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3、其他 ESD 抑制器組件 除以上介紹的外，還有其他幾種 ESD 抑制器組件，例如多層變阻、氣體放電管和基于聚合物的抑制器。ESD 抑制組件用于將 ESD 電壓降低到特定限值以下，從而保護(hù)電路或組件組。 抑制器組件或電路并聯(lián)到易受攻擊的線路，將低 ESD 電壓保持在一定限度內(nèi)，并將主要的 ESD 電流分流到地。一般來(lái)說(shuō)都可以datasheet上找到相關(guān)的電路示例。

2）信號(hào)類型 單向ESD器件和雙向ESD器件的選擇，雙向ESD器件可以通過(guò)正負(fù)擊穿電壓（VBR）的信號(hào)，而單向ESD器件只可以通過(guò)正擊穿電壓（VBR）的信號(hào)，如果通過(guò)負(fù)的就會(huì)造成ESD器件擊穿。

? ++ESD是問(wèn)題嗎？如前所述，在處理少量MOSFET時(shí)，ESD可能不是一個(gè)問(wèn)題。此時(shí)也可能產(chǎn)生極少數(shù)無(wú)法解釋的故障。當(dāng)處理大量的MOSFET時(shí)，尤其質(zhì)量是第一要素時(shí)，ESD就成為一個(gè)問(wèn)題。

然后很多做SIS，調(diào)ESD的人，搞了好幾年，概念也是暈點(diǎn)。 為什么，這幾年招標(biāo)的時(shí)候，更多的提SIS的概念？從理論上說(shuō)，只有ESD，“未必” 會(huì)是個(gè)完整的SIS控制系統(tǒng)。 ESD僅僅是 SIS中的一環(huán)，而且是在實(shí)體硬件中，是最重要的一環(huán)。所以，很多人認(rèn)為，SIS就是ESD。。。 ESD就是SIS。 有了ESD，再有了很多周邊的配套設(shè)備。

電感的感抗特性能很好的抑制高頻ESD進(jìn)入電路，而電容有分流了ESD的高頻能量到地。

4月19日，『大型SoC全芯片的ESD簽核詳解』網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)即將上線，本次會(huì)議主要介紹Pathfinder-SC的產(chǎn)品特點(diǎn)及如何使用Pathfinder-SC進(jìn)行SoC全芯片的ESD簽核，歡迎SoC后端設(shè)計(jì)工程師，SoC ESD設(shè)計(jì)工程師預(yù)約本次活動(dòng)了解更多詳情。

其中P：ESD安全放電間距（mm）；(VA-VB)：兩點(diǎn)間電壓（V）。（如圖位置一）（三）在共模電感兩端或安規(guī)電容兩端加ESD放電銅箔，采用雙放電銅箔可以有效提升放電效果，如果長(zhǎng)期持續(xù)ESD放電則會(huì)導(dǎo)致銅箔鈍化，則建議采用放電管放電。尖端銅箔設(shè)計(jì)：尖端銅箔必須是銳角（重點(diǎn)），尖尖相對(duì)。（如圖位置二）（四）PCB LAYOUT 銅箔走線采用圓弧狀倒角可減少EMC干擾與異常尖端放電。

4月19日，『大型SoC全芯片的ESD簽核詳解』網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)即將上線，本次會(huì)議主要介紹Pathfinder-SC的產(chǎn)品特點(diǎn)及如何使用Pathfinder-SC進(jìn)行SoC全芯片的ESD簽核，歡迎SoC后端設(shè)計(jì)工程師，SoC ESD設(shè)計(jì)工程師預(yù)約本次活動(dòng)了解更多詳情。

三、靜電放電（ESD）測(cè)試設(shè)備在靜電放電測(cè)試領(lǐng)域，北京沃華慧通測(cè)控技術(shù)有限公司的 ESD 測(cè)試系統(tǒng)集成了智能協(xié)作機(jī)器人、LCD 視覺(jué)檢測(cè)、靜電槍、音頻檢測(cè)以及插拔機(jī)構(gòu)。協(xié)作機(jī)器人憑借精準(zhǔn)定位、安全靈活、操作簡(jiǎn)便等特性，高效完成自動(dòng)化檢測(cè)任務(wù)，確保手機(jī)在面對(duì)靜電干擾時(shí)都能穩(wěn)定運(yùn)行。

產(chǎn)品描述：MS2561 是一款低功耗、高 ESD 能力的 RS485 通訊接口電路；在接收模式下，其功耗僅為 120uA 左右，在關(guān)斷模式下，其功耗不超過(guò) 1uA；A/B 端 ESD 耐壓可達(dá)±25kV，且無(wú)自激現(xiàn)象；最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá) 250kbp。

四、ESD的含義及三種型式 ESD的含義： ESD是代表英文ElectroStatic Discharge即"靜電放電"的意思。ESD是本世紀(jì)中期以來(lái)形成的以研究靜電的產(chǎn)生與衰減、靜電放電模型、靜電放電效應(yīng)如電流熱（火花）效應(yīng)（如靜電引起的著火與爆炸）及和電磁效應(yīng)（如電磁干擾）等的學(xué)科。

圖4.wafer正面的高靜電導(dǎo)致芯片中絕緣介質(zhì)膜層擊穿而導(dǎo)致電性不良的情形 圖5.芯片帶高靜電觸碰到接地金屬部件發(fā)生ESD的情形圖6.芯片封測(cè)工廠中典型的靜電導(dǎo)致芯片不良的情形：電測(cè)機(jī)臺(tái)關(guān)鍵位置存在高靜電源導(dǎo)致芯片發(fā)生FI-CDM ESD

通過(guò)對(duì)電荷沉積速率和幅度進(jìn)行建模，工程師可以改進(jìn)他們的輻射硬化設(shè)計(jì)、估計(jì) ESD 風(fēng)險(xiǎn)并模擬電子設(shè)備上的感應(yīng)電流。在帶電粒子的能量高到足以導(dǎo)致深度電介質(zhì)充電的等離子體環(huán)境中，EMC 工程師必須關(guān)注敏感組件（例如太陽(yáng)能電池、傳感器和裸露的電纜或連接器）內(nèi)電荷積累的風(fēng)險(xiǎn)。

三星電子技術(shù)副總裁Chanhee Jeon表示：“隨著設(shè)計(jì)規(guī)模不斷擴(kuò)大，對(duì)預(yù)測(cè)準(zhǔn)確度的要求日益嚴(yán)格，ESD簽核的難度也在加大。我們發(fā)現(xiàn)，PathFinder-SC可提供具有出色根源分析和多物理場(chǎng)分析功能的高性能ESD簽核解決方案，從而幫助我們充分滿足交期要求。”

1）IGBT柵極ESD水平低，經(jīng)過(guò)對(duì)IGBT柵極ESD水平測(cè)試，ST IGBT柵極ESD水平平均在3400V，最低只有2900V， 生產(chǎn)過(guò)程易出現(xiàn)靜電放電損傷IGBT。ST IGBT與Renesas、Farichild（ 編者注：2016年被安森美收購(gòu)）靜電能力測(cè)試對(duì)比結(jié)果如表2。

AEC-Q102與AEC-Q101很多方面的要求是相同的，具體如下：只有通過(guò)AEC-Q規(guī)定相應(yīng)的全部測(cè)試項(xiàng)目，才能聲稱該產(chǎn)品通過(guò)了AEC-Q認(rèn)證；供應(yīng)商經(jīng)用戶同意可以使得樣本量和測(cè)試條件低于AEC-Q要求，但這種情況不能認(rèn)為通過(guò)AEC-Q認(rèn)證；對(duì)于ESD，允許供應(yīng)商聲稱該產(chǎn)品通過(guò)相應(yīng)等級(jí)的AEC-Q，如“AEC-Q102 qualified to ESD H1B”；通用數(shù)據(jù)：

至于文獻(xiàn)中提到的 HBM 與 MM 的關(guān)聯(lián)性，以筆者在華碧實(shí)驗(yàn)室檢測(cè) ESD 實(shí)驗(yàn)室的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)，仍有部分產(chǎn)品的 ESD 防護(hù)電路在 HBM 及 MM 上是有所差異的，規(guī)范雖然取消此項(xiàng)目，但 MEMS 業(yè)者仍需要面對(duì)當(dāng) ESD 客退發(fā)生時(shí)的處理，ESD 定義為設(shè)計(jì)驗(yàn)證，所以目前各家廠商仍將其列為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目。

通過(guò)將 Totem 對(duì)典型運(yùn)行條件的高保真建模與 PathFinder-SC 識(shí)別和處理 ESD 風(fēng)險(xiǎn)的能力相結(jié)合，該解決方案為開(kāi)發(fā)者提供了一套全面的可靠性工具——在芯片全生命周期內(nèi)，對(duì)預(yù)期與非預(yù)期的電氣挑戰(zhàn)均可提供保護(hù)，并輔以強(qiáng)大的技術(shù)支持。

本次演講將重點(diǎn)介紹Ansys對(duì)于ESD仿真的思路及應(yīng)用框架，基于ESD法規(guī)梳理ESD仿真場(chǎng)景，將ESD仿真拆分為接觸放電和空氣放電兩個(gè)場(chǎng)景，探討AEDT和Charge Plus在相關(guān)場(chǎng)景中的應(yīng)用及創(chuàng)新實(shí)踐，系統(tǒng)性呈現(xiàn)最全維度的ESD工程仿真應(yīng)用方案。

Ansys HFSS可對(duì)月球著陸器上天線的性能進(jìn)行仿真新思科技與EMA公司的聯(lián)合工作，旨在降低艙外活動(dòng)（EVA）系統(tǒng)（尤其是航天服）面臨的風(fēng)險(xiǎn)，這些風(fēng)險(xiǎn)主要來(lái)自月壤（月球風(fēng)化層）相互作用產(chǎn)生的摩擦起電，以及空間等離子體環(huán)境引發(fā)的電荷積累和靜電放電（ESD）。