ESD器件的案例
【原創干貨】一文搞懂ESD器件在PCB設計當中的作用
1）工作電壓，
選擇ESD器件應該選擇系統工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM），例如系統是0~5V，那么我們應該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS。
2）信號類型
單向ESD器件和雙向ESD器件的選擇，雙向ESD器件可以通過正負擊穿電壓（VBR）的信號，而單向ESD器件只可以通過正擊穿電壓（VBR）的信號，如果通過負的就會造成ESD器件擊穿。
3）寄生電容
ESD器件是有寄生電容的，如圖是寄生電容對高速電路接口的影響，寄生電容會影響電平的上升和下降速度，影響輸出后的信號。
4）根據電路系統的最大承受電壓沖擊，選擇適合的鉗位電壓；
5）確保ESD器件可達到或超過IEC 61000-4-2 level4。
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展開 ESD增強型器件推動超高頻放大器在汽車電子中的應用
當參考電壓為100 V時，被用來作為對ESD來說具有器件體積小和靈敏度更高的低噪聲晶體管，而當電壓達到5,000 V時，則被用作較舊式的，較低性能的大體積晶體管。DUT被認為是一種評定特殊ESD等級的方式，即在電壓值為VREF的時候，它能經受得住這些測試的考驗，且其性能沒有下降，也沒有出現故障。盡管ESD測試如今也可能用到晶片上芯片等級的評定上，但作為代表的是其已在封裝器件中得以使用。作為一種對人體標準可供選擇的方法，傳輸線脈沖測量(TLP)經常被用來估計ESD的容限。
一個ESD 脈沖最好被理解成器件內部的一個急劇電流波動。對于第一階的近似值來說，假設在器件經歷這個電流波動期間整個事件發生的非常快以至于熱量都來不及傳播和消耗的話，它就是有效的。結果，由ESD感應電流波動引起的溫度上升與電流密度的平方成正比，而且電流密度存在一個極限值，超過這個值實際上就會使器件中的硅熔化。
事實上，硅材料的融化會導致器件故障。由于電流密度是導致器件故障的關鍵一條，所以具有較大發射極邊緣面或面積的晶體管就比小一些的更耐用。與普遍看法相反，在集電極-發射極之間的擊穿電壓VCEO與其阻抗和ESD損壞并沒有相互關系。
為了提高耐用性，RF集成電路設計師們已經開發了ESD內部保護結構，用來幫助保護ESD靈敏的RF輸入和輸出端免受有害ESD事件的影響。但比較遺憾的是這些保護結構也在RF端加入了寄生電容，電感和損耗，因此導致其性能下降，同時也使得這種結構不適合與分立器件(對性能要求更高)一起使用。
在一個像雙極晶體管這樣的三引腳器件中，經由器件的任意兩個引腳一共有六種可能的方式來應用ESD 脈沖，而未使用的器件引腳仍然是開路(未連接)。通常當ESD 脈沖反方向接在PN結兩端的時候晶體管最容易損壞。而依賴于特殊半導體工藝技術，集電極-基極結通常是微弱的連接在RF晶體管上。
展開 硬件特訓班問題解答【57問-6】
另外，據我所知，有些ESD效果會比較好，請問有推薦的嗎
(1)ESD首先從本質上而言，其也是過壓或者電壓快速變化的一種情況，和我們的EFT,surge,DIP電壓跌落等類似，只不過其具體的能量表現形式不一樣，如下圖:
(2)然后ESD也屬于我們EMS防護中其中的一項，所以這又涉及到了我們EMS防護電路的設計，其實ESD只是我們通訊接口會遭遇的一種情況而已，一般針對于通訊接口，電源接口，我們都是綜合考慮，我們要做好EMC輔助電路設計，主要是EMI濾波和EMS防護
(3)EMI濾波主要是共模差模干擾信號的抑制
(4)一般在EMS防護電路設計的時候我們首先遵循的原則是多級防護，逐級遞減的原則
(5)然后基于上述的原則，然后合理的選擇諸如GDT, TVS, MOV, ESD器件進行合理的EMS防護電路設計在一定程度上能夠確保其整個EMS防護是合理，這也是我們ESD效果不佳改善的其中一個方法
(6)防靜電效果不佳另外一個原因基本上選型不合理，針對于ESD最重要的參數主要是有兩個:一個是鉗位電壓的選取，很多時候其防靜電效果不佳其實是這個參數選取不合理；另外一個參數是其寄生電容值，如果電容值不合理，尤其是對一些高速信號線如USB或者一些高速I/O線的時候，其很容易將正常的信號濾除，正常信號沒辦法正常傳遞，如USB不能通訊了等等；有些時候我們USB不能通訊大家先不要慌，先看看我們的ESD器件其寄生電容為多少，如果比較大的話，如20pF就會使得其信號被濾除
(7)一般通訊接口的地方我們需要做好EMI濾波和EMS防護，兩者結合起來其效果在更佳,下圖是一個USB2.0的通訊接口的EMS防護和EMI濾波的一個設計，關于EMI濾波如何設計，EMS防護如何設計我在老白硬件系列課程P4做了非常詳細的講解和分析，大感興趣可以參考
展開 芯導科技｜即將登錄科創板！尋求實現國產功率半導體發展突破
目前芯導科技的TVS產品主要為ESD保護器件，采用溝槽結構和平面結構相關技術，主要代工尺寸為6-8 英寸；MOSFET產品為絕緣柵型結構的晶體管，其MOSFET產品主要采用溝槽結構相關技術，主要代工尺寸為8英寸;肖特基產品主要采用溝槽結構和平面結構相關技術，主要代工尺寸為 6-8 英寸。
“芯導科技的功率器件及功率IC產品，具有高性能、低功耗、小尺寸的特點，在手機、TWS、平板電腦等消費類電子領域需求廣泛。”一名終端廠商供應鏈人士說。
據了解，芯導科技的主要產品的應用領域聚焦于以手機、TWS、平板電腦為主的消費類電子領域，并且已經形成了多種產品系列，進入到小米通訊、TCL、傳音等品牌客戶以及華勤、聞泰、龍旗等業內知名ODM廠商的供應鏈。
芯導科技方面表示，目前小尺寸、高性能的ESD保護器件主要以歐、美、日企業供應的產品為主，而國內企業較少原因在于技術難度較高。一般的企業已經不容易進入功率半導體行業，而進入ESD保護器件設計領域的難度相對更大。
即便進入了ESD保護器件設計領域，由于ESD保護器件主要應用在以手機為主的消費類電子領域，終端手機品牌廠商和ODM廠商具有嚴格的終端認證體系，“終端手機廠商與供應商建立合作前，其會對供應商的整體資質進行評價，從供應商的整體規模、產品結構、現有客戶結構多維度了解相關情況，并由專人進行現場審核，審核通過后，方可進入終端廠商的合格供應商體系”芯導科技對此進行解釋。因此要打入和建立穩定的上下游供應鏈體系，功率半導體行業是不容易的。
隨著消費類電子的快速發展，集成電路的線寬越來越小，集成電路的尺寸變小，降低了集成電路的功耗，同時也使得集成電路變得更加敏感和脆弱，對靜電防護的需求越來越高，因此ESD的市場前景會變得更光明。
展開 
談談CAN總線對線束設計的要求及內在機理
比如1Mbps，信號隔離后的CAN通訊距離大約為25~30米（大部分的實際項目中都會對CAN通訊模塊電氣隔離，隔離器件會降低通訊距離）。波特率較低并且將終端匹配電阻增大，可遠距離通訊。比如5kbps、終端匹配電阻為390歐姆時，通訊距離可達10km！
圖12-1：波特率、終端匹配電阻和通訊距離關系圖
13. 信號延遲與通訊距離
高波特率情況下，制約CAN通訊距離的，是信號延遲。信號經過隔離光耦、傳輸電纜、ESD器件時，都會引起信號延遲。如果CAN的重同步也不足以彌補這個延遲，就會導致采樣錯誤，最終CRC校驗錯誤。
圖12-1給出了截面積為1.5mm2傳輸電纜，在不同波特率和終端匹配電阻下的最大通訊距離。其中當波特率為1Mbps時，通訊距離大約為30米。30米的通訊電纜，其傳輸損耗可以忽略不計，此時影響通訊距離的主要是信號延遲。
通常，傳輸電纜延時為5ns/m、高速光耦延時可達25ns、磁耦合隔離器件延遲3~5ns。在CAN通訊系統中，一個優良的延遲標準是：
其中：
t l_MAX：最大延遲時間
tBIT：位時間
以1Mbps為例，其位時間為1us，則tl_MAX < 0.245 × tBIT = 0.245 × 1us = 245ns。信號在1.5mm2傳輸電纜上傳輸49米就能達到這個延遲時間，另外再加上信號上升/下降沿時間以及隔離器件、ESD器件、PCB走線延時，實際項目中，1Mbps波特率在1.5mm2傳輸電纜上只能傳輸30米。
這也是為什么RS485波特率可以達到10Mbps甚至50Mbps，而CAN標準最大速率只有1Mbps的原因。
表13-1給出了判定延遲的參考標準，在實際項目中，推薦信號延遲處于良好一欄標準。
表13-1：最大延遲參考標準
14.
展開 高手寫的CAN總線入門總結
比如1Mbps，信號隔離后的CAN通訊距離大約為25~30米（大部分的實際項目中都會對CAN通訊模塊電氣隔離，隔離器件會降低通訊距離）。波特率較低并且將終端匹配電阻增大，可遠距離通訊。比如5kbps、終端匹配電阻為390歐姆時，通訊距離可達10km！
圖12-1：波特率、終端匹配電阻和通訊距離關系圖
13. 信號延遲與通訊距離
高波特率情況下，制約CAN通訊距離的，是信號延遲。信號經過隔離光耦、傳輸電纜、ESD器件時，都會引起信號延遲。如果CAN的重同步也不足以彌補這個延遲，就會導致采樣錯誤，最終CRC校驗錯誤。
圖12-1給出了截面積為1.5mm2傳輸電纜，在不同波特率和終端匹配電阻下的最大通訊距離。其中當波特率為1Mbps時，通訊距離大約為30米。30米的通訊電纜，其傳輸損耗可以忽略不計，此時影響通訊距離的主要是信號延遲。
通常，傳輸電纜延時為5ns/m、高速光耦延時可達25ns、磁耦合隔離器件延遲3~5ns。在CAN通訊系統中，一個優良的延遲標準是：
其中：
tl_MAX：最大延遲時間
tBIT：位時間
以1Mbps為例，其位時間為1us，則tl_MAX < 0.245 × tBIT = 0.245 × 1us = 245ns。信號在1.5mm2傳輸電纜上傳輸49米就能達到這個延遲時間，另外再加上信號上升/下降沿時間以及隔離器件、ESD器件、PCB走線延時，實際項目中，1Mbps波特率在1.5mm2傳輸電纜上只能傳輸30米。
這也是為什么RS485波特率可以達到10Mbps甚至50Mbps，而CAN標準最大速率只有1Mbps的原因。
展開 CAN總線基礎入門總結
通常，傳輸電纜延時為5ns/m、高速光耦延時可達25ns、磁耦合隔離器件延遲3~5ns。在CAN通訊系統中，一個優良的延遲標準是：
其中：
tl_MAX：最大延遲時間
tBIT：位時間
以1Mbps為例，其位時間為1us，則tl_MAX < 0.245 × tBIT = 0.245 × 1us = 245ns。信號在1.5mm2傳輸電纜上傳輸49米就能達到這個延遲時間，另外再加上信號上升/下降沿時間以及隔離器件、ESD器件、PCB走線延時，實際項目中，1Mbps波特率在1.5mm2傳輸電纜上只能傳輸30米。
這也是為什么RS485波特率可以達到10Mbps甚至50Mbps，而CAN標準最大速率只有1Mbps的原因。
表13-1給出了判定延遲的參考標準，在實際項目中，推薦信號延遲處于良好一欄標準。
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比如1Mbps，信號隔離后的CAN通訊距離大約為25~30米（大部分的實際項目中都會對CAN通訊模塊電氣隔離，隔離器件會降低通訊距離）。波特率較低并且將終端匹配電阻增大，可遠距離通訊。比如5kbps、終端匹配電阻為390歐姆時，通訊距離可達10km！
圖12-1：波特率、終端匹配電阻和通訊距離關系圖
13
信號延遲與通訊距離
高波特率情況下，制約CAN通訊距離的，是信號延遲。信號經過隔離光耦、傳輸電纜、ESD器件時，都會引起信號延遲。如果CAN的重同步也不足以彌補這個延遲，就會導致采樣錯誤，最終CRC校驗錯誤。
圖12-1給出了截面積為1.5mm2傳輸電纜，在不同波特率和終端匹配電阻下的最大通訊距離。其中當波特率為1Mbps時，通訊距離大約為30米。30米的通訊電纜，其傳輸損耗可以忽略不計，此時影響通訊距離的主要是信號延遲。
通常，傳輸電纜延時為5ns/m、高速光耦延時可達25ns、磁耦合隔離器件延遲3~5ns。在CAN通訊系統中，一個優良的延遲標準是：
其中：
tl_MAX：最大延遲時間
tBIT：位時間
以1Mbps為例，其位時間為1us，則tl_MAX < 0.245 × tBIT = 0.245 × 1us = 245ns。信號在1.5mm2傳輸電纜上傳輸49米就能達到這個延遲時間，另外再加上信號上升/下降沿時間以及隔離器件、ESD器件、PCB走線延時，實際項目中，1Mbps波特率在1.5mm2傳輸電纜上只能傳輸30米。
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比如1Mbps，信號隔離后的CAN通訊距離大約為25~30米（大部分的實際項目中都會對CAN通訊模塊電氣隔離，隔離器件會降低通訊距離）。波特率較低并且將終端匹配電阻增大，可遠距離通訊。比如5kbps、終端匹配電阻為390歐姆時，通訊距離可達10km！
圖12-1：波特率、終端匹配電阻和通訊距離關系圖
13. 信號延遲與通訊距離
高波特率情況下，制約CAN通訊距離的，是信號延遲。信號經過隔離光耦、傳輸電纜、ESD器件時，都會引起信號延遲。如果CAN的重同步也不足以彌補這個延遲，就會導致采樣錯誤，最終CRC校驗錯誤。
圖12-1給出了截面積為1.5mm2傳輸電纜，在不同波特率和終端匹配電阻下的最大通訊距離。其中當波特率為1Mbps時，通訊距離大約為30米。30米的通訊電纜，其傳輸損耗可以忽略不計，此時影響通訊距離的主要是信號延遲。
通常，傳輸電纜延時為5ns/m、高速光耦延時可達25ns、磁耦合隔離器件延遲3~5ns。在CAN通訊系統中，一個優良的延遲標準是：
其中：
tl_MAX：最大延遲時間
tBIT：位時間
以1Mbps為例，其位時間為1us，則tl_MAX < 0.245 × tBIT = 0.245 × 1us = 245ns。信號在1.5mm2傳輸電纜上傳輸49米就能達到這個延遲時間，另外再加上信號上升/下降沿時間以及隔離器件、ESD器件、PCB走線延時，實際項目中，1Mbps波特率在1.5mm2傳輸電纜上只能傳輸30米。
這也是為什么RS485波特率可以達到10Mbps甚至50Mbps，而CAN標準最大速率只有1Mbps的原因。
展開 常見硬件面試題（含答案）盤點，硬件工程師學習筆記
54
請問為何手持便攜電子產品，需要在眾多輸入輸出接口加ESD 器件？您認為選擇ESD元件的時候需要注意哪些參數？如果一個時鐘線加了ESD器件之后接口工作不正常，把ESD器件去掉之后卻能正常工作，您認為是什么原因，應該如何重新選擇ESD器件？
手持設備，眾多輸入輸出接口均可能受到靜電放電的損害，所以要加ESD保護器件。
ESD元件的選擇需要注意三個參數：正常工作電壓、動作嵌位電壓和等效電容。如果等效電容過大，會影響信號的工作頻率，所以需要根據信號最大工作頻率來選擇ESD器件的等效電容。
55
如果以電路中的功放管的工作狀態來劃分，音頻功放可以分為哪幾類？那種功放的效率最高，哪種功放的效率最低？哪種功放存在交越失真？哪種功放的功放管導通時間大于半個周期且小于一個周期，哪種功放的功放管導通時間等于半個周期？功放管一直處于放大狀態的是哪種功放？
可分為四類：A類、B類、AB類、D類。
D類功放效率最高，A類功放效率最低。B類功放存在交越失真。AB類功放的功放管導通時間大于半個周期小于一個周期，B類功放的功放管導通時間是半個周期。
展開 【經驗分享】58個硬件工程師面試題整理
54
請問為何手持便攜電子產品，需要在眾多輸入輸出接口加ESD 器件？您認為選擇ESD元件的時候需要注意哪些參數？如果一個時鐘線加了ESD器件之后接口工作不正常，把ESD器件去掉之后卻能正常工作，您認為是什么原因，應該如何重新選擇ESD器件？
手持設備，眾多輸入輸出接口均可能受到靜電放電的損害，所以要加ESD保護器件。
ESD元件的選擇需要注意三個參數：正常工作電壓、動作嵌位電壓和等效電容。如果等效電容過大，會影響信號的工作頻率，所以需要根據信號最大工作頻率來選擇ESD器件的等效電容。
55
如果以電路中的功放管的工作狀態來劃分，音頻功放可以分為哪幾類？那種功放的效率最高，哪種功放的效率最低？哪種功放存在交越失真？哪種功放的功放管導通時間大于半個周期且小于一個周期，哪種功放的功放管導通時間等于半個周期？功放管一直處于放大狀態的是哪種功放？
可分為四類：A類、B類、AB類、D類。
D類功放效率最高，A類功放效率最低。B類功放存在交越失真。AB類功放的功放管導通時間大于半個周期小于一個周期，B類功放的功放管導通時間是半個周期。
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靜電對儀表元器件的危害及防護
9.防靜電的一般工藝規程要求
A、防靜電的常規工藝規程要求
① 操作者必須戴有線防靜電手腕帶
② 涉及到操作靜電敏感器件的桌臺面須采用防靜電臺墊
③ ESD敏感型器件必須用靜電屏蔽與防靜電器具轉運。
④ 準備開封、測試靜電敏感器件時必須在防靜電工作臺上進行，有條件的可配用離子空氣發生器清除空氣中的電荷
⑤ 組裝所用的焊接設備及成形工裝設備都必須接地，焊接工具使用內熱式烙鐵，接地要良好，接地電阻要小
⑥ 電源供電系統要改裝用變壓器進行隔離，地線要可靠，防止懸浮地線，接地電阻小于10歐姆
⑦ 產品測試時，在電源接通的情況下，不能隨意插拔器件，必須在關掉電源的情況下插拔。
⑧ 凡ESD敏感型器件不應過早地拿出原封裝，要正確按操作，盡量不能摸ESD敏感型器件管腿。
⑨ 用波峰焊接時，焊料和傳遞系統必須接地。
B、在防靜電要求嚴格的場合，下列防靜電工藝要求也是常常需要的。
① 凡ESD敏感型整機進行高低溫試驗或老化試驗時，必須先對工作場地及高低溫箱進行靜電位測試，其電位不能超過安全值，否則，要進行靜電消除處理。 ② 焊接好的印制電路板要作三防處理時，也要采用防靜電措施。不要用一般的
刷光，超聲波清洗或噴洗。
③ 調試、測量、檢驗時所用的低阻儀器、設備（如訊號、電橋等）應在ESD敏感型器件接上電源后，方可接到ESD敏感型器件的輸入端。
④ 在ESD敏感型 測試儀器生產線上，應嚴格使用靜電電位測試監視靜電電位的變化情況，以便及時采取靜電消除措施。
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9.防靜電的一般工藝規程要求
A、防靜電的常規工藝規程要求
① 操作者必須戴有線防靜電手腕帶
② 涉及到操作靜電敏感器件的桌臺面須采用防靜電臺墊
③ ESD敏感型器件必須用靜電屏蔽與防靜電器具轉運。
④ 準備開封、測試靜電敏感器件時必須在防靜電工作臺上進行，有條件的可配用離子空氣發生器清除空氣中的電荷
⑤ 組裝所用的焊接設備及成形工裝設備都必須接地，焊接工具使用內熱式烙鐵，接地要良好，接地電阻要小
⑥ 電源供電系統要改裝用變壓器進行隔離，地線要可靠，防止懸浮地線，接地電阻小于10歐姆
⑦ 產品測試時，在電源接通的情況下，不能隨意插拔器件，必須在關掉電源的情況下插拔。
⑧ 凡ESD敏感型器件不應過早地拿出原封裝，要正確按操作，盡量不能摸ESD敏感型器件管腿。
⑨ 用波峰焊接時，焊料和傳遞系統必須接地。
B、在防靜電要求嚴格的場合，下列防靜電工藝要求也是常常需要的。
① 凡ESD敏感型整機進行高低溫試驗或老化試驗時，必須先對工作場地及高低溫箱進行靜電位測試，其電位不能超過安全值，否則，要進行靜電消除處理。② 焊接好的印制電路板要作三防處理時，也要采用防靜電措施。不要用一般的
刷光，超聲波清洗或噴洗。
③ 調試、測量、檢驗時所用的低阻儀器、設備（如訊號、電橋等）應在ESD敏感型器件接上電源后，方可接到ESD敏感型器件的輸入端。
④ 在ESD敏感型 測試儀器生產線上，應嚴格使用靜電電位測試監視靜電電位的變化情況，以便及時采取靜電消除措施
展開 干貨｜電容能抗多大的ESD？
?
在一些電源和低速信號線上，電容也會用來抗ESD，電容能抗多大的ESD電壓呢？
ESD耐性和電容量有什么關系呢？
TVS或者說ESD器件在制造過程中，可能會觸發ESD事件，發生損壞，這些事件可以用三個模型來進行模擬。
1. Human Body Model，簡稱HBM，人體模型，模擬人體靜電放電時的測試。
2. Machine Model，簡稱MM，機械模型，模擬機械靜電放電時的測試。
3. Charged Device Model，簡稱CDM，充電設備模型，模擬帶電設備靜電放電時的測試。
圖片來自TI培訓
回到正題，HBM一般有兩種測試規格，一種是IEC61000-4-2標準，一種是AEC-Q200-002。
IEC61000-4-2標準是針對ESD靜電放電抗擾度實驗的，ESD測試分為空氣和接觸測試兩種，需要用到靜電q，如下給出了靜電q或者說靜電發生器的電路簡圖。
靜電發生器內部電路簡圖
Rc為充電電阻，Cd為充電電容，Rd為放電電阻，簡單的工作原理就是：充電開關開，放電開關關，直流高壓電源通過Rc對Cd充電；充電開關關，放電開關開，Cd儲存電荷對被測設備釋放。
IEC61000-4-2會比AEC-Q200-002更常用，差別在于Rd阻值不同。
展開 Littelfuse宣布推出汽車用瞬態抑制二極管陣列,可在最惡劣的環境中確保最高的可靠性能
單向或雙向ESD和浪涌保護可選
Littelfuse公司，今日宣布推出兩個符合AEC-Q101標準的瞬態抑制二極管陣列（SPA?二極管）系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔斷、高性能過電壓保護器件，最適合用于電源接口、乘客充電接口以及LED照明模塊和低速I/O。
AQHV/AQHV-C系列瞬態抑制二極管陣列
200W分立型AQHV系列（單向）和AQHV-C（雙向）產品可保護敏感型設備免因靜電放電（ESD）和其他過壓瞬變而損壞。這兩個系列的產品均可安全吸收高于國際標準規定的最高級別的反復性靜電放電而不會引起性能下降，并能以極低的箝位電壓安全地耗散高達8A（AQHV12系列）的感應浪涌電流。
AQHV和AQHV-C系列瞬態抑制二極管陣列的典型應用包括：
汽車電子設備的ESD保護
LED照明模塊
移動/手持設備
CAN總線（電傳線控）
LIN總線RS-232和RS-485接口
通用低速I/O
便攜式儀表
“作為符合AEC-Q101要求的設備，AQHV和AQHV-C系列可在最惡劣的環境中確保達到最高的可靠性。”Littelfuse瞬態抑制二極管陣列（SPA?二極管）總監Tim Micun表示。 “這使其成為需要更換無源ESD保護器件或在印刷電路板上部署保護器件的設計師的絕佳選擇。”
AQHV和AQHV-C系列瞬態抑制二極管陣列具有以下關鍵優勢：
高達±30kV的ESD保護和高達8A的浪涌保護可幫助設備制造商遵守并超越行業標準，延長設備壽命和系統正常運行時間。
相比替代技術，較低的動態電阻可將鉗位電壓降低60%，是保護采用小型IC的現代電子產品的理想選擇。
結構中采用的硅二極管能夠處理>1000 ESD震擊或瞬態浪涌而不會降低性能，相比之下，替代技術則具有固有的內部磨損缺陷。
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