寄生參數的案例
[仿真分享]利用CST的RLC求解器提取IGBT的局部寄生參數
最近有同學問小編CST是否可以提取3D模型的局部寄生參數。其實CST官方公眾號里面寫了好幾篇關于寄生參數提取的文章。而且CST的library里面也有相關案例。正好小編最近也在擺弄IGBT的模型。那么小編今天就來舉個栗子，分享一個利用CST的提取IGBT的局部寄生參數。
因為我們要提取的是局部寄生參數，所以這里不能用CST的高頻工作室，如果用高頻工作室的S參數去提取寄生參數，那么提取的就不是局部的寄生參數了，而是環路的寄生參數。所以這里我們需要用到CST里面低頻工作室的RLC求解器。
首先建立仿真項目的時候如圖所示
然后選擇Home-->simulation-->Partial RLC Solver
導入IGBT模型。如圖所示。注意：如果要把IGBT模型的管腳也加入到寄生參數提取里面，那么管腳的材料不能用PEC，我這邊改成銅了。
邊界條件全部設置為電壁
選擇Sources and Loads-->RLC Node
小編這邊選擇仿真這個IGBT模塊下橋的其中一個IGBT裸die和反向續流二極管的寄生參數，如何建立Node，可以去CST官網公眾號去找方法，寫的很詳細，沒必要再講一遍。如圖，這些綠色的點就是我建立的Node，分別設置了IGBT的集電極和柵極這兩路的寄生參數提取。
在求解器設置里面設置pair，代表兩個Node的進出關系，如圖
求解得到：
IGBT上走線，包括綁定線，銅層，引腳的寄生電感和電阻如圖，這里不是任意兩個Node之間的寄生電感和電阻。
寄生電容如圖，這里仿得結果是任意兩個Node之間的寄生電容。
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本文摘自微信公眾號：CST電磁兼容性仿真
如果對CST電磁兼容性仿真感興趣的朋友可以關注或者掃描我的微信公眾號二維碼
最近有同學問小編CST是否可以提取3D模型的局部寄生參數。其實CST官方里面寫了好幾篇關于寄生參數提取的文章。而且CST的library里面也有相關案例。正好小編最近也在擺弄IGBT的模型。那么小編今天就來舉個栗子，分享一個利用CST的提取IGBT的局部寄生參數。
因為我們要提取的是局部寄生參數，所以這里不能用CST的高頻工作室，如果用高頻工作室的S參數去提取寄生參數，那么提取的就不是局部的寄生參數了，而是環路的寄生參數。所以這里我們需要用到CST里面低頻工作室的RLC求解器。
首先建立仿真項目的時候如圖所示
然后選擇Home-->simulation-->Partial RLC Solver
導入IGBT模型。如圖所示。注意：如果要把IGBT模型的管腳也加入到寄生參數提取里面，那么管腳的材料不能用PEC，我這邊改成銅了。
邊界條件全部設置為電壁
選擇Sources and Loads-->RLC Node
小編這邊選擇仿真這個IGBT模塊下橋的其中一個IGBT裸die和反向續流二極管的寄生參數，如何建立Node，可以去CST官網去找方法，寫的很詳細，沒必要再講一遍。如圖，這些綠色的點就是我建立的Node，分別設置了IGBT的集電極和柵極這兩路的寄生參數提取。
在求解器設置里面設置pair，代表兩個Node的進出關系，如圖
求解得到：
IGBT上走線，包括綁定線，銅層，引腳的寄生電感和電阻如圖，這里不是任意兩個Node之間的寄生電感和電阻。
寄生電容如圖，這里仿得結果是任意兩個Node之間的寄生電容。
展開 行業應用方案 | 功率電子與電源系統
功率電子與電源系統開環分析
功率電子與電源系統閉環分析
電源負載能力分析
四、電磁兼容分析
利用Ansys仿真工具，可以提取功率電子與電源系統中隱藏的寄生參數，如RLGC等，結合電路系統分析，評估引起電磁干擾問題的潛藏電路，并對其進行濾波、屏蔽等優化設計，協助用戶解決系統的電磁兼容問題。
電路板寄生參數提取
線纜寄生參數提取
寄生參數與電路系統聯合仿真分析
五、多物理域分析
對于功率電子與電源系統，除了電磁方面的性能需要滿足要求外、其結構和散熱影響產品的穩定性和使用壽命，也是非常重要的性能指標。Ansys可以采用電磁場-結構的耦合仿真、電磁場-流體的耦合仿真來評估和優化功率電子與電源系統的多物理域性能。
展開 光纖溫度傳感器測試阻抗匹配器內部溫度技術方案
元件的阻抗受很多因素影響
頻率
由于存在寄生參數，因此頻率對所有實際元件都有影響。并非所有的寄生參數都會影響測量結果，但正是某些主要的寄生參數確定了元件的頻率特性。當主要元件的阻抗值不同時，主要的寄生參數也會有所不同。圖1至圖3示出實際的電阻器、電感器和電容器的典型頻率響應。
測試信號
交流信號電平的影響（電容）：與交流電壓有關的SMD 電容（具有不同的介電常數, K） 受交流測試電壓的影響如圖4所示。
磁芯電感器受線圈材料的電磁回滯特性影響，線圈電感的感值會隨著測試信號電流變化而變化，如圖5所示。
直流偏置
直流偏置也會改變器件的特性。大家都知道直流偏置會影響半導體器件（比如二極管和晶體管以及其他被動器件/無源器件）的特性。對于具有高介電常數材料制成的電容來說，器件上所加的直流偏置電壓越高，電容的變化越大。
對于磁芯電感器，電感隨流過線圈的直流變化而變化，這主要應歸于線圈材料的磁通飽和特性。現在，開關電源非常普遍。電力電感通常用于濾波由于高電流開關的射頻干擾和噪聲。為了保持好的濾波特性，減小大電流的紋波，電力電感必須在工作條件下測量其特性，以保證電感的滾將特性不影響其工作特性。
溫度
大多數器件都容易受溫度影響。對于電阻、電感和電容，溫度特性是非常重要的規范參數。溫度效應的考慮，阻抗匹配電路的性能在不同溫度下可能會發生變化，特別是500-700kHz低頻段, 阻抗變化受溫度影響尤其嚴重。
展開 
電磁仿真在PCB、封裝、芯片上的應用
首先，在高度集成的封裝芯片中，很多時候寄生參數的影響是我們非常不希望出現的，它會降低電路的速度、改變頻率響應或者帶來一些意想不到的影響。而電磁仿真軟件能很好的解決這個問題，能抽取結構內部寄生參數，進行多種電路、多端口等效，根據不同需求生成不同的等效電路：
IC 模型
下圖是對 IC 芯片模型中二端口等效模型及寄生參數抽取情況：
等效電路圖
當然，S參數作為高頻信號傳輸質量的基本指標，也是電磁仿真必不可少的參數。通過電磁仿真軟件能對各種精細結構進行仿真，得到相應的S參數，并輸出SPICE模型，下圖就是仿真和實測的對比（如下圖所示）：
而眼圖、等高曲線、盆浴曲線是評估信號傳輸好壞的標準，通過電磁仿真能輕易得到相應的各種參數（如下圖所示）：
眼圖
而電源完整性問題，也會導致各種SI、EMIEMC問題，所以對電源完整性分析也必不可少。電源完整性分析主要包括直流壓降分析，交流去耦分析，平面噪聲分析和模型提取等（如下圖所示）。
噪聲分析
DC IRdrop
局部電流分布
對于芯片\封裝的EMIEMC問題，大多數時候我們都可以按照一定的規則去排版、布局，改善EMI/EMC問題。但通過人為去檢查優化高密集度的芯片\封裝線路，顯得很不合理。這時候我們必須得借助軟件，分析封裝芯片的線路布局、走線交叉、參考平面變化、屏蔽層和過孔檢查，快速定位電路板上潛在問題，避免引起EMI/EMC、SI 或PI 等錯誤。
規則檢查
隨著微電子技術的飛速發展，芯片的尺寸越來越小，同時運算速度越來越快，發熱量也就越來越大，這就對芯片的散熱提出更高的要求。
展開 電動汽車電機驅動系統EMC設計及測試研究
開關頻率通常不在標準考核的傳導及輻射騷擾頻段以內，但由于連接通路上寄生參數的存在，開關過程中會產生瞬態的電壓電流震蕩，該震蕩頻率與具體寄生參數有關，通常分布在5MHz～20MHz。
圖2、圖3分別為IGBT模塊連接回路寄生參數示意及某控制器脈沖實驗測試到的IGBT模塊關斷過程中的電壓震蕩波形。其中ESR及ESL為回路寄生電阻、電感，Coes、Cies、Cres為IGBT模塊的寄生電容。
通過儀器測試，該連接回路的寄生電感為35nH，IGBT單元的規格書中提供的輸出等效電容為2.9nF，可以計算出回路諧振頻率為15.8MHz，與測試波形中的震蕩頻率基本一致，且通過波形可以看出，該瞬態信號在電壓及電流信號中都有表現，并可能通過驅動電路傳導至低壓電路部分。圖2中還包含開關過程中電壓上升速率du/dt等效的電壓騷擾信號，該上升時間約200ns，通過傅里葉分析可以得到其諧波在開關頻率至50M之間都有分布，幅值隨頻率升高而降低。
低壓電源轉換電路及晶振電路也是騷擾產生的源頭，GB/T36282—2018標準中的窄帶測試便是主要針對這一部分。由于功率密度的限制，低壓電源轉換電路多數均使用開關電源，典型的有Flyback、Buck等電路形式，目前主流的管理芯片如TI公司的TPS54331等，開關頻率約為500kHz左右，是傳導騷擾及部分標準中輻射騷擾關注的低頻段區域。典型的微控制芯片如TI公司的TMS320FC2000系列及Infenion公司的XC166系列，工作主頻均在100MHz以上，適配的外部有源晶振集中于20MHz附近，也屬于傳導騷擾及輻射騷擾監測的頻率范圍。
除以上電路部分外，控制器調制方式引起的電機等效中性點對地的共模電壓，也是電機驅動系統中固有的騷擾來源。
展開 電動汽車電機驅動系統EMC設計及測試研究
開關頻率通常不在標準考核的傳導及輻射騷擾頻段以內，但由于連接通路上寄生參數的存在，開關過程中會產生瞬態的電壓電流震蕩，該震蕩頻率與具體寄生參數有關，通常分布在5MHz～20MHz。
圖2、圖3分別為IGBT模塊連接回路寄生參數示意及某控制器脈沖實驗測試到的IGBT模塊關斷過程中的電壓震蕩波形。其中ESR及ESL為回路寄生電阻、電感，Coes、Cies、Cres為IGBT模塊的寄生電容。
通過儀器測試，該連接回路的寄生電感為35nH，IGBT單元的規格書中提供的輸出等效電容為2.9nF，可以計算出回路諧振頻率為15.8MHz，與測試波形中的震蕩頻率基本一致，且通過波形可以看出，該瞬態信號在電壓及電流信號中都有表現，并可能通過驅動電路傳導至低壓電路部分。圖2中還包含開關過程中電壓上升速率du/dt等效的電壓騷擾信號，該上升時間約200ns，通過傅里葉分析可以得到其諧波在開關頻率至50M之間都有分布，幅值隨頻率升高而降低。
低壓電源轉換電路及晶振電路也是騷擾產生的源頭，GB/T36282—2018標準中的窄帶測試便是主要針對這一部分。由于功率密度的限制，低壓電源轉換電路多數均使用開關電源，典型的有Flyback、Buck等電路形式，目前主流的管理芯片如TI公司的TPS54331等，開關頻率約為500kHz左右，是傳導騷擾及部分標準中輻射騷擾關注的低頻段區域。典型的微控制芯片如TI公司的TMS320FC2000系列及Infenion公司的XC166系列，工作主頻均在100MHz以上，適配的外部有源晶振集中于20MHz附近，也屬于傳導騷擾及輻射騷擾監測的頻率范圍。
除以上電路部分外，控制器調制方式引起的電機等效中性點對地的共模電壓，也是電機驅動系統中固有的騷擾來源。
展開 整車電器安全性關鍵技術研究
圖7 RKE天線最佳位置仿真
圖8 TPMS天線最佳位置仿真
2.2 基于寄生參數提取的電磁兼容建模技術
現有的整車電磁干擾問題往往很難在整車量產前被識別，成為影響整車電器安全的潛在風險源，行業內的電磁兼容仿真精度不高，與實車狀況差異較大。同時如點火系統這類強電磁干擾源，其在工作過程中所形成的高強度和寬頻帶的電磁騷擾以傳導和輻射耦合的方式嚴重影響著車內電器設備的正常工作。
為解決這一難題，提出了—種基干寄生參數建模的整車系統級電磁兼容仿真分析技術，對點火系統等強干擾源進行有效抑制。該技術通過提取點火系統各組件的寄生參數，建立組件的等效電路模型，用等效阻抗的測試和仿真結果，驗證組件模型的正確性。
最后，集成各組件電路模型獲得影響點火系統EMI特性的多參數仿真模型（圖9），為點火系統的EMI抑制措施的確定提供了指導。
圖9 點火組件的寄生參數提取及等效電路模型驗證
基于多參數優化，有效降低了點火系統電磁干擾抑制技術應用于整車后，有效降低常規燃油汽車及混合動力汽車工作過程中形成的電磁干擾（圖10）。整車的GB14023電磁兼容法規的一次性通過率從0提升到100%。
圖10 點火系統EMI抑制效果
3. 整車電器架構到制造風險控制的連接系統化設計方法和驗收標準
連接系統故障頻發，以往簡單地歸結于供應商的制造水平差，掩蓋了線束設計方面的缺陷，導致連接系統可靠性提升乏力。
展開 哈爾濱理工大學蔡蔚教授團隊研究成果：SiC 功率模塊封裝技術及展望
圖4 長度、直徑、并聯根數對鍵合線電感的影響
曾正等的研究表明，芯片功率回路的寄生電容主要由DBC陶瓷層的寄生電容決定，可表示為
Cσ=ε0εr(w1+2a1)2h3
（2）
式中：
ε0=8.85×10?12 F/m
，表示真空介電常數；
εr=9
，表示Al2O3陶瓷相對介電常數，對于陶瓷AIN和陶瓷Si3N4，相對介電常數分別等于8.8和6.7。
寄生參數分布仿真結果如圖5所示，經驗證與
式（1）和
式（2）的數據擬合結果基本一致。
圖5 寄生參數分布
由圖4和圖5還可明顯看出各個關鍵變量對寄生參數的影響規律。鍵合線長度越短、直徑越大，寄生電感越小，其中鍵合線長度對寄生電感影響更顯著；陶瓷層越厚、面積越小，寄生電容越小，其中陶瓷層厚度對寄生電容影響更顯著。
降低開關器件換流回路中電流流通路徑所通過的面積，可以減小雜散電感，將上半橋SiC MOSFET的續流二極管和下半橋的SiC MOSFET進行位置互換，減小換流路徑的導通面積，可降低雜散電感，如圖6所示，其仿真結果如圖7所示。
展開 微波射頻電路、IC及微系統設計領域有哪些前沿技術挑戰？
1、微波射頻器件
微波射頻無源、有源器件設計
濾波器
連接器
放大器、雙工器、環形器
LTCC工藝器件設計
微波單片集成電路（MMIC）設計
2、場路協同
電磁場與電路協同仿真更準確評估天線與射頻系統的整體性能
陣列天線饋電網絡(波導、微帶、帶狀線、同軸)
功分器設計與優化
T/R組件(饋電網路、移相器、功率放大器、雙工器、開關、衰減器、波束控制)
天線與射頻電路系統級協同仿真
3、射頻微系統
芯片-封裝-系統的全面微系統級仿真，充分評估復雜工況和極小尺寸下的產品性能
系統鏈路指標分析
射頻模塊電路級設計
三維版圖寄生參數提取
熱設計
4、微放電
航天級微波部件微放電效應仿真
微波器件微放電效應（二次電子倍增效應）
航天級濾波器、連接器、環形器等
二次電子發射系數SEY定義
微放電功率閾值預測
微放電粒子運動
5、微波射頻器件多物理場仿真
Ansys 電子桌面AEDT電-熱-結構多物理場仿真平臺
AEDT平臺上的電-熱-結構雙向耦合
濾波器溫度漂移補償設計
面向電子工程師更直接、便捷的多物理場仿真
6、芯片級電磁干擾
先進SoC設計中電磁串擾解決方案
芯片級電感、變壓器和傳輸線建模與設計
無限容量LVS前電磁寄生參數RLCk提取
LVS后寄生參數RLCk提取，計算電、磁和基板耦合模型，分析設計層級中不同塊體之間的電磁串擾
相關工具/解決方案：
微波射頻電路與系統全方位的設計和優化解決方案
三維電磁場仿真黃金求解器HFSS
電路與系統仿真器Circuit Solver
集成多物理場仿真的電子桌面AEDT (HFSS-Icepak-Mechanical)
芯片級電磁干擾解決方案
展開 精確建模，無縫集成 | 《ANSYS電機驅動系統設計仿真解決方案》現已開放領取
IGBT應用及封裝設計
· IGBT特征化建模和開關特性測試
· IGBT寄生參數提取及系統性能分析
· IGBT電磁性能分析和傳導路徑優化
· IGBT多物理場耦合特性分析
· IGBT熱模型提取及系統性能分析
· IGBT輻射干擾分析
2. 驅動/控制系統設計
3. 永磁同步電機降階模型抽取
· 永磁同步電機降階模型原理
· ECE模型提取流程（以永磁同步電機PMSM為例）
· IPM電機ECE模型抽取
· 矢量控制算法仿真（Clark、Park、SVPWM）
4. 控制代碼自動生成
· 功能原理
· 模塊構成
----SCADE Suite Advanced Modeler（高級建模器）
----SCADE Suite MTC（模型覆蓋率分析）
----SCADE Suite KCG（代碼生成器）
----SCADE Suite RM GATEWAY（需求管理工具）
· 應用方案技術指標
· 應用方案特點
5. 電驅動系統集成化設計
6. 電驅動系統EMI/EMC
· 重要性
· 技術難題
· ANSYS解決方案
· ANSYS解決方案的典型應用
----線纜選型和寄生參數提取
----線纜電磁輻射分析與布局優化
----電磁設備傳導及輻射特性分析
----PCB控制板的電磁干擾分析
----機箱機柜屏蔽效能分析
----系統電磁環境對醫療設備的干擾
----系統設備布局和電磁隔離度分析
7. 電驅動系統熱設計
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Ansoft產品 > TPA
對于在高速電路設計中要求極度準確的RLC值可用分布參數表示。RLC輸出可用矩陣格式或SPICE子電路格式。
TPA從設計者的封裝設計工具中直接讀入布板數據并自動產生RLC寄生參數和SPICE模型，這些布板有CadenceAPD、Avant!Encore、Zuken CR-5000等。TPA具有在封裝中自動產生每條線及相關耦合線的RLC模型。一旦用戶確定導線及周圍導線的數目，由軟件自動算出該線參數和互耦參數。
TPA的寄生參數提取器是采用邊界元和快速矩陣壓縮算法，比起其它參數提出方法，可快速、準確地提取整板的等效電路模型。用戶可以按自己的要求選擇輸出SPICE模型格式，如：Maxwell Spice、HSPICE、PSPICE等。
TPA 也可以讓用戶選擇部分單元等效電路（PEEC）方法來產生分布參數的三維模型。PEEC方法主要用在導體長度與波長相比擬及電流稠密和趨膚深度很大的情況。TPA能分析任意形狀的電源及地結構，包括整塊和網格平面。設計時，可改變VDD/VSS數，所形成的模型可用于同步開關輸出噪聲（SSO）分析。
TPA設計流程
來自Ansoft中國
展開 仿真案例｜SIwave瞬態分析的CPM模型
翻譯：上海安世亞太
電源分配網絡(PDN)時域噪聲分析是SI/PI/EMI分析的一個重要部分，SIwave可以利用CPM的電流PWL文件作為瞬態分析的電流負載，結合C4bump的RLC寄生參數，給出更真實和準確的噪聲值。
傳統的電源分配網絡（PDN）PI分析只致力于系統的頻域和直流性能分析。結合芯片級無源寄生參數和有源電流信息，借助封裝/PCB級電磁提取技術，用戶可以更準確地識別更真實的PDN時域噪聲。這也有利于更精確的信號完整性（SI）和電磁干擾（EMI）分析。芯片功耗模型（CPM）是一種SPICE網表格式，包括芯片C4bump的PDN寄生和晶體管級電流源，這些電流源為每個bump重新生成電流，這對于封裝和PCB的PDN時域分析至關重要。
ANSYS SIwave提供了一個可以導入CPM模型的設計流程，并與ANSYS電路仿真器進行聯合仿真，用于進行PDN瞬態噪聲分析。
為PDN瞬態噪聲配置的CPM模型
PDN結構涉及3個主要組成部分：電壓調節模塊(VRM)、封裝和PCB以及芯片負載。VRM將被建模為理想的電壓源；分配端口后，將由SIwave電磁場求解器提取封裝和PCB；在CPM模型中描述芯片負載行為。所有這三個部分都將在ANSYS Electronics Desktop中使用電路仿真器進行級聯，以執行瞬態分析。
SIwave使用CPM的pin分組信息自動定義PDN芯片連接側的端口。這些端口將與電路中CPM模型的節點相匹配。用戶需要在SIwave中手動定義VRM側的pin分組和端口。
請注意，CPM模型中已經包含芯片焊盤參數，用戶不應再在SIwave封裝/PCB提取中包含此信息。為此，將使用一個PLOC文件來定義僅在SIWave中的pin分組和端口。
展開 注意！這些PCB布局陷阱會毀掉你板子
該圖為PCB橫截面（與圖5類似），表示用于計算微帶線阻抗的結構
為評估引線長度的影響，確定引線寄生參數對理想電路的去諧效應更實用。
本例中，我們討論雜散電容和電感。用于微帶線的特征電容標準方程為：
同理，可利用上述方程從方程式
中計算得到特征電感：
舉例說明，假設PCB厚度為0.0625in （h = 62.5 mil），1盎司覆銅引線（t = 1.35 mil），寬度為0.01in （w = 10 mil），采用FR-4電路板。注意，FR-4的εr典型值為4.35法拉/米（F/m），但范圍可從4.0F/m至4.7F/m。本例計算得到的特征值為Z0 = 134Ω，C0 = 1.04pF/in，L0 = 18.7nH/in。
對于ISM-RF設計中，電路板上布局長度為12.7mm （0.5in）的引線，可產生大約0.5pF和9.3nH的寄生參數（圖8）。這一等級的寄生參數對于接收器諧振槽路的影響（LC乘積的變化），可能產生 315MHz ±2%或433.92MHz ±3.5%的變化。由于引線寄生效應所產生的附加電容和電感，使得315MHz振蕩頻率的峰值達到312.17MHz，433.92MHz振蕩頻率的峰值 達到426.61MHz。
圖8. 一個緊湊的PCB布局，寄生效應會對電路產生影響
另外一個例子是Maxim的超外差接收機（MAX7042）的諧振槽路，推薦使用的元件在315MHz時為1.2pF和30nH；433.92MHz時為0pF和16nH。
展開 華大九天方案正式進入TowerJazz設計參考流程
同時，基于華大九天模擬/混合信號全流程IC設計平臺的工藝數據包，包括PDK, Spice模型, 物理驗證規則集以及寄生參數提取規則文件等，已被上傳至TowerJazz的eBiz系統供雙方客戶下載。
華大九天的模擬/混合信號IC設計全流程解決方案包括電路原理圖編輯器(Empyrean Aether? SE)、電路仿真器(Empyrean ALPS?)、版圖編輯器(Empyrean Aether? LE)、物理驗證工具（Empyrean Argus?）及RC寄生參數提取工具（Empyrean RCExplorer?）。
TowerJazz提供了廣泛、可定制的工藝技術，包括高性能模擬應用(HPA)的鍺硅(SiGe) BiCMOS工藝和基于Bulk或SOI的CMOS射頻（RF CMOS）工藝；CMOS圖像傳感器（CIS）工藝；BCD和700V的電源管理工藝（Power Management），并支持有獨立專利的非揮發性存儲器（NVM）Y-Flash；CMOS工藝；混合信號工藝（Mixed Signal）以及MEMS技術能力，專注于新一代汽車電子、醫療、工業、消費電子、航空及國防領域模擬芯片制造。TowerJazz同時提供完善的設計支持平臺，結合其先進的工藝，支持快速準確的設計流程并與其EDA合作伙伴協同創建完整的設計到制造流程，以期加速芯片項目實現。
TowerJazz公司設計中心高級總監Ofer Tamir表示，“為了能夠提供更多的EDA參考流程供雙方客戶選擇，我們與華大九天共同完成了標準設計套件的驗證工作，這些工具很易用并已經被納入開放的設計生態系統。”
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