(guān)數(shù)據(jù)，目前我國(guó)主流設(shè)備中，去膠設(shè)備、刻蝕設(shè)備、熱處理設(shè)備、清洗設(shè)備等的國(guó)產(chǎn)化率均已經(jīng)達(dá)到20%以上。而這之中市場(chǎng)規(guī)模最大的則要數(shù)刻蝕設(shè)備。我國(guó)目前在刻蝕設(shè)備商代表公司為中微公司、北方華創(chuàng)以及屹唐半導(dǎo)體。
展開(kāi) 在臺(tái)積電宣布明年將進(jìn)行5納米制程試產(chǎn)、預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)的同時(shí)，國(guó)產(chǎn)設(shè)備亦傳來(lái)好消息。日前上觀新聞報(bào)道，中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。
據(jù)了解，在晶圓制造眾多環(huán)節(jié)中，薄膜沉積、光刻和刻蝕是三個(gè)核心環(huán)節(jié)，三種設(shè)備合計(jì)可占晶圓制造生產(chǎn)線設(shè)備投資總額的50%~70%，其中刻蝕技術(shù)高低直接決定了芯片制程的大小，并且在成本上僅次于光刻。而5納米相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑（約為0.1毫米）的二萬(wàn)分之一，方寸間近乎極限的操作對(duì)刻蝕機(jī)的控制精度提出超高要求。
雖然我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在設(shè)備領(lǐng)域整體落后，但刻蝕機(jī)方面已在國(guó)際取得一席之地，中微半導(dǎo)體成績(jī)尤為突出。
中微半導(dǎo)體是中國(guó)大陸首屈一指的集成電路設(shè)備廠商，2004年由尹志堯博士與杜志游博士、倪圖強(qiáng)博士、麥?zhǔn)肆x博士等40多位半導(dǎo)體設(shè)備專家創(chuàng)辦，主要深耕集成刻蝕機(jī)領(lǐng)域，研制出中國(guó)大陸第一臺(tái)電介質(zhì)刻蝕機(jī)。
目前，中微半導(dǎo)體的介質(zhì)刻蝕設(shè)備、硅通孔刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備等均已成功進(jìn)入海內(nèi)外重要客戶供應(yīng)體系。截至2017年底，已有620多個(gè)中微半導(dǎo)體生產(chǎn)的刻蝕反應(yīng)臺(tái)運(yùn)行在海內(nèi)外39條先進(jìn)生產(chǎn)線上。
在目前全球可量產(chǎn)的最先進(jìn)晶圓制造7納米生產(chǎn)線上，中微半導(dǎo)體是被驗(yàn)證合格、實(shí)現(xiàn)銷售的全球五大刻蝕設(shè)備供應(yīng)商之一，與泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)為7納米芯片生產(chǎn)線供應(yīng)刻蝕機(jī)。
作為臺(tái)積電長(zhǎng)期穩(wěn)定的設(shè)備供應(yīng)商，據(jù)悉中微半導(dǎo)體在臺(tái)積電量產(chǎn)28納米制程時(shí)兩者就已開(kāi)始合作并一直延續(xù)至如今，這次5納米生產(chǎn)線將再次采用中微半導(dǎo)體的刻蝕設(shè)備，足見(jiàn)臺(tái)積電對(duì)中微半導(dǎo)體技術(shù)的認(rèn)可，可謂突破了“卡脖子”技術(shù)，讓國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)躋身國(guó)際第一梯隊(duì)。
展開(kāi) 屹唐半導(dǎo)體
屹唐半導(dǎo)體產(chǎn)品包括干法刻蝕設(shè)備paradigmE系列，可用于65nm到5nm邏輯芯片、10nm系列DRAM芯片以及32層到128層閃存芯片制造中若干關(guān)鍵步驟的大規(guī)模量產(chǎn)。
參考資料：
1.半導(dǎo)體刻蝕機(jī)研究框架
2.半導(dǎo)體設(shè)備系列：刻蝕主賽道，有望加速導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)設(shè)備
而這其中市場(chǎng)規(guī)模最大的就是刻蝕設(shè)備，代表廠商為中微公司、北方華創(chuàng)，以及屹唐半導(dǎo)體。
中微半導(dǎo)體在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域較強(qiáng)，其產(chǎn)品已在包括臺(tái)積電，SK海力士、中芯國(guó)際等廠商的20多條生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。該公司5nm等離子體蝕刻機(jī)已通過(guò)臺(tái)積電驗(yàn)證，已用于全球首條5nm工藝生產(chǎn)線。中微半導(dǎo)體還切入了TSV硅通孔刻蝕和金屬硬掩膜刻蝕領(lǐng)域。
北方華創(chuàng)在硅刻蝕和金屬刻蝕領(lǐng)域較強(qiáng)，其55nm/65nm硅刻蝕機(jī)已成為中芯國(guó)際主力設(shè)備，該公司的28nm硅刻蝕機(jī)也已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，14nm硅刻蝕機(jī)正在產(chǎn)線驗(yàn)證中，金屬硬掩膜刻蝕機(jī)則攻破了28nm-14nm制程。
同行業(yè)技術(shù)比較
中微公司在研項(xiàng)目
北方華創(chuàng)刻蝕機(jī)產(chǎn)品
總而言之，在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，刻蝕機(jī)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程還是比較快的，但是，7nm刻蝕機(jī)的成功并不意味著國(guó)產(chǎn)7nm芯片可實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)。因?yàn)?em>刻蝕的前一道工序——光刻，其國(guó)產(chǎn)設(shè)備目前還處于卡脖子狀態(tài)。因此，想要打造一個(gè)全制程國(guó)產(chǎn)化的 “中國(guó)芯”，各個(gè)工藝生產(chǎn)設(shè)備的齊頭并進(jìn)尤為重要。
參考來(lái)源：
1. 刻蝕機(jī)揭秘...，電子報(bào)
2. 國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備后發(fā)趕超，這些廠商功不可沒(méi)！國(guó)際電子商情
3. 刻蝕的概念，功率半導(dǎo)體那些事兒
4.
展開(kāi) 在中國(guó)市場(chǎng)，介質(zhì)刻蝕機(jī)是我國(guó)最具優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體設(shè)備，目前，我國(guó)主流設(shè)備中，去膠設(shè)備、刻蝕設(shè)備、熱處理設(shè)備、清洗設(shè)備等的國(guó)產(chǎn)化率均已經(jīng)達(dá)到20%以上。而這其中市場(chǎng)規(guī)模最大的就是刻蝕設(shè)備，代表廠商為中微公司、北方華創(chuàng)，以及屹唐半導(dǎo)體。
中微半導(dǎo)體在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域較強(qiáng)，其產(chǎn)品已在包括臺(tái)積電，SK海力士、中芯國(guó)際等廠商的20多條生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。該公司5nm等離子體蝕刻機(jī)已通過(guò)臺(tái)積電驗(yàn)證，已用于全球首條5nm工藝生產(chǎn)線。中微半導(dǎo)體還切入了TSV硅通孔刻蝕和金屬硬掩膜刻蝕領(lǐng)域。
北方華創(chuàng)在硅刻蝕和金屬刻蝕領(lǐng)域較強(qiáng)，其55nm/65nm硅刻蝕機(jī)已成為中芯國(guó)際主力設(shè)備，該公司的28nm硅刻蝕機(jī)也已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，14nm硅刻蝕機(jī)正在產(chǎn)線驗(yàn)證中，金屬硬掩膜刻蝕機(jī)則攻破了28nm-14nm制程。
同行業(yè)技術(shù)比較
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北方華創(chuàng)刻蝕機(jī)產(chǎn)品
總而言之，在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，刻蝕機(jī)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程還是比較快的，但是，7nm刻蝕機(jī)的成功并不意味著國(guó)產(chǎn)7nm芯片可實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)。因?yàn)?em>刻蝕的前一道工序——光刻，其國(guó)產(chǎn)設(shè)備目前還處于卡脖子狀態(tài)。因此，想要打造一個(gè)全制程國(guó)產(chǎn)化的 “中國(guó)芯”，各個(gè)工藝生產(chǎn)設(shè)備的齊頭并進(jìn)尤為重要。
參考來(lái)源：
1. 刻蝕機(jī)揭秘...，電子報(bào)
2. 國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備后發(fā)趕超，這些廠商功不可沒(méi)！國(guó)際電子商情
3. 刻蝕的概念，功率半導(dǎo)體那些事兒
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，半導(dǎo)體產(chǎn)品包含刻蝕、涂膠顯影和清洗等設(shè)備。
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主營(yíng)業(yè)務(wù)包含半導(dǎo)體、平板顯示和印刷電路板制造設(shè)備，半導(dǎo)體產(chǎn)品包含刻蝕、涂膠顯影和清洗等設(shè)備。
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主營(yíng)業(yè)務(wù)包含半導(dǎo)體、平板顯示和印刷電路板制造設(shè)備，半導(dǎo)體產(chǎn)品包含刻蝕、涂膠顯影和清洗等設(shè)備。1H'22半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收同比增長(zhǎng)10.6%，環(huán)比下降11.4%。
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來(lái)源：半導(dǎo)體工藝與設(shè)備
一，刻蝕設(shè)備
參考資料：
1.半導(dǎo)體刻蝕機(jī)研究框架
2.半導(dǎo)體設(shè)備系列：刻蝕主賽道，有望加速導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)設(shè)備
來(lái)源：成都矽能科技
一，刻蝕設(shè)備：半導(dǎo)體制造工藝的核心設(shè)備之一
作為大部分的電子產(chǎn)品中的核心單元主要材料
