晶圓檢測設(shè)備
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2026-01-05
晶圓檢測設(shè)備的實(shí)例教程
晶圓檢測機(jī)，又稱為半導(dǎo)體芯片自動(dòng)化檢測設(shè)備，是用于對(duì)半導(dǎo)體芯片的質(zhì)量進(jìn)行檢驗(yàn)和測試的專用設(shè)備。它可以用于硅片、硅晶圓、LED芯片等半導(dǎo)體材料的表面檢測，通過對(duì)晶圓的表面特征進(jìn)行全面檢測，可以有效降低產(chǎn)品的不良率，提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。
一種晶圓表面形貌測量方法-WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)
WD4000無圖晶圓檢測機(jī)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反應(yīng)表面形貌的參數(shù)。
測量功能
1、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過濾頻譜等功能；提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等；粗糙度分析包括國際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù)；結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。
WD4000無圖晶圓檢測機(jī)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。
展開 ，以下簡稱為TEL）于2021年12月推出了一款用于300mm功率器件的蝕刻設(shè)備，名為“Tactras-UDEMAE”。TEL用于功率元器件方向的等離子體反應(yīng)器（Plasma Reactor）曾在業(yè)界獲得了最大交貨量，而此款“Tactras-UDEMAE”設(shè)備系統(tǒng)將等離子體反應(yīng)器的應(yīng)用范圍兼容至300mm，并將其安裝在 Tactras 平臺(tái)上。Tactras是一個(gè)高度可靠且高效的平臺(tái)，已在 300 mm晶圓工藝中得到驗(yàn)證。
用于300mm功率器件的蝕刻設(shè)備一一Tactras-UDEMAE（圖片出自：電波新聞）
該系統(tǒng)將現(xiàn)有的200mm晶圓中積累的工藝庫（Process Library）靈活運(yùn)用于300mm晶圓工藝，還配置了可以防止晶圓斜面（Wafer Bevel）區(qū)域產(chǎn)生顆粒異物的新功能，這是制造分立功率器件（Discrete Power Device）的關(guān)鍵能力。通過有效平衡晶圓溫度、反應(yīng)器（Reactor）內(nèi)的壓力、氣體流量、RF（高頻射頻電源）等各種條件，成功在300mm晶圓上獲得了均勻蝕刻效果。
TEL執(zhí)行董事兼FS BUGM中原哲也表示：“基于車載半導(dǎo)體等通用型半導(dǎo)體的需求增加這一背景，意味著對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的需求也在增長，尤其是對(duì)功率器件和其他分立器件。其中，蝕刻技術(shù)在功率器件和其他分立器件的制造過程中變得比以往任何時(shí)候都重要。擁有豐富交貨實(shí)績的Tactras平臺(tái)擁有龐大的安裝基礎(chǔ)，在晶圓傳輸速度和占地面積（Foot Print）方面都達(dá)到了全球最高水準(zhǔn)，通過將該平臺(tái)與新開發(fā)的用于 300 mm功率器件的等離子體反應(yīng)器（Plasma Reactor）相結(jié)合，TEL成功提供了一種技術(shù)解決方案，可顯著提高生產(chǎn)效率”。
展開 一塊芯片的誕生需經(jīng)歷重重考驗(yàn)，從設(shè)計(jì)到制造再到封裝測試，每一關(guān)都需用到大量的設(shè)備和材料。而在半導(dǎo)體加工的過程中，集成電路制造更是半導(dǎo)體產(chǎn)品加工工序最多，工藝最為密集的環(huán)節(jié)，因此本文將以晶圓制造為例，說明前道過程中所需要的設(shè)備，并闡述其市場情況。
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晶圓制造過程及應(yīng)用設(shè)備
芯片需要經(jīng)過設(shè)計(jì)、制造（包括硅片制造以及晶圓制造）、封裝測試才能最終落到客戶手中。
芯片制造流程圖
從圖中的集成電路制造廠板塊我們可以看到，晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。
晶圓制造主要步驟使用工藝及設(shè)備
設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛的有氧化爐、沉積設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、離子注入機(jī)、清洗機(jī)、化學(xué)研磨設(shè)備等。
展開 去年3月，中國臺(tái)灣存儲(chǔ)器大廠旺宏宣布，其位于竹科園區(qū)的6吋晶圓廠將于2020年底停產(chǎn)。不過，由于疫情及需求爆增，產(chǎn)能供不應(yīng)求，旺宏將生產(chǎn)延到了今年4月。
停止投產(chǎn)后，旺宏擬將廠房及設(shè)備出售。正值晶圓產(chǎn)能極度緊缺，旺宏的出售計(jì)劃吸引了多家海內(nèi)外大廠，包括聯(lián)電、世界先進(jìn)、代工廠鴻海以及電動(dòng)車大廠特斯拉等。
但據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，該出售案最終可能花落日本最大的半導(dǎo)體設(shè)備廠商TEL（Tokyo Electron Limited）東京電子。旺宏尚未回應(yīng)此市場消息，只強(qiáng)調(diào)該出售案將在6月底、7月初拍板定案。
整體來看，在各方角力后，目前剩東京電子及臺(tái)灣科技大廠在最后競爭。供應(yīng)鏈認(rèn)為，由于東京電子與旺宏已簽訂優(yōu)先議價(jià)權(quán)，取得6吋廠的機(jī)率會(huì)更大。
據(jù)悉，東京電子是日本最大的半導(dǎo)體設(shè)備商，也是臺(tái)積電主要供應(yīng)商之一，買下6吋廠的主要目的是將該廠無塵室作為零組件或設(shè)備倉儲(chǔ)中心。
展開 一塊芯片的誕生需經(jīng)歷重重考驗(yàn)，從設(shè)計(jì)到制造再到封裝測試，每一關(guān)都需用到大量的設(shè)備和材料。而在半導(dǎo)體加工的過程中，集成電路制造更是半導(dǎo)體產(chǎn)品加工工序最多，工藝最為密集的環(huán)節(jié)，因此本文將以晶圓制造為例，說明前道過程中所需要的設(shè)備，并闡述其市場情況。
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晶圓制造過程及應(yīng)用設(shè)備
芯片需要經(jīng)過設(shè)計(jì)、制造（包括硅片制造以及晶圓制造）、封裝測試才能最終落到客戶手中。
芯片制造流程圖
從圖中的集成電路制造廠板塊我們可以看到，晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。
晶圓制造主要步驟使用工藝及設(shè)備
設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛的有氧化爐、沉積設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、離子注入機(jī)、清洗機(jī)、化學(xué)研磨設(shè)備等。
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晶圓檢測設(shè)備的最新內(nèi)容
船舶/重型機(jī)械領(lǐng)域：定制超大尺寸平臺(tái)，用于船舶發(fā)動(dòng)機(jī)基座、重型機(jī)床床身的精度檢測與裝配
電子/半導(dǎo)體領(lǐng)域：定制高精度、無磁平臺(tái)，用于半導(dǎo)體晶圓檢測、芯片封裝設(shè)備的基準(zhǔn)定和位，避免磁場干擾電子元件
軍和工/航空航天領(lǐng)域：定制高強(qiáng)度、低應(yīng)力平臺(tái)，用于航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片的檢測，其嚴(yán)格的應(yīng)力消除工藝可確保長期使用無變形
維護(hù)與保養(yǎng)
放置：需放在平整地面，用調(diào)整墊鐵固定，避免傾斜
清潔：使用后及時(shí)清理鐵屑
地平鐵平面度檢測“避坑”指南：三步告別誤差，輕松“拿捏”精度
在機(jī)械加工、設(shè)備調(diào)試、工裝定位等工業(yè)場景中，地平鐵的平面度直接決定工件加工、檢測的精度，而平面度檢測是保障地平鐵合格使用的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。很多企業(yè)因檢測方法不當(dāng)、忽視細(xì)節(jié)，頻繁陷入誤差陷阱，導(dǎo)致工件報(bào)廢、效率下降。本文結(jié)合地平鐵、灰鐵地平鐵、鑄鐵地平鐵、高精度地平鐵、地平鐵平面度檢測、機(jī)床地平鐵等高頻關(guān)鍵詞，拆解檢測核心三步法，
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灰鐵地平鐵：穩(wěn)定不“死板”，使用靈活如“積木”可組合
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在機(jī)械加工、工裝定位、設(shè)備調(diào)試、零部件檢測等工業(yè)場景中，灰鐵地平鐵是保障作業(yè)精度的基礎(chǔ)裝備。不同于傳統(tǒng)固定規(guī)格地平鐵的“死板”局限，灰鐵地平鐵憑借材質(zhì)的穩(wěn)定性與可組合的靈活
T型槽試驗(yàn)平臺(tái)：重載工況下的“定海神針”，穩(wěn)到讓振動(dòng)“自閉”
在重型機(jī)械試驗(yàn)、大型工件檢測、重載設(shè)備校準(zhǔn)等場景中，“穩(wěn)”是核心訴求——一旦平臺(tái)出現(xiàn)輕微晃動(dòng)或振動(dòng)，不僅會(huì)導(dǎo)致試驗(yàn)數(shù)據(jù)失真、檢測結(jié)果偏差，還可能引發(fā)工件移位、設(shè)備損壞等安全隱患。而T型槽試驗(yàn)平臺(tái)，正是重載工況下的“定海神針”，憑借硬核的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材質(zhì)特性，能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)振效果，甚至穩(wěn)到讓重載運(yùn)行產(chǎn)生的振動(dòng)“無從下手、主動(dòng)自閉”。
動(dòng)力設(shè)備測試的“定盤星”：鑄鐵平板底座有何硬核應(yīng)用？
在電機(jī)、發(fā)動(dòng)機(jī)、水泵等動(dòng)力設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)檢測中，測試數(shù)據(jù)的度直接決定產(chǎn)品性能評(píng)估與質(zhì)量管控。而鑄鐵平板底座，正是保障這類測試穩(wěn)定開展的“定盤星”——憑借強(qiáng)度、高穩(wěn)定性、高精度的核心優(yōu)勢，成為動(dòng)力設(shè)備測試場景的剛需硬核裝備。本文從應(yīng)用場景、技術(shù)支撐、核心價(jià)值三個(gè)維度，拆解其硬核應(yīng)用邏輯，讀懂它為何能成為測試環(huán)節(jié)的“壓艙石”。
云服務(wù)、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和人工智能（AI）的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用不斷推動(dòng)對(duì)高性能和高能效數(shù)據(jù)中心的需求。同時(shí)，隨著CPU和GPU等組件的功率密度不斷增加，傳統(tǒng)風(fēng)冷解決方案的冷卻能力已達(dá)到極限，在技術(shù)上已不適合以成本效益和能源效率的方式滿足數(shù)據(jù)中心的冷卻需求。液體冷卻是現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心最有效的解決方案，具有更高的效率和更高的冷卻能力。為了將高功率 CPU、GPU 和網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)保持在熱規(guī)格范圍內(nèi)
CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，根據(jù)韓媒Digital Today報(bào)道，9月2日，韓國半導(dǎo)體顯示設(shè)備制造商SNU Precision公司宣布，公司已成功獲得用于生產(chǎn)AR/VR領(lǐng)域Micro OLED的12吋晶圓蒸鍍?cè)O(shè)備訂單。
該合同總金額為1820萬美元（約1.3億人民幣），占SNU Precision公司2023年度銷售額的18.81%。
交易對(duì)方是中國公司——淮南芯視佳半導(dǎo)體科技有限公司
回流焊接技術(shù)在電子制造領(lǐng)域并不陌生。計(jì)算機(jī)中使用的各種板卡上的元件都是通過這種工藝焊接到電路板上的。該設(shè)備內(nèi)部有一個(gè)加熱電路，將空氣或氮?dú)饧訜岬阶銐蚋叩臏囟龋缓蟠档秸迟N元件的電路板上，使元件兩側(cè)的焊料融化并與主板粘結(jié)。該工藝的優(yōu)點(diǎn)是溫度易于控制，焊接過程中可避免氧化，制造成本更容易控制。隨著許多電子產(chǎn)品向小、輕、高密度方向的發(fā)展，特別是手持設(shè)備的廣泛使用，原有的部件材料技術(shù)T技術(shù)面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)
在晶圓制造前道過程的不同工藝階段點(diǎn)，往往需要對(duì)wafer進(jìn)行厚度（THK）、翹曲度（Warp）、膜厚、關(guān)鍵尺寸（CD）、套刻（Overlay）精度等量測，以及缺陷檢測等；用于檢測每一步工藝后wafer加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，以及缺陷閾值下限，從而進(jìn)行工藝控制與良率管理。半導(dǎo)體前道量檢測設(shè)備，要求精度高、效率高、重復(fù)性好，量檢測設(shè)備一般會(huì)涉及光電探測、精密機(jī)械、電子與計(jì)算機(jī)技術(shù)，因此在半導(dǎo)體設(shè)備中
油中過多的水分將嚴(yán)重影響設(shè)備的潤滑效果，必須將油中水分含量控制在盡可能低的程度。油中水分檢測目的：
1.水分會(huì)促使油品乳化，降低油品度和油膜強(qiáng)度，使其效果變差。
2.水分會(huì)促使油品氧化變質(zhì)，增加油泥，惡化油質(zhì)。甚至加速有機(jī)酸對(duì)金屬的腐蝕，例如使變壓器油的絕緣性能下降。
3.水分會(huì)使油中添加劑發(fā)生水解反應(yīng)而失效，產(chǎn)生淀堵塞油路，不能正常循提供油
