偏光顯微鏡
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2026-01-05
偏光顯微鏡的視頻教程
小波分析和MATLAB程序詳解視頻與科研顯微鏡
【內(nèi)容簡(jiǎn)介】《第二版小波分析與應(yīng)用和MATLAB程序詳解視頻》（因?yàn)橐曨l中含有QQ號(hào)碼，在淘寶網(wǎng)上被下架了）共9章58節(jié)視頻，總學(xué)時(shí)1272分鐘，合21.2小時(shí)。主要內(nèi)容包括：傅里葉變換提升到小波分析及小波函數(shù)等基本概念，一維和二維離散小波變換等命令的功能及語(yǔ)法，靜態(tài)離散小波變換等命令的功能及語(yǔ)法，小波包分解及最優(yōu)小波樹(shù)等概念與降噪應(yīng)用，小波分析在一維信號(hào)降噪方面的應(yīng)用問(wèn)題，小波分析在圖像降噪與壓縮及紋理增強(qiáng)等方面的應(yīng)用問(wèn)題
￥250 3小時(shí)26分鐘 911播放
查看
偏光顯微鏡的實(shí)例教程
但是無(wú)法確認(rèn)其形貌是否為纖維狀，因此需要采用偏光分散顯微鏡或者掃描電子顯微鏡進(jìn)行確認(rèn)，通過(guò)這兩種設(shè)備結(jié)合分析，有效解決產(chǎn)品中石棉含量檢測(cè)的問(wèn)題。
圖2 XRD石棉匹配圖
0
4
石棉檢測(cè)設(shè)備
國(guó)高材分析測(cè)試中心擁有多年石棉檢測(cè)的測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，且具備多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的CMA、CNAS資質(zhì)。
X射線衍射儀
國(guó)高材分析測(cè)試中心的X-射線衍射儀可完成常規(guī)XRD對(duì)晶態(tài)材料物相定性與定量分析、確定材料的晶系、結(jié)晶化與畸變程度，以及晶態(tài)材料、二次電池元器件進(jìn)行原位高低溫、充放電、特殊氣氛等條件下的晶體結(jié)構(gòu)測(cè)試及分析
材料高溫測(cè)試：室溫～+1600℃。
電池原位測(cè)試：低溫測(cè)試（-40℃～室溫）、中溫測(cè)試（室溫～+100℃）、鋰空電池測(cè)試等。
高低溫?zé)崤_(tái)偏光顯微鏡
國(guó)高材分析測(cè)試中心的高低溫?zé)崤_(tái)偏光顯微鏡，結(jié)合了偏光顯微鏡和溫度控制技術(shù)，使得研究人員能夠在升高的溫度下觀察和分析樣品的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。
加熱速率：0.01-150 ℃/min
制冷速率：0.01-50 ℃/min
溫度范圍：-190到600 ℃
目鏡：10倍
物鏡：5 X螢石偏光專(zhuān)用物鏡、10 X螢石偏光專(zhuān)用物鏡 、20 X偏光專(zhuān)用物鏡、50X偏光專(zhuān)用物鏡、10 X DS石棉色散染色專(zhuān)用物鏡、40 X DS石棉色散染色專(zhuān)用物鏡
展開(kāi) 奧林巴斯BX53-P偏光顯微鏡專(zhuān)為高精度偏振光觀測(cè)而打造，集成UIS2無(wú)窮遠(yuǎn)校正光學(xué)系統(tǒng)與低應(yīng)力光學(xué)元件，在工業(yè)材料分析領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越性能。該系統(tǒng)適用于晶體結(jié)構(gòu)、復(fù)合材料、礦物薄片及其他各向異性樣品的觀察與定量評(píng)估。
奧林巴斯光學(xué)顯微鏡：https://industrial.evidentscientific.com.cn/zh/microscope/opt/
產(chǎn)品鏈接：https://industrial.evidentscientific.com.cn/zh/microscope/bx53-p/
其核心優(yōu)勢(shì)在于高度穩(wěn)定的光學(xué)路徑設(shè)計(jì)。即便在引入檢偏器、補(bǔ)償器或波片等偏振組件時(shí)，UIS2架構(gòu)仍能維持成像質(zhì)量無(wú)衰減，并有效消除附加元件引起的放大倍率偏差，從而保障從基礎(chǔ)觀測(cè)到復(fù)雜干涉圖分析的一致性與準(zhǔn)確性。此外，系統(tǒng)兼容BX3系列中間附件及各類(lèi)工業(yè)相機(jī)與數(shù)字成像設(shè)備，便于無(wú)縫集成至自動(dòng)化檢測(cè)流程中。
BX53-P配備可調(diào)焦Bertrand透鏡，支持明場(chǎng)（orthoscopic）與錐光（conoscopic）模式快速切換，清晰呈現(xiàn)后焦面干涉圖樣。配合視場(chǎng)光闌優(yōu)化，可穩(wěn)定獲取高對(duì)比度錐光圖像，滿足對(duì)晶體取向及雙折射特性的精細(xì)解析需求。
為提升測(cè)量靈活性，系統(tǒng)提供六種補(bǔ)償器選項(xiàng)，延遲量程覆蓋0至20λ（約11000 nm）。其中，Berek與Senarmont補(bǔ)償器支持全視場(chǎng)內(nèi)連續(xù)調(diào)節(jié)延遲值，適用于高對(duì)比成像與精確雙折射量化；Brace-Koehler系列則針對(duì)微弱雙折射信號(hào)提供亞納米級(jí)靈敏度。搭配546 nm干涉濾光片使用，可進(jìn)一步提升測(cè)量重復(fù)性與精度。
機(jī)械結(jié)構(gòu)方面，BX53-P搭載高精度旋轉(zhuǎn)載物臺(tái)，內(nèi)置45°定位卡位及中心調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，確保樣品旋轉(zhuǎn)過(guò)程平穩(wěn)精準(zhǔn)。
展開(kāi) 【圖文導(dǎo)讀】
圖一：傳統(tǒng)涂布法與通道限制的彎液面自組裝法的對(duì)比
(a, b) 傳統(tǒng)涂布法生長(zhǎng)有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列的示意圖及得到陣列的偏光顯微鏡照片。傳統(tǒng)涂布法中彎液面的尺寸非常大，因此其前端會(huì)出現(xiàn)尺寸和取向不一致的成核點(diǎn)，這就造成了得到的陣列中晶體與晶體間取向和形貌不一致，表現(xiàn)為偏光顯微鏡中晶體的明暗差異。
(c) 通道限制的彎液面自組裝法的示意圖。圖中可以發(fā)現(xiàn)當(dāng)用微米尺度的光刻膠通道時(shí)，彎液面的尺寸減小為微米級(jí)而其前端只有百納米級(jí)，只能形成一個(gè)晶核，所以得到的晶體的取向和形貌就會(huì)變的一致。
(d) 計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)仿真結(jié)果證實(shí)了微米尺度的光刻膠通道可以有效地減少?gòu)澮好媲岸说某叽纭?(e) 通道內(nèi)彎液面的顯微鏡照片及其示意圖。
(f) 求解Navier-Stokes方程得出彎液面中前端對(duì)流速度最大。表明前端會(huì)優(yōu)先聚集有機(jī)分子提前達(dá)到過(guò)飽和態(tài)，所以在此處優(yōu)先成核、結(jié)晶。
圖二：利用通道限制的彎液面自組裝法制備晶圓級(jí)有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列
(a) 晶圓級(jí)有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列生長(zhǎng)的示意圖。
(b) 2英寸晶圓上的有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列的實(shí)物照片。
(c) 晶圓上有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列的偏光顯微鏡照片。
(d) 有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列的SEM照片。
(e) 有機(jī)半導(dǎo)體單晶的AFM表征結(jié)果。
(f) 2英寸晶圓上的有機(jī)半導(dǎo)體單晶寬度和厚度的統(tǒng)計(jì)。
圖三：有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列晶體質(zhì)量的表征
(a-c) 有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列的同步輻射掠入射X射線衍射表征結(jié)果。
(d, e) 基底不同區(qū)域有機(jī)半導(dǎo)體單晶的TEM表征結(jié)果。
展開(kāi) 經(jīng)過(guò)粉末X-射線衍射、偏光顯微鏡、選區(qū)電子衍射等表征，證明了毫米級(jí)別的超薄TFT-CN晶體為一整塊單晶并且沒(méi)明顯有晶界的存在。以TFT-CN二維有機(jī)單晶同時(shí)作為吸光層和導(dǎo)電溝道制備而成的有機(jī)近紅外光電晶體管顯示出了非常優(yōu)異的性能。晶體管的場(chǎng)效應(yīng)電子遷移率最高為1.36 cm2 V-1s-1，平均為1.04 cm2 V-1s-1，開(kāi)關(guān)比可達(dá)108。與此同時(shí)，光電晶體管在830 nm近紅外激光下的響應(yīng)度（R）和外量子效率（EQE）非常高，分別為9×104 A W-1和4×106 %。更重要的是，通過(guò)與較厚的微納晶進(jìn)行對(duì)比，基于二維單晶的近紅外光電晶體管在閾值電壓附近操作時(shí)顯示出了超過(guò)6×1014 Jones的超高探測(cè)度（D*）和更低的暗電流（0.1 pA）。這也說(shuō)明了這種高敏感的二維單晶有機(jī)近紅外光電晶體管有著巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值。
研究成果以題為“N-type Two-dimensional Organic Single Crystals for High Performance Organic Field-effect Transistors and Near-Infrared Phototransistors”發(fā)布在國(guó)際著名期刊Advanced Materials上，并被選為Frontispiece，第一作者為天津大學(xué)理學(xué)院博士生王聰。
【圖文導(dǎo)讀】
圖1. TFT-CN二維單晶的光學(xué)顯微鏡表征
a)TFT-CN二維單晶的光學(xué)顯微鏡照片；（b-d）TFT-CN二維單晶的偏光顯微鏡照片，顏色的均一變化證明了整個(gè)單晶取向相同沒(méi)有晶界。
圖2. TFT-CN二維單晶的晶體堆積方式的表征。
展開(kāi) 透射電子顯微鏡（TEM）和同步輻射小角X射線衍射（Syn-SAXS）表征單相的BPI和BPII。 a1, b1 用十字交叉的反射模式偏光顯微鏡觀察的織構(gòu)。黃色圓圈顯示出單相區(qū)域。a1和b1中的插圖顯示出單相BPII和BPI的立方晶胞排列。a2, a3 BPII的TEM圖，b2, b3 BPI的TEM圖。a4, b4 單疇BPII{100}和BPI{110}扣除背景的Syn-SAXS圖。
圖3. TEM和Syn-SAXS表征Stage IV中核殼結(jié)構(gòu)的BPII/BPI，BPIII/BPI，和BPIII/BPII晶界。a1 用十字交叉的反射模式偏光顯微鏡觀察的織構(gòu)。黃色圓圈顯示出核殼結(jié)構(gòu)的界面區(qū)域。A1,b2,c2 的插圖是立方晶胞在BPIII，BPII和BPI邊界的排列。a2, a3 BPI{110}和BPII{100}界面的TEM圖；b1, b2 BPI{110}和BPIII界面的TEM圖；c1, c2 BPII{100}和BPIII界面的TEM圖；a2, b2和c2中的插圖顯示出BPIII, BPII和BPI界面的立方晶胞排列。a4單疇BPII{100}和BPI{110}混合相扣除背景的Syn-SAXS圖。“BPII/I”指代BPII和BPI的混合相。BPI和BPII的晶格是共格的，一個(gè)DTC可以同時(shí)存在于BPI和BPII的原胞中，證明DTC在相變過(guò)程中經(jīng)歷了一個(gè)非擴(kuò)散的重新排列。另外，一個(gè)DTC被觀察到跨越BPIII/BPI或BPIII/BPII邊界，證明DTCs在從BPIII到BPII和BPI的相變過(guò)程中，沒(méi)有擴(kuò)散。 BPIII/BPI，BPIII/BPII，BPIII/BPI的界面很清晰，沒(méi)有過(guò)渡區(qū)域。基于到空間的syn-SAXS圖，BPI和BPII的晶格取向關(guān)系是{211}BPI//{110}BPII。
展開(kāi) 
偏光顯微鏡的相關(guān)專(zhuān)題、標(biāo)簽、搜索
偏光顯微鏡的最新內(nèi)容
這些特征的每個(gè)都可以應(yīng)用到更復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)，如液晶顯示器（LCD）、干涉儀以及偏光顯微鏡。
偏振片模型
考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的偏振片系統(tǒng)，包括隨機(jī)偏振光，接著是虛擬表面、x偏振片和探測(cè)表面。相干光源由在z方向傳播的10 ×10橢圓網(wǎng)格創(chuàng)建。光源的偏振態(tài)定義為“偏振”&“隨機(jī)性”，取決于(i)橢圓率(ii)旋轉(zhuǎn)方向(iii)橢圓偏振角。
馬耳他十字現(xiàn)象16天前
這些特性的每一個(gè)都可以應(yīng)用到更復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)中，如液晶顯示（LCDs）、干涉儀和偏光顯微鏡。
馬耳他十字現(xiàn)象
馬耳他十字是正交放置的線偏振片之間的雙折射材料形成的干涉圖樣。這種現(xiàn)象可以對(duì)在自然界中發(fā)現(xiàn)的雙折射樣本進(jìn)行簡(jiǎn)單的識(shí)別，如浮游生物、淀粉粒子和脂肪分子。當(dāng)局部y偏振光的擴(kuò)展光束通過(guò)兩個(gè)正交取向的線偏振片時(shí)，馬耳他十字也可以形成。
FRED應(yīng)用：波片模擬1個(gè)月前
這些特性的每一個(gè)都可以應(yīng)用到更復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)中，如液晶顯示（LCDs）、干涉儀和偏光顯微鏡。
從FRED系統(tǒng)的X偏振片示例開(kāi)始，波片元件添加到了x偏振片后面（圖1）。模擬一個(gè)波片有兩種方法。最簡(jiǎn)單的方法是指定一個(gè)1/2波片涂層到一個(gè)表面上。
FRED應(yīng)用：波片模擬1個(gè)月前
這些特性的每一個(gè)都可以應(yīng)用到更復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)中，如液晶顯示（LCDs）、干涉儀和偏光顯微鏡。
波片模型
波片是由尋常光和非尋常光具有不同折射率值的材料制成。取向合適時(shí)，波片可以改變光線的一個(gè)偏振分量（相對(duì)于另一個(gè)），從而改變它的偏振態(tài)。四分之一波片使線偏振變成圓偏振，反之亦然。半波片使x偏振光變成y偏振光，或者右旋偏振光變成左旋偏振光。
咨詢電話：020-66221668
推薦閱讀
復(fù)合材料微觀力學(xué)行為表征方法：納米壓痕儀+AFM+偏光顯微鏡
塑料螺旋流動(dòng)測(cè)試：評(píng)估材料充模能力的核心方法
ASTM D6641復(fù)合材料壓縮試驗(yàn)方法分享
原子力顯微鏡（AFM）在電池電極層的表征應(yīng)用
平臺(tái)依托偏光顯微鏡（PLM）、透射電子顯微鏡（TEM）、原子力顯微鏡（AFM）及工業(yè)CT等多臺(tái)套精密設(shè)備，以“揭示材料本質(zhì)，賦能技術(shù)創(chuàng)新”為使命，為高分子材料、復(fù)合材料、金屬材料及無(wú)機(jī)非金屬材料等領(lǐng)域的研究開(kāi)發(fā)、質(zhì)量控制與失效分析，提供全方位、多尺度的表征解決方案。
[NEWSLETTER] 受激發(fā)射損耗（STED）顯微鏡2個(gè)月前
超分辨率顯微鏡——光學(xué)系統(tǒng)，可以達(dá)到超過(guò)眾所周知的阿貝衍射極限——已經(jīng)有了廣泛的用途，因?yàn)楂@得最大可能的分辨率是該領(lǐng)域的關(guān)鍵目標(biāo)之一。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是受激發(fā)射損耗（STED）的概念。在這里，熒光樣品由兩個(gè)激光照射，其中一個(gè)由相位板塑造成甜甜圈模式。通過(guò)化學(xué)過(guò)程，樣品重新發(fā)出的光將只來(lái)自甜甜圈模式的中心點(diǎn)，這可以配置為比經(jīng)典的焦點(diǎn)小得多，從而提高了圖像的分辨率。
光學(xué)建模和設(shè)計(jì)軟件VirtualLab
摘要
受激發(fā)射損耗(STED)顯微鏡描述了一種常用的技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)在生物應(yīng)用的超分辨率。在這種方法中，兩束激光—一束正常，一束轉(zhuǎn)變成甜甜圈模式—被疊加到熒光樣品上。通過(guò)使用熒光過(guò)程的發(fā)射和損耗以及利用由此產(chǎn)生的飽和效應(yīng)，與通常的顯微鏡技術(shù)(例如，寬視場(chǎng)顯微鏡)相比，后反射光顯示出更高的分辨率。在本文檔中，介紹了這種設(shè)備的基本設(shè)置。為了模擬飽和效應(yīng)，在焦點(diǎn)區(qū)域采用等效孔徑。
任務(wù)說(shuō)明
咨詢電話：020-66221668
部分素材來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)
Recommend
推薦閱讀
MAT_58材料卡片在新能源汽車(chē)復(fù)合材料底護(hù)板仿真分析中的應(yīng)用
復(fù)合材料微觀力學(xué)行為表征方法：納米壓痕儀+AFM+偏光顯微鏡
玻纖增強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料大型風(fēng)電葉片灌注銀紋失效分析與解決方案
超薄電子產(chǎn)品外殼用復(fù)合材料動(dòng)態(tài)拉伸力學(xué)行為特征及其失效機(jī)理研究
共聚焦掃描顯微鏡的工作原理3個(gè)月前
建模任務(wù)
共聚焦掃描顯微鏡是如何工作的，它如何檢測(cè)物體橫向位移導(dǎo)致的功率變化？
共聚焦掃描顯微鏡在 1950 年代由 M. L. Minsky 發(fā)明并獲得專(zhuān)利，后來(lái)又以采用激光作為光源的新穎性獲得了廣泛的應(yīng)用。 通過(guò)使用空間針孔來(lái)阻擋從焦平面外散射或反射的光，有助于提高縱向分辨率和對(duì)比度。 在本例中，我們?cè)赩irtualLab
