1nm工藝技術的案例
Ansys多物理場解決方案榮獲三星3nm和4nm工藝技術認證
Ansys與三星Foundry合作為低功耗移動和高性能計算應用提供行業領先的電源完整性和電遷移簽核解決方案
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys? Totem?電源完整性平臺獲得三星最先進的3nm和4nm工藝技術認證
經三星認證的Redhawk-SC和Totem將幫助客戶加快設計收斂
Ansys前沿的多物理場簽核解決方案獲得三星Foundry的先進3nm和4nm工藝技術認證。這有助于雙方客戶的設計滿足高級人工智能/機器學習、高性能計算（HPC）、網絡芯片以及低功耗5G和移動應用對關鍵電源、熱和可靠性的標準。
三星Foundry 3nm和4nm工藝技術對Ansys RedHawk-SC的認證包括電源網絡提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（EM）、自熱的熱可靠性分析、熱感知EM和基于統計EM預算。Redhawk-SC通過利用其底層Ansys? SeaScape?基礎架構的彈性計算、大數據分析和高容量來分析龐大復雜的3nm電源網絡設計，同樣，Totem也通過了晶體管級定制設計的認證。此外，Redhawk-SC和Totem的預測準確性也已通過三星Foundry廣泛測試的認證。
Ansys Redhawk-SC分析結果展示了汽車芯片上數千個實例的電壓下降的嚴重程度。
展開 Ansys多物理場解決方案榮獲三星3nm和4nm工藝技術認證
Ansys與三星Foundry合作為低功耗移動和高性能計算應用提供行業領先的電源完整性和電遷移簽核解決方案
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys? Totem?電源完整性平臺獲得三星最先進的3nm和4nm工藝技術認證
經三星認證的Redhawk-SC和Totem將幫助客戶加快設計收斂
Ansys前沿的多物理場簽核解決方案獲得三星Foundry的先進3nm和4nm工藝技術認證。這有助于雙方客戶的設計滿足高級人工智能/機器學習、高性能計算（HPC）、網絡芯片以及低功耗5G和移動應用對關鍵電源、熱和可靠性的標準。
三星Foundry 3nm和4nm工藝技術對Ansys RedHawk-SC的認證包括電源網絡提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（EM）、自熱的熱可靠性分析、熱感知EM和基于統計EM預算。Redhawk-SC通過利用其底層Ansys? SeaScape?基礎架構的彈性計算、大數據分析和高容量來分析龐大復雜的3nm電源網絡設計，同樣，Totem也通過了晶體管級定制設計的認證。此外，Redhawk-SC和Totem的預測準確性也已通過三星Foundry廣泛測試的認證。
Ansys Redhawk-SC分析結果展示了汽車芯片上數千個實例的電壓下降的嚴重程度。
展開 1nm以下先進制程工藝發展路線浮出水面
盡管英特爾、三星、臺積電等公司靠著各種技術手段及營銷宣傳將CPU邏輯工藝一路推到了5nm節點，明年還要進入3nm節點，但是再往后還是會面臨更大的挑戰，特別是在1nm之后，量子隧穿效應有可能會讓半導體失效。
在日前的FUTURE SUMMITS 2022大會上，IMEC（比利時微電子中心）展示了最新的路線圖，一路看到了2036年的0.2nm工藝。
簡單來說，今年試產N3工藝之后，2024年會有2nm工藝，2026年則是A14工藝——A代表的是埃米，是納米之后的尺度，A14工藝可以理解為1.4nm工藝，英特爾之前提出的A20、A18工藝就相當于2nm、1.8nm工藝。
臺積電在3nm工藝完成研發之后會把團隊轉向未來的1.4nm工藝研發，預計今年6月份啟動。
接著看路線圖，IMEC預計在2028年實現A10工藝，也就是1nm節點了，2030年是A7工藝，之后分別是A5、A3、A2工藝，2036年的A2大概相當于0.2nm節點了。
IMEC的路線圖基本上還是按照摩爾定律2年升級一代的水平發展的，證明了未來芯片工藝還可以迭代下去。
展開 ANSYS解決方案通過UMC的 先進14nm工藝技術認證
UMC和ANSYS針對UMC最新的FinFET技術推出一系列綜合設計解決方案
ANSYS宣布ANSYS RedHawkTM 和ANSYS Totem TM 通過了UMC的先進14nm FinFET工藝技術認證。通過工藝認證和一系列綜合半導體設計解決方案，ANSYS和UMC能夠支持雙方共同的客戶滿足新一代移動和高性能計算（HPC）應用領域日益增長的要求。
UMC對ANSYS技術的認證涵蓋提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（信號EM）和自發熱分析等方面。相對于28nm工藝技術而言，UMC的14nm FinFET技術可將性能提高55%，功耗降低50%，從而理想適用于需要更高功能、性能和低功耗的應用。
UMC的知識產權開發和設計支持部門總監T.H.Lin指出：“UMC不斷改進其設計支持組合，以幫助客戶縮短設計時間，并加速產品上市進程。通過與ANSYS攜手合作，雙方共同的客戶可利用ANSYS多物理場仿真技術的優勢來優化設計方案，從而改進性能，減少過度設計。”
ANSYS的總經理John Lee指出：“對于亞16nm工藝而言，功率、可靠性和熱問題等各種多物理場效應的相互影響對于設計收斂構成巨大挑戰。ANSYS的半導體解決方案專門適用于多物理場優化，而UMC的認證有助于雙方共同的客戶利用經過嚴格測試和準確性基準驗證的ANSYS解決方案，從而加速推動設計收斂。”
展開 
Ansys多物理場解決方案通過臺積電3nm工藝技術認證
Ansys為臺積電最高級的3nm工藝技術提供了多物理場設計解決方案，這幫助我們雙方客戶應對設計難題和技術挑戰。本次合作將Ansys的前沿解決方案與臺積電的高級工藝完美結合，幫助我們的客戶推進新一代3nm芯片組的技術創新，該技術將為眾多應用提供支持。”
Ansys副總裁兼總經理John Lee指出：“此次新增認證進一步加強了Ansys與臺積電的緊密合作，為我們雙方客戶探索解決方案。Ansys廣泛的多物理場仿真與分析技術（從芯片級到系統級）讓我們有充足的能力在AI/ML、5G、HPC、網絡和圖像處理應用中實現規模更大、功耗更低的設計。”
展開 ANSYS解決方案通過UMC的先進14nm工藝技術認證
ANSYS解決方案通過UMC的先進14nm工藝技術認證。6月25日， ANSYS宣布ANSYS? RedHawk?和ANSYS? Totem?通過了UMC的先進14nm FinFET工藝技術認證。通過工藝認證和一系列綜合半導體設計解決方案，ANSYS和UMC能夠支持雙方共同的客戶滿足新一代移動和高性能計算（HPC）應用領域日益增長的要求。
UMC對ANSYS技術的認證涵蓋提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（信號EM）和自發熱分析等方面。相對于28nm工藝技術而言，UMC的14nm FinFET技術可將性能提高55%，功耗降低50%，從而理想適用于需要更高功能、性能和低功耗的應用。
UMC的知識產權開發和設計支持部門總監T.H.Lin指出：“UMC不斷改進其設計支持組合，以幫助客戶縮短設計時間，并加速產品上市進程。通過與ANSYS攜手合作，雙方共同的客戶可利用ANSYS多物理場仿真技術的優勢來優化設計方案，從而改進性能，減少過度設計。”
ANSYS的總經理John Lee指出：“對于亞16nm工藝而言，功率、可靠性和熱問題等各種多物理場效應的相互影響對于設計收斂構成巨大挑戰。ANSYS的半導體解決方案專門適用于多物理場優化，而UMC的認證有助于雙方共同的客戶利用經過嚴格測試和準確性基準驗證的ANSYS解決方案，從而加速推動設計收斂。”
展開 臺積電發布N4P工藝：增強版的5nm制程技術都有哪些不同？
N5
5nm是臺積電的又一個重要工藝節點，分為N5、N5P兩個版本。前者相比于N7 7nm工藝性能提升15％、功耗降低30％，后者在前者基礎上繼續性能提升7％、功耗降低15％。
臺積電5nm使用第五代FinFET晶體管技術，EUV極紫外光刻技術也擴展到10多個光刻層，整體晶體管密度提升84％ —— 7nm是每平方毫米9627萬個晶體管，5nm就將是每平方毫米1.771億個晶體管。
在制程越來越難以精進的今天，臺積電為自己設定了優化節點，以最大程度優化當前的量產工藝。例如，在N5和N7之間設定了一個N6制程，它是N7+的優化版本，使用EUV，并會使用比N7+更多一些的EUV層數。
展開 從0.1nm到1mm：中圖儀器顯微測量儀在拋光至粗糙表面測量中的技術突破
顯微測量儀是納米級精度的表面粗糙度測量技術。它利用光學、電子或機械原理對微小尺寸或表面特征進行測量，能夠提供納米級甚至更高級別的測量精度，這對于許多科學和工業應用至關重要。
在拋光至粗糙表面測量中，中圖儀器的顯微測量儀器具有從0.1nm到1mm的測量范圍，每種儀器都有其獨特的功能和應用范圍。
三種不同顯微測量技術在測量表面粗糙度方面的優勢詳解
一、光學3D表面輪廓儀
工作原理：
1.光源與分光：儀器的光源發出的光束首先通過擴束準直，然后通過分光棱鏡分成兩束光。一束光直接投射到被測表面，另一束光則投射到參考鏡上。
2.反射與干涉：從被測表面反射回來的光束與從參考鏡反射回來的光束在分光棱鏡處匯聚，由于兩束光在不同的路徑上行進，它們之間存在光程差。當兩束光的光程差為半波長的整數倍時，它們會發生干涉，形成明暗相間的干涉條紋。
3.成像與分析：光學3D表面輪廓儀將被測表面的形貌特征轉化為干涉條紋信號。通過測量這些干涉條紋的變化，可以推算出被測表面的三維形貌。系統軟件對這些數據進行處理和分析，從而得到表面的粗糙度、臺階高度、幾何輪廓等參數。
測量能力：
1.粗糙度測量范圍：SuperViewW光學3D表面輪廓儀能夠測量從超光滑表面（0.1nm粗糙度）到相對粗糙表面（1mm粗糙度）的三維形貌。
2.垂直分辨率：SuperViewW光學3D表面輪廓儀可以達到0.1nm的垂直分辨率，這對于測量光滑表面的微小高度變化至關重要。
3.水平分辨率：水平分辨率取決于儀器的掃描范圍和傳感器的像素大小，它決定了可以測量的最小特征尺寸。
展開 ANSYS仿真工具成功通過英特爾定制代工廠22nm FINFET低功耗工藝技術的認證
ANSYS仿真工具成功通過英特爾定制代工廠22nm FINFET低功耗工藝技術的認證
http://www.ansys.com/zh-cn/about-ansys/news-center/09-19-17-intel-custom-foundry-certifies-ansys-simulation-tools-22-nanometer
認證助力設計人員精心打造智能可靠的解決方案，滿足新一代物聯網和入門級移動應用的需求
2017年9月19日，匹茲堡訊——ANSYS (NASDAQ:ANSS)電遷移、電源和靜電放電解決方案通過英特爾22nm FinFET低功耗（22FFL）工藝技術認證，可幫助英特爾定制代工廠的客戶推出功能強大、獨具創新的產品。ANSYS和英特爾定制代工廠緊密合作實現的技術支持工具，有助于雙方共同的客戶最小化設計成本和風險，同時加速向市場推出可靠的尖端產品。
物聯網（IoT）和入門級移動產品的三大關鍵需求包括：更高性能、更低功耗以及更出色的可靠性。為了滿足上述要求，電子產品的多個子系統被整合到一個或更多的集成電路中，這也被稱為片上系統（SoC）。ANSYS仿真工具不僅可提供所需的精確度，減少周轉時間，還能滿足日益復雜的現代化產品設計所帶來的更高計算要求。ANSYS?RedHawk?、ANSYS? Totem?和ANSYS? PathFinder?中的高級技術支持（包括符合電遷移規則）能提供可靠性和可制造性，最小化風險并降低成本。
英特爾新的22FFL工藝技術獨具匠心地將高性能、超低功耗晶體管與簡化互聯、簡單設計規則整合在一起，從而提供面向低功耗移動產品的多功能型FinFET設計平臺。與前一代英特爾22GP（通用）技術相比，新技術的漏電量最多可以減少100倍。
展開 日本半導體公司Rapidus與法國研究機構簽訂1nm技術開發協議
據報道，Rapidus（日本高端芯片公司）與東京大學、法國電子信息技術研究院(CEA-Leti)達成協議，將共同開發1納米(nm·10億分之一米)工藝半導體設計所需的基礎技術。Rapidus是一家日本國有半導體企業，由豐田汽車、電裝集團、索尼集團、NTT、NEC、軟銀集團、鎧俠、三菱UFJ銀行共同出資，于去年11月成立。
Rapidus通過東京大學等日本國立大學和理化學研究所參與的“最尖端半導體技術中心(LSTC)”，與CEA-Leti上個月簽署了考慮合作相關的備忘錄。CEA-Leti是成立于1967年的法國電子信息技術研究院，在與納米技術相關的應用研究機構中，是全球規模最大的。
納米工藝是指半導體回路線幅的單位。線幅越窄，功率效率越高，處理速度越快。目前最領先的技術是3納米。針對2納米技術開發，三星電子和臺灣的TSMC等正展開激烈競爭。
據日經報道，Rapidus也制定了在2025年試生產2納米產品，從2027年開始量產的目標。為此，計劃投資5萬億日元（約2407億人民幣）。為開發2納米工藝半導體，與歐洲頂尖半導體研發機構比利時綜合半導體研究所IMEC建立了技術合作。并與美國的頭部科技公司IBM展開合作。
展開 技術 | 詳解1Cr13(馬氏體)不銹鋼的焊接工藝
摘要：1Cr13不銹鋼焊接工藝性能較差，冷卻時易在焊縫和不完全熔化區、過熱區產生裂紋，本文給出1Cr13不銹鋼焊材的特點，詳細闡述1Cr13不銹鋼焊接工藝，包括焊材的選擇，焊接電流焊接速度等焊接重要參數，及對焊接中遇到的問題的給出理論的分析并進行施焊實例對存在問題的給出對策。
一、前言
1Cr13不銹鋼在溫度30℃以下時的弱腐蝕介質中,即在大氣、蒸氣、淡水中,具有良好的耐腐蝕性能,且價格便宜,因而該類不銹鋼在機械制造中得到廣泛地應用。1Cr13不銹鋼的焊接工藝性能較差,其主要是淬硬傾向大和過熱傾向大,金屬組織的塑性和韌性也有差別,冷卻時易在焊縫和不完全熔化區、過熱區產生裂紋,并在熱影響區產生粗大的馬氏體組織。從提高焊縫的塑性這點出發,希望得到緩慢的冷卻焊縫。
二、1Cr13不銹鋼焊接的特點
由于1Cr13不銹鋼的塑性和韌性都差,冷卻時易在焊縫上和熱影響產生裂紋,因此需要緩慢地冷卻焊縫和熱影響區及過熱區。
在焊接熱循環的作用下,熱影響區晶粒急劇脹大,從而使焊縫變脆,即使選用的焊接材料與母材匹配的情況下,焊縫金屬也會產生脆化問題,要選用的焊接材料以含Cr、Ni要高些為宜。
三、1Cr13不銹鋼的焊接
1Cr13不銹鋼的焊接,目前多采用焊條電弧焊。焊接時宜選用較小的焊接電流和盡快的焊接速度以及窄焊道、分段跳躍焊,防止因應力集中產生裂紋。
文獻規定,為了防止1Cr13馬氏體鋼焊接時產生裂紋,焊前需經200～400℃的預熱,焊后緩冷到150～200℃。
展開 
技術 | 不銹鋼焊接不打磨工藝分析，焊接效率提升了至少1倍！
新工藝驗證結論
⑴采用焊接不打磨工藝，焊接效率提升了至少1倍。
⑵采用焊接不打磨工藝，省去焊接傳統處理，如磨光片、拉絲帶、拋光輪等處理品。一臺機柜（箱）成本大幅度降低。單臺成本至少節約在20～30元以上，如果按月產2000臺，成本是一個可觀的數字。
⑶采用不打磨工藝，產品防腐能力大大增強。以304材質做實驗，傳統工藝耐鹽霧防腐一般情況在600小時，采用新工藝外觀防腐能力現已達到1200小時，明顯延長產品使用壽命。
DNP/鎧俠/佳能聯手開發納米壓印光刻技術！耗電量僅為EUV工藝1/10
CINNO Research產業資訊，大日本印刷與鎧俠控股（KIOXIA原東芝存儲器控股）和佳能合作，共同研發了「納米壓印光刻技術（NIL）」用于半導體制造，與使用極紫外光刻（EUV）相比，功耗僅為十分之一。盡管NIL在實現量產之前還存在諸多課題，但它已經能夠形成最先進的電路線寬度。在產業界去碳化發展趨勢不斷增強的背景下，三家公司的方針旨在通過減少電力消耗而實現與其它公司差異化的同時，努力促進該技術邁向實用化。
NIL技術通過將芯片壓印在晶圓上而形成精細的電路圖案。據大日本印刷稱，在技術研發中NIL已經可以處理高達5nm的電路線寬。雖然在實際大規模生產之前還有如電路缺陷等許多問題需要解決，但三家公司的最終目標是確立大規模生產技術。
NIL的制造工藝簡潔，不存在EUV那種消耗大量電力的問題。大日本印刷在2021年春季根據設備的規格值進行了一次內部模擬。通過模擬測試發現，在形成電路過程中每個晶圓的功耗僅為使用EUV光刻的十分之一左右。
在力求工業生產過程中削減溫室氣體排放的大趨勢下，為實現碳中和社會，預計半導體制造業對NIL的需求將會增加。三家公司將吸引那些致力于減少制造過程功耗的半導體制造商和用戶。
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