線性穩(wěn)壓技術(shù)
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時間：2026-01-04
線性穩(wěn)壓技術(shù)的實例教程
產(chǎn)品型號：VK71xx-1
產(chǎn)品品牌：永嘉微電/VINKA
封裝形式：SOT23-3/SOT89
原廠，工程服務(wù)，技術(shù)支持！
概述
VK71xx-1是一款采用CMOS技術(shù)的低壓差線性穩(wěn)壓器。最大輸出電流為100mA且允許的最高輸入電壓為36V。具有幾個固定的輸出電壓，范圍從2.5V到5.0V。COMS技術(shù)可確保其具有低壓降和低靜態(tài)電流的特性。
線性穩(wěn)壓器必須接入一個輸出電容以保持其穩(wěn)定性。如果將線性穩(wěn)壓器描述為一個簡單的控制系統(tǒng)，那么輸出電容就是該控制系統(tǒng)的一部分。像所有的控制系統(tǒng)一樣，線性穩(wěn)壓器也有一些不穩(wěn)定的區(qū)域。這些區(qū)域的穩(wěn)定性很大程度上取決于該系統(tǒng)的兩個參數(shù)：輸出電容的電容值及其等效串聯(lián)電阻（ESR）。
應(yīng)用圖表
對輸出電容的要求已在每個線性穩(wěn)壓器的數(shù)據(jù)手冊中注明。
例：TLE42754輸出電容要求
一般而言，ESR-輸出電流圖位于英飛凌穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊的穩(wěn)定性板塊中。
沒有最小ESR要求的穩(wěn)定性圖（TLE42754）
大多數(shù)英飛凌線性穩(wěn)壓器都被設(shè)計成可在極低ESR電容下保持穩(wěn)定。根據(jù)汽車電子的要求，推薦使用X5R或X7R電介質(zhì)材料的陶瓷電容。
也有一些較舊的線性穩(wěn)壓器（見下表）為了保持穩(wěn)定性，要求輸出電容有一定的ESR。這些穩(wěn)壓器是此前鉭電容器廣泛使用時被設(shè)計出來的。因此，使用陶瓷電容時，建議額外連接一個串聯(lián)電阻到電容器上。
有最小ESR要求的穩(wěn)定性圖（TLE4271-2）
在選擇器件時，遵循數(shù)據(jù)手冊中對于輸出電容的要求是十分重要的。如果特定的要求無法被滿足，穩(wěn)壓器可能不穩(wěn)定并導(dǎo)致輸出電壓振蕩。
根據(jù)數(shù)據(jù)手冊，擁有 CQ 和 ESR(CQ) 的穩(wěn)定輸出
過高的ESR (CQ)引發(fā)的振蕩
過低的 ESR(CQ) 引發(fā)的振蕩
ADI公司的低壓差調(diào)節(jié)器(LDOs)可以與節(jié)省空間的小型陶瓷電容配合使用，但前提是這些電容具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)；輸出電容的ESR會影響LDO控制環(huán)路的穩(wěn)定性。
展開 作為一種高效的低頻動能收集技術(shù)，摩擦納米發(fā)電機（Triboelectric Nanogenerator，簡稱TENG）被認為是一種環(huán)境友好、極具潛力的分布式能源解決方案。但是，早期的TENG受制于摩擦介電材料的表面電荷密度較低，靜電感應(yīng)電流有限，輸出性能有待提高。為了提高表面電荷密度，通常的方法集中在材料選擇、表面改性、結(jié)構(gòu)設(shè)計以及環(huán)境控制等方面，但性能提升有限。最近興起的電荷泵技術(shù)有望進一步提高TENG的輸出性能，然而，大多數(shù)的電荷泵技術(shù)都是基于輸出性能并不高的接觸分離式TENG且缺少必要的輸出管理電路。同時接觸分離式TENG需要較高的驅(qū)動頻率，其輸出的電壓/電流波形為脈沖形式，不利于實現(xiàn)電能的持續(xù)有效輸出。因此，探索新的電荷密度增強機制與方法具有重要的科學(xué)研究意義和工程應(yīng)用價值。
近日，由中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士與清華大學(xué)機械工程系季林紅教授、程嘉副研究員領(lǐng)導(dǎo)的科研團隊提出了一種新型滑移式電荷泵技術(shù)可顯著穩(wěn)定TENG的輸出電壓與提高輸出電流。該技術(shù)基于電荷泵的思想，利用滑移式可變電容器與固定電容間的電荷來回流動以對外輸出電能。通過電源管理模塊來提高可變電容器極板電壓以存儲更多電荷，同時降低輸出電壓并提高輸出電流。利用該電荷泵技術(shù)，輸出電壓的波動可降低63.9 %且輸出電流可提高43.4 %，同時實現(xiàn)了1328 μC m-2的表面電荷密度，可在低頻條件下持續(xù)供能468 LEDs、電子表和傳感器等小功率電子元器件。該技術(shù)對于探索提高TENG輸出性能的新型機制與方法具有指導(dǎo)和借鑒意義。
展開 ④網(wǎng)格劃分
⑤設(shè)置邊界條件和載荷
⑥分析控制
⑦求解后查看結(jié)果
ANSYS結(jié)果分析—變形
ANSYS結(jié)果分析—Von-Mises應(yīng)力
<北京邁達斯技術(shù)有限公司>
邁達斯(MIDAS IT)自1989年開始研發(fā)，2000年正式面世成立以來，一直專注于CAE、CFD工程軟件自主研發(fā)和普及，總部設(shè)在韓國，全球已有11家法人700多名專業(yè)技術(shù)人員，是工程軟件領(lǐng)域中亞洲最大的企業(yè)。2002年成立中國法人（北京邁達斯），全國已有3,000多家用戶。用技術(shù)創(chuàng)造幸福是邁達斯公司的信念，我們一直盡最大努力為行業(yè)和社會做貢獻！
點擊藍字 關(guān)注我們
01/簡介
隨著集成電路制程向3nm及以下先進節(jié)點演進，光刻成像系統(tǒng)中的光學(xué)衍射、掩模三維效應(yīng)與光致抗蝕劑非線性響應(yīng)相互疊加，使光源-掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）成為保障圖形保真度與芯片良率的核心技術(shù)。傳統(tǒng)線性壓縮感知（CS）驅(qū)動的SMO技術(shù)，因難以精準刻畫掩模與成像之間的強非線性映射關(guān)系，在復(fù)雜圖形優(yōu)化中常面臨精度不足、工藝窗口收縮等問題，已無法滿足極端制程對優(yōu)化性能的嚴苛要求。
非線性壓縮感知（NCS）理論的興起為突破這一瓶頸提供了關(guān)鍵路徑，其通過構(gòu)建非線性重構(gòu)模型，可更貼合光刻系統(tǒng)的物理本質(zhì)。然而，不同非線性CS-SMO技術(shù)的適配場景與性能表現(xiàn)尚未形成系統(tǒng)對比，仿真條件的差異也導(dǎo)致技術(shù)優(yōu)劣難以客觀評判。
基于此，本文以非線性壓縮感知光源-掩模優(yōu)化的數(shù)學(xué)模型為核心，搭建標準化仿真環(huán)境，選取水平條塊圖形、豎直線條圖形及復(fù)雜電路圖形作為典型測試對象，從成像精度、計算效率、工藝窗口兼容性等維度，系統(tǒng)開展不同SMO技術(shù)的性能對比研究。通過量化分析各類技術(shù)的適配特性與核心優(yōu)勢，為先進計算光刻中SMO技術(shù)的選型與工程化應(yīng)用提供科學(xué)依據(jù)與理論支撐。
展開 
線性穩(wěn)壓技術(shù)的相關(guān)專題、標簽、搜索
線性穩(wěn)壓技術(shù)的最新內(nèi)容
點擊藍字 關(guān)注我們
01/簡介
隨著集成電路制程向3nm及以下先進節(jié)點演進，光刻成像系統(tǒng)中的光學(xué)衍射、掩模三維效應(yīng)與光致抗蝕劑非線性響應(yīng)相互疊加，使光源-掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）成為保障圖形保真度與芯片良率的核心技術(shù)。傳統(tǒng)線性壓縮感知（CS）驅(qū)動的SMO技術(shù)，因難以精準刻畫掩模與成像之間的強非線性映射關(guān)系，在復(fù)雜圖形優(yōu)化中常面臨精度不足、工藝窗口收縮等問題
01/簡介
隨著集成電路制程向3nm及以下節(jié)點突破，光刻系統(tǒng)的光學(xué)畸變、掩模三維衍射及光致抗蝕劑非線性響應(yīng)等效應(yīng)疊加，使光源-掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）成為保障成像精度的核心技術(shù)。
傳統(tǒng)線性壓縮感知技術(shù)雖在光源單變量優(yōu)化中實現(xiàn)了降維高效求解，但面對SMO場景中掩模-成像的強非線性映射關(guān)系，其線性假設(shè)難以精準刻畫優(yōu)化變量與成像質(zhì)量的關(guān)聯(lián)，導(dǎo)致優(yōu)化精度與可制造性失衡
01/簡介
隨著集成電路制程推進至90nm及以下節(jié)點，光學(xué)鄰近效應(yīng)校正（OPC）、光源掩模聯(lián)合優(yōu)化（SMO）等計算光刻技術(shù)已成為保障光刻成像精度的核心支撐。其中，壓縮感知（CS）技術(shù)憑借稀疏性約束降維的核心優(yōu)勢，在光源優(yōu)化（SO）中實現(xiàn)了高效的參數(shù)尋優(yōu)，大幅降低了計算復(fù)雜度。
然而，當優(yōu)化對象轉(zhuǎn)向掩模時，線性CS理論的局限性愈發(fā)凸顯——掩模圖形的像素級調(diào)控與光刻成像之間存在顯著的非線性映射關(guān)系
一、背景
在工業(yè)仿真領(lǐng)域，對各種現(xiàn)實世界的問題進行數(shù)值模擬時，如流體動力學(xué)分析、電磁場仿真、結(jié)構(gòu)力學(xué)應(yīng)力應(yīng)變分析等，其控制方程通常是偏微分方程組，在經(jīng)過不同方法的隱式離散之后最終都可轉(zhuǎn)化為大型稀疏線性方程組。隨著人們對計算精度要求的不斷提高，方程組的階數(shù)也從上千階、幾十萬階提高到百萬、千萬階甚至更高，所需的計算量以及存儲需求也隨之迅速膨脹。根據(jù)一般經(jīng)驗，方程組求解時間會占總計算時間的
<p>緊接上篇《OptiStruct非線性之前車門下沉分析》，本篇將介紹 OptiStruct 非線性系列之車門過開分析，該文涉及的基礎(chǔ)模型與上篇模型一致（<strong>模型可在文末進行下載~</strong>），僅載荷約束及分析目標有所變化，一起來看看本期的內(nèi)容吧~</p><p><br></p><p><strong>分析目的</strong></p><p>檢驗車門在過開濫用工況下的強度性能，需滿足加載和卸載位移需求
概述
VK71xx-1是一款采用CMOS技術(shù)的低壓差線性穩(wěn)壓器。最大輸出電流為100mA且允許的最高輸入電壓為36V。具有幾個固定的輸出電壓，范圍從2.5V到5.0V。COMS技術(shù)可確保其具有低壓降和低靜態(tài)電流的特性。
隨著全球氣候變暖，北極地區(qū)冰川不斷融化，海冰覆蓋范圍和厚度日趨減小，北極資源開發(fā)效率大大提高。極地船舶在北極航線開辟、資源運輸?shù)确矫姘l(fā)揮著不可替代的作用。而極地船舶在層冰、碎冰、冰脊、冰山等極其惡劣和復(fù)雜的海洋環(huán)境中航行，船體結(jié)構(gòu)受冰載荷作用具有較大的隨機性，在海冰的作用下，結(jié)構(gòu)可能達到塑性變形
背景
在工業(yè)仿真領(lǐng)域，對各種現(xiàn)實世界的問題進行數(shù)值模擬時，如流體動力學(xué)分析、電磁場仿真、結(jié)構(gòu)力學(xué)應(yīng)力應(yīng)變分析等，其控制方程通常是偏微分方程組，在經(jīng)過不同方法的隱式離散之后最終都可轉(zhuǎn)化為大型稀疏線性方程組。隨著人們對計算精度要求的不斷提高，方程組的階數(shù)也從上千階、幾十萬階提高到百萬、千萬階甚至更高，所需的計算量以及存儲需求也隨之迅速膨脹
線性穩(wěn)壓器必須接入一個輸出電容以保持其穩(wěn)定性。如果將線性穩(wěn)壓器描述為一個簡單的控制系統(tǒng)，那么輸出電容就是該控制系統(tǒng)的一部分。像所有的控制系統(tǒng)一樣，線性穩(wěn)壓器也有一些不穩(wěn)定的區(qū)域。這些區(qū)域的穩(wěn)定性很大程度上取決于該系統(tǒng)的兩個參數(shù)：輸出電容的電容值及其等效串聯(lián)電阻（ESR）。
應(yīng)用圖表
對輸出電容的要求已在每個線性穩(wěn)壓器的數(shù)據(jù)手冊中注明
萬物互聯(lián)的物聯(lián)網(wǎng)時代已經(jīng)到來，各種分布式傳感器、可穿戴設(shè)備愈加普及，長期穩(wěn)定的電能供給問題成為制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。作為一種高效的低頻動能收集技術(shù)，摩擦納米發(fā)電機（Triboelectric Nanogenerator，簡稱TENG
