T3Ster
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2026-01-04
T3Ster的實(shí)例教程
聚燦光電依托自身的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，并結(jié)合先進(jìn)的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測(cè)試儀——T3Ster來解決芯片散熱問題。
在聚燦光電的研發(fā)過程中，T3Ster技術(shù)被廣泛應(yīng)用，為公司的芯片設(shè)計(jì)和制造提供了重要的支持。通過T3Ster技術(shù)進(jìn)行測(cè)試，聚燦光電的芯片散熱性能得到了極大的提升，這不僅增加了芯片的使用壽命，也提高了芯片的穩(wěn)定性和可靠性，使得聚燦光電的產(chǎn)品具有更高的市場(chǎng)競(jìng)爭力。
聚燦光電簡介
聚燦光電是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售三方面為一體的高新技術(shù)企業(yè)，主要產(chǎn)品為GaN基高亮度LED外延片、芯片，主要應(yīng)用于顯示背光、通用照明、醫(yī)療美容等中高端應(yīng)用領(lǐng)域。。目前，公司已經(jīng)發(fā)展成為國內(nèi)高亮度LED芯片的主流廠家之一。
客戶遇到的挑戰(zhàn)
市場(chǎng)上大部分的熱阻測(cè)試設(shè)備，采用落后的采樣方法（脈沖法），其測(cè)量的數(shù)據(jù)量非常稀少（整個(gè)溫度變化過程總計(jì)都不超過150個(gè)采樣點(diǎn)），因此測(cè)試曲線的精度和平滑性都很差，完全無法準(zhǔn)確分析出器件內(nèi)部封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)函數(shù)，而且也提供不了頻域分析結(jié)果，分析結(jié)果中的RC網(wǎng)絡(luò)級(jí)數(shù)甚至都不超過10個(gè)，這些參數(shù)尤其是平滑的溫度變化曲線是所有后續(xù)分析的最重要基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。
客戶如何接觸到T3Ster
T3Ster熱阻測(cè)試儀在市場(chǎng)上廣受認(rèn)可，很多企業(yè)實(shí)驗(yàn)室會(huì)選擇這款儀器來使用。通過庭田科技公司的專家顧問團(tuán)隊(duì)給予的售前技術(shù)支持，聚燦光電更全面的了解到T3Ster無可比擬的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。
客戶為何選擇T3Ster？
聚燦光電之所以選擇T3Ster，是由于T3Ster采用了先進(jìn)的實(shí)時(shí)靜態(tài)測(cè)試方法（static mode），完全滿足JEDEC JESD51-1，IEC，美軍標(biāo)等國際標(biāo)準(zhǔn)，其測(cè)試能力、精度、重復(fù)性都是業(yè)界領(lǐng)先，而且T3Ster的開發(fā)團(tuán)隊(duì)還是半導(dǎo)體封裝（及大功率LED）結(jié)殼熱阻測(cè)試最新國際標(biāo)準(zhǔn)的制定者。
展開 T3ster 熱阻測(cè)試儀作為行業(yè)內(nèi)的先進(jìn)設(shè)備，為熱特性測(cè)試帶來了革命性的解決方案。
一、T3ster 熱阻測(cè)試儀簡介
T3ster 熱阻測(cè)試儀由專業(yè)的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備制造商研發(fā)，是一款專注于半導(dǎo)體器件封裝熱特性測(cè)試的精密儀器。它能在數(shù)分鐘內(nèi)快速提供各類封裝的詳細(xì)熱特性數(shù)據(jù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子應(yīng)用和 LED 行業(yè)以及研發(fā)實(shí)驗(yàn)室等領(lǐng)域。其系統(tǒng)融合了功能強(qiáng)大的軟件與先進(jìn)的硬件，具備極高的測(cè)試精度與可靠性。
二、T3ster 的測(cè)試原理與方法
（一）測(cè)試原理
T3ster 采用基于電學(xué)法的熱瞬態(tài)測(cè)試技術(shù)。通過改變電子器件的功率輸入，使得器件產(chǎn)生溫度變化。在這個(gè)過程中，T3ster 尋找器件內(nèi)部具有溫度敏感特性的電學(xué)參數(shù)，如 PN 結(jié)的正向結(jié)電壓等。利用測(cè)試設(shè)備對(duì)這些溫度敏感參數(shù)（TSP）進(jìn)行監(jiān)測(cè)，通過測(cè)量 TSP 的變化來精確得到結(jié)溫的變化情況。當(dāng)器件的功率發(fā)生改變時(shí)，結(jié)溫會(huì)從一個(gè)熱穩(wěn)定狀態(tài)轉(zhuǎn)變到另一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，T3ster 能夠精準(zhǔn)記錄結(jié)溫的瞬態(tài)變化過程，包括升溫與降溫過程 。
（二）測(cè)試方法
靜態(tài)測(cè)試法：符合 JEDEC JESD51-1 標(biāo)準(zhǔn)中描述的靜態(tài)測(cè)試方法。T3ster 通過持續(xù)改變電子器件的輸入功率，讓器件達(dá)到熱平衡狀態(tài)后，在冷卻過程中進(jìn)行連續(xù)測(cè)試，實(shí)時(shí)采集器件的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線。這種方法能夠全面獲取熱流傳導(dǎo)路徑中每層結(jié)構(gòu)的詳細(xì)熱學(xué)信息，包括熱阻和熱容參數(shù) 。
動(dòng)態(tài)測(cè)試方法：也稱為脈沖加熱單點(diǎn)測(cè)試。通過對(duì)器件施加脈沖式的功率輸入，然后進(jìn)行單點(diǎn)測(cè)試，同樣可以獲取器件的瞬態(tài)熱特性數(shù)據(jù) 。
三、T3ster 的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
（一）設(shè)置簡單，操作便捷
T3ster 無需復(fù)雜的測(cè)試流程。
展開 美國AnalysisTec公司的Phase11熱阻測(cè)試儀和MicRed公司的T3Ster熱阻測(cè)試儀是兩款比較有影響力的商業(yè)化熱阻測(cè)試儀。Phase11適用于三極管、MOSFET、二極管和IGBT等器件的熱阻測(cè)試，操作復(fù)雜，測(cè)量周期長。T3Ster可以測(cè)量常見三極管、常見二極管、MOS管和LED等半導(dǎo)體器件的熱阻。該儀器利用結(jié)構(gòu)函數(shù)處理可以分析出熱流路徑上各組成熱阻。接下來我們就重點(diǎn)介紹一下T3Ster熱阻測(cè)試儀。
Phase11熱阻測(cè)試儀
T3Ster熱阻測(cè)試儀
T3Ster是MicReD研發(fā)的熱測(cè)試儀，運(yùn)用JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法，專業(yè)測(cè)試分離或集成的雙極型晶體管、MOS晶體管、常見的三極管、LED封裝和半導(dǎo)體閘流管等器件的熱特性。它能測(cè)試具有單獨(dú)加熱器和溫度傳感器的熱測(cè)試芯片，以及PCB和導(dǎo)熱材料的熱特性。T3Ster通過改變器件輸入功率使其產(chǎn)生溫度變化，測(cè)試出芯片的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線，在幾分鐘之內(nèi)即可分析得到關(guān)于該電子器件的全面的熱特性。與基于脈沖方法的熱測(cè)試儀不同，T3Ster采用實(shí)時(shí)測(cè)量方法，能快速準(zhǔn)確地捕捉溫度瞬態(tài)曲線。它可通過在固定電流下測(cè)量PN結(jié)上的壓降實(shí)現(xiàn)PN結(jié)溫度隨時(shí)間的變化規(guī)律。計(jì)算機(jī)通過接口插件與設(shè)備相連并對(duì)其進(jìn)行控制，試驗(yàn)結(jié)果實(shí)時(shí)顯示，并由軟件進(jìn)行控制和后處理。結(jié)構(gòu)函數(shù)的計(jì)算利用NID（Networkidentificationbydeconvolution，反卷積網(wǎng)絡(luò)計(jì)算）方法，要求采集的試驗(yàn)數(shù)據(jù)非常準(zhǔn)確且連續(xù)，以保證結(jié)果準(zhǔn)確性。T3Ster測(cè)試儀的瞬態(tài)數(shù)據(jù)采集精度高達(dá)1μs，可精確捕捉每一個(gè)溫度的瞬態(tài)變化，保證了分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。其高信噪比可允許精細(xì)測(cè)量，在測(cè)量封裝的結(jié)溫時(shí)具有較高的精度。
展開 美國AnalysisTec公司的Phase11熱阻測(cè)試儀和MicRed公司的T3Ster熱阻測(cè)試儀是兩款比較有影響力的商業(yè)化熱阻測(cè)試儀。Phase11適用于三極管、MOSFET、二極管和IGBT等器件的熱阻測(cè)試，操作復(fù)雜，測(cè)量周期長。T3Ster可以測(cè)量常見三極管、常見二極管、MOS管和LED等半導(dǎo)體器件的熱阻。該儀器利用結(jié)構(gòu)函數(shù)處理可以分析出熱流路徑上各組成熱阻。接下來我們就重點(diǎn)介紹一下T3Ster熱阻測(cè)試儀。
Phase11熱阻測(cè)試儀
T3Ster熱阻測(cè)試儀
T3Ster是MicReD研發(fā)的熱測(cè)試儀，運(yùn)用JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法，專業(yè)測(cè)試分離或集成的雙極型晶體管、MOS晶體管、常見的三極管、LED封裝和半導(dǎo)體閘流管等器件的熱特性。它能測(cè)試具有單獨(dú)加熱器和溫度傳感器的熱測(cè)試芯片，以及PCB和導(dǎo)熱材料的熱特性。T3Ster通過改變器件輸入功率使其產(chǎn)生溫度變化，測(cè)試出芯片的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線，在幾分鐘之內(nèi)即可分析得到關(guān)于該電子器件的全面的熱特性。與基于脈沖方法的熱測(cè)試儀不同，T3Ster采用實(shí)時(shí)測(cè)量方法，能快速準(zhǔn)確地捕捉溫度瞬態(tài)曲線。它可通過在固定電流下測(cè)量PN結(jié)上的壓降實(shí)現(xiàn)PN結(jié)溫度隨時(shí)間的變化規(guī)律。計(jì)算機(jī)通過接口插件與設(shè)備相連并對(duì)其進(jìn)行控制，試驗(yàn)結(jié)果實(shí)時(shí)顯示，并由軟件進(jìn)行控制和后處理。結(jié)構(gòu)函數(shù)的計(jì)算利用NID（Networkidentificationbydeconvolution，反卷積網(wǎng)絡(luò)計(jì)算）方法，要求采集的試驗(yàn)數(shù)據(jù)非常準(zhǔn)確且連續(xù)，以保證結(jié)果準(zhǔn)確性。T3Ster測(cè)試儀的瞬態(tài)數(shù)據(jù)采集精度高達(dá)1μs，可精確捕捉每一個(gè)溫度的瞬態(tài)變化，保證了分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。其高信噪比可允許精細(xì)測(cè)量，在測(cè)量封裝的結(jié)溫時(shí)具有較高的精度。
展開 目前，測(cè)量LED熱阻常用且可靠的方法是采用電學(xué)參數(shù)法，其中使用了T3ster設(shè)備。T3Ster是一款先進(jìn)的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測(cè)試儀器，可以在幾分鐘內(nèi)提供各類封裝的熱特性數(shù)據(jù)。該設(shè)備基于JEDEC的‘StaticMethod’測(cè)試方法（JESD51-1），通過改變電子器件的輸入功率來使器件產(chǎn)生溫度變化，從而測(cè)量器件的瞬態(tài)熱特性。
SimcenterT3Ster是一款先進(jìn)的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測(cè)試儀器，在數(shù)分鐘內(nèi)提供各類封裝的熱特性數(shù)據(jù)。T3Ster專為半導(dǎo)體、電子應(yīng)用和LED行業(yè)以及研發(fā)實(shí)驗(yàn)室的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。系統(tǒng)包括易用的軟件部分和硬件部分，T3Ster用來測(cè)量封裝半導(dǎo)體器件以及其他電子設(shè)備的瞬態(tài)熱特性，測(cè)量的器件包括分離或集成的雙極型晶體管、MOS晶體管、常見三極管、LED封裝和半導(dǎo)體閘流管，各種封裝類型的器件和微機(jī)電系統(tǒng)的一些部件。因其配備的專業(yè)的設(shè)備和軟件，它也能測(cè)試PWB、MCPCB以及其他基板、熱界面材料或冷卻組件的熱特性。
SimcenterT3Ster提供無可匹敵的精確度和高重復(fù)性的熱阻抗數(shù)據(jù)，它的多通道配置能夠以最少的測(cè)試獲得幾乎所有封裝種類的特性。它提供極其精確的溫度測(cè)量（0.01°C，使用二極管傳感器，靈敏度：2mV/°C，假設(shè)50mV溫度引起步進(jìn)電壓的改變），測(cè)試啟動(dòng)時(shí)間1微秒。與其他測(cè)試系統(tǒng)不同，T3Ster直接測(cè)試實(shí)際熱阻抗曲線?封裝半導(dǎo)體設(shè)備的熱瞬態(tài)反應(yīng)，而不是人為地將單個(gè)反應(yīng)組合。
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T3ster 熱阻測(cè)試儀作為行業(yè)內(nèi)的先進(jìn)設(shè)備，為熱特性測(cè)試帶來了革命性的解決方案。
一、T3ster 熱阻測(cè)試儀簡介
T3ster 熱阻測(cè)試儀由專業(yè)的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備制造商研發(fā)，是一款專注于半導(dǎo)體器件封裝熱特性測(cè)試的精密儀器。它能在數(shù)分鐘內(nèi)快速提供各類封裝的詳細(xì)熱特性數(shù)據(jù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子應(yīng)用和 LED 行業(yè)以及研發(fā)實(shí)驗(yàn)室等領(lǐng)域。
接下來我們就重點(diǎn)介紹一下T3Ster熱阻測(cè)試儀。
Phase11熱阻測(cè)試儀
T3Ster熱阻測(cè)試儀
T3Ster是MicReD研發(fā)的熱測(cè)試儀，運(yùn)用JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法，專業(yè)測(cè)試分離或集成的雙極型晶體管、MOS晶體管、常見的三極管、LED封裝和半導(dǎo)體閘流管等器件的熱特性。
接下來我們就重點(diǎn)介紹一下T3Ster熱阻測(cè)試儀。
Phase11熱阻測(cè)試儀
T3Ster熱阻測(cè)試儀
T3Ster是MicReD研發(fā)的熱測(cè)試儀，運(yùn)用JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法，專業(yè)測(cè)試分離或集成的雙極型晶體管、MOS晶體管、常見的三極管、LED封裝和半導(dǎo)體閘流管等器件的熱特性。它能測(cè)試具有單獨(dú)加熱器和溫度傳感器的熱測(cè)試芯片，以及PCB和導(dǎo)熱材料的熱特性。
與其他測(cè)試系統(tǒng)不同，T3Ster直接測(cè)試實(shí)際熱阻抗曲線?封裝半導(dǎo)體設(shè)備的熱瞬態(tài)反應(yīng)，而不是人為地將單個(gè)反應(yīng)組合。
本方案如圖所示，熱瞬態(tài)測(cè)試儀T3Ster能夠?qū)ED的光熱效應(yīng)進(jìn)行同時(shí)跟蹤；利用T3Ster主機(jī)可以實(shí)現(xiàn)LED熱阻模型的實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果可直接產(chǎn)生FloEFD仿真中所需的模型；同時(shí)配合Teral LED儀器，可以用積分球邊熱測(cè)試邊檢測(cè)LED光通量，實(shí)現(xiàn)了光熱一體化檢測(cè)方案，為使用者實(shí)現(xiàn)流明要求，且符合熱學(xué)要求，降低設(shè)計(jì)余量，進(jìn)行高精度設(shè)計(jì)，提供一個(gè)有力工具。
一直以來，坤道專注于熱仿真和熱測(cè)試領(lǐng)域，為電子半導(dǎo)體、汽車、航天航空等行業(yè)提供Simcenter FloEFD/Flotherm Flexx/Flomaster等流體傳熱仿真軟件解決方案和Simcenter T3STER熱阻測(cè)試、Simcenter POWERTESTER功率循環(huán)測(cè)試、SanjSCOPETM 熱反射率成像系統(tǒng)等硬件解決方案。
某型號(hào)芯片熱仿真模型校準(zhǔn)前后的節(jié)溫比較
模型校準(zhǔn)前后，在第一個(gè)脈沖結(jié)束時(shí)溫度分布對(duì)比
Flotherm軟件可以和T3ster熱阻測(cè)試儀聯(lián)合應(yīng)用，對(duì)模型進(jìn)行校準(zhǔn)。其校準(zhǔn)流程如圖所示。
采用掃描電子顯微鏡(SEM，F(xiàn)EI Nova Nano SEM450)觀察不同燒結(jié)溫度下納米銀膏的微觀形貌及發(fā)光二極管樣品的橫截面結(jié)構(gòu)．采用熱阻測(cè)試儀(T3Ster-Master，Mentor Graphics)測(cè)量發(fā)光二極管樣品的熱阻和結(jié)溫變化，測(cè)試電流設(shè)置為1 mA，加熱電流設(shè)置為350 mA．采用積分球(HAAS-2000，Everfine)測(cè)量發(fā)光二極管樣品在變電流下的光功率．采用紅外熱像儀
客戶如何接觸到T3Ster
T3Ster熱阻測(cè)試儀在市場(chǎng)上廣受認(rèn)可，很多企業(yè)實(shí)驗(yàn)室會(huì)選擇這款儀器來使用。通過庭田科技公司的專家顧問團(tuán)隊(duì)給予的售前技術(shù)支持，聚燦光電更全面的了解到T3Ster無可比擬的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。
客戶為何選擇T3Ster？
西門子提供了一種獨(dú)特的測(cè)試方法，稱為Simcenter T3Ster(熱瞬態(tài)測(cè)試儀)，可以在半導(dǎo)體芯片上施加功率階躍，并測(cè)量其相應(yīng)的熱響應(yīng)。“單位功率階躍響應(yīng)”是熱系統(tǒng)的特征，因此封裝的傳遞函數(shù)很容易計(jì)算。
圖6: T3Ster熱瞬態(tài)測(cè)試方法
因此，封裝可以用由數(shù)百個(gè)元件組成的等效熱R-C網(wǎng)絡(luò)來建模。對(duì)于一維散熱情況，這些R-C元件與封裝各結(jié)構(gòu)層的真實(shí)熱特性密切相關(guān)。
