ansys模擬風(fēng)扇噪聲
關(guān)注創(chuàng)建者：王靖雯 創(chuàng)建時(shí)間：2023-03-08
ansys模擬風(fēng)扇噪聲的視頻教程
基于LES和FWH模型的風(fēng)扇（螺旋槳）氣動(dòng)噪聲模擬
1. fluent旋轉(zhuǎn)機(jī)械仿真基本通用流程，動(dòng)參考系MRF與滑移網(wǎng)格應(yīng)用； 2.噪聲計(jì)算模型介紹，仿真設(shè)置流程，大渦模擬LES與FWH模型應(yīng)用； 3.fluent后處理過程； 4. 提供源文件與答疑過程；
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基于LES和FWH模型的涵道風(fēng)扇(螺旋槳)氣動(dòng)噪聲模擬(與試驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)比)
Fluent旋轉(zhuǎn)機(jī)械仿真基本通用流程； 2.涵道渦輪仿真流程，并對(duì)比試驗(yàn)結(jié)果； 3.氣動(dòng)噪聲計(jì)算設(shè)置流程，并對(duì)比試驗(yàn)結(jié)果； 4.Fluent后處理過程； 5.提供源文件與答疑過程。
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ansys模擬風(fēng)扇噪聲的實(shí)例教程
Usanin, Aviadvigatel Perm
翻譯：上海安世亞太
前言
由于針對(duì)有害排放物和噪聲水平具有嚴(yán)格的國際標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)計(jì)和開發(fā)燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)的公司正面臨著艱巨的任務(wù)——制造具有高生態(tài)效率的發(fā)動(dòng)機(jī)。為了滿足這些要求，需要對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)部發(fā)生的過程進(jìn)行數(shù)值模擬，以深入了解發(fā)生的情況，并確定導(dǎo)致這種行為的因素。對(duì)于高旁路比的航空發(fā)動(dòng)機(jī)，風(fēng)扇級(jí)產(chǎn)生的聲噪聲是發(fā)動(dòng)機(jī)總噪聲水平的主要貢獻(xiàn)者。
針對(duì)這些噪聲要求，我們使用ANSYS CFX計(jì)算流體力學(xué)(CFD)軟件來估算不同風(fēng)扇級(jí)幾何的氣動(dòng)和聲學(xué)效率。
圖1. 風(fēng)扇級(jí)幾何模型
幾何模型
為了開發(fā)FEGV（風(fēng)扇出口導(dǎo)葉）的幾何，將FEGV中表面非定常壓差的區(qū)域平均振幅作為轉(zhuǎn)子-定子聲源的主要來源。振幅由風(fēng)扇級(jí)的三維非定常CFD計(jì)算獲得。參考文獻(xiàn)表明，使用該方法的計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)具有良好一致性。
圖2. FEGV形狀
這種風(fēng)扇是為一種先進(jìn)的新型渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)設(shè)計(jì)的。將進(jìn)口導(dǎo)葉（IGV）和風(fēng)扇出口導(dǎo)葉（FEGV）按20%比例縮放，以縮小分析域的規(guī)模。結(jié)果域包含1個(gè)風(fēng)扇葉片通道、2個(gè)FEGV通道和4個(gè)IGV通道。網(wǎng)格模型由大約150萬個(gè)節(jié)點(diǎn)組成。研究了四種不同幾何形狀的出口導(dǎo)葉。
選擇徑向設(shè)計(jì)（無傾角）作為初始幾何。具有20度和30度傾斜角的葉片分別被選作第二種和第三種幾何。具有沿著葉片高度的曲線軸的葉片選作第四種幾何類型。
結(jié)果分析
所有的CFD計(jì)算都是在ANSYS CFX(CFX-5.6)中進(jìn)行的，因?yàn)樵撥浖鉀Q方案對(duì)非定常流動(dòng)有良好的效果。對(duì)風(fēng)扇級(jí)進(jìn)行了非定常CFD計(jì)算，計(jì)算結(jié)果表明：
葉片中表面的壓力與吸入面之間存在非定常壓差。然后對(duì)中表面的壓差進(jìn)行傅里葉變換。
展開 本教程使用ANSYS Fluent 19.0軟件，對(duì)一汽車模型外流場流動(dòng)動(dòng)所引起的寬頻噪聲進(jìn)行聲學(xué)仿真，文檔內(nèi)包含詳細(xì)的網(wǎng)格導(dǎo)入、模型選擇、材料物性、邊界條件、求解參數(shù)、后處理的設(shè)置。通過broadband noise方法求解獲得寬頻噪聲。詳細(xì)介紹了網(wǎng)格導(dǎo)入、模型選擇、材料物性、邊界條件、求解參數(shù)、后處理的設(shè)置。采用寬頻噪聲模型模擬外流場引起的寬頻噪聲，后期通過不同的模型修正獲得不同類型的噪聲衡量。
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ansys模擬風(fēng)扇噪聲的最新內(nèi)容
使用工具
Ansys Fluent
最終成果
優(yōu)化設(shè)計(jì)的電子膨脹閥閥針造型，可以使電子膨脹閥工作過程中最大噪聲水平顯著降低
該研究利用 Ansys Fluent 完成了不同開度下電子膨脹閥內(nèi)制冷劑空化特性的數(shù)值模擬，結(jié)合實(shí)驗(yàn)對(duì)比分析，明確了開度對(duì)流量、氣相比例、湍動(dòng)能及噪聲的影響規(guī)律；設(shè)計(jì)出帶閥芯凹槽的優(yōu)化模型，其最大噪聲水平較原模型降低 10.3%，獲得了空化與噪聲關(guān)聯(lián)的可靠數(shù)據(jù)
Ansys Fluent 模擬描繪了格拉斯哥建筑環(huán)境周圍的風(fēng)向和氣流
2.流-固耦合仿真
風(fēng)不僅作用于建筑表面產(chǎn)生壓力，更會(huì)引發(fā)結(jié)構(gòu)振動(dòng)（如高層建筑的擺動(dòng)、幕墻的變形、橋梁的顫振）。
MOM和MIM電容器廣泛應(yīng)用于集成電路，尤其是RF和模擬應(yīng)用，而使用仿真軟件對(duì)這些電容器進(jìn)行準(zhǔn)確建模，對(duì)于確保電容精度和滿足布局方面的匹配要求至關(guān)重要。Ansys RaptorH能夠提取所有無源器件以及任意布線布局（無論是成熟設(shè)計(jì)還是正在開發(fā)中的布局）的電磁模型。
分析、PI仿真、去耦電容優(yōu)化核心模塊，結(jié)合高速PCB、PDN優(yōu)化等典型案例，指導(dǎo)學(xué)員掌握板級(jí)SI/PI仿真全流程，高效解決信號(hào)質(zhì)量、電源噪聲等工程難題。
4/15 | Ansys eVTOL總體解決方案2026更新簡介
講師簡介：
姚翔 | Ansys 高級(jí)應(yīng)用工程師
主題簡介：主要介紹Ansys CFD 2026最新版本在電動(dòng)垂直起降飛行器(eVTOL)產(chǎn)品解決方案中的重要提升，包括：全新Fluids One一體化仿真流程、快速八叉樹網(wǎng)格功能、GPU加速求解及后處理功能的應(yīng)用案例，基于全面提升后的Morph優(yōu)化方法進(jìn)行旋翼氣動(dòng)及噪聲優(yōu)化應(yīng)用案例
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7/16 | Ansys旋轉(zhuǎn)葉片設(shè)計(jì)、仿真及優(yōu)化流程2026新功能及方案更新
講師簡介：
姚翔 | Ansys 高級(jí)應(yīng)用工程師
主題簡介：主要介紹Ansys CFD 2026R1最新版本在旋轉(zhuǎn)葉片設(shè)計(jì)、優(yōu)化和仿真領(lǐng)域的重要更新，同時(shí)展示Ansys CFD產(chǎn)品在冷卻風(fēng)扇、飛行器旋翼和其他旋轉(zhuǎn)機(jī)械葉片氣動(dòng)及氣動(dòng)噪聲設(shè)計(jì)優(yōu)化領(lǐng)域的最新案例和解決方案。
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4/29 | Ansys SPH產(chǎn)品功能更新及仿真應(yīng)用
主題簡介：SPH（光滑粒子流體動(dòng)力學(xué)）是一種拉格朗日無網(wǎng)格方法，Ansys SPH產(chǎn)品由于沒有網(wǎng)格約束的限制，在許多模擬場景中更加靈活，尤其擅長模擬復(fù)雜自由液面情景（如飛濺和噴淋）以及涉及運(yùn)動(dòng)物體的應(yīng)用場景。
在許多模擬場景中更加靈活，尤其擅長模擬復(fù)雜自由液面情景（如飛濺和噴淋）以及涉及運(yùn)動(dòng)物體的應(yīng)用場景。
更深入去思考，電子設(shè)備的噪聲標(biāo)準(zhǔn)也存在類似的問題。VR、冷熱敷眼罩，甚至部分耳機(jī)，為了解決熱問題，需要引入風(fēng)扇等發(fā)出噪音的部件。這些新興設(shè)備的噪聲標(biāo)準(zhǔn)，顯然不應(yīng)與傳統(tǒng)的筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器相同，但實(shí)際上，這些設(shè)備暫時(shí)并沒有統(tǒng)一的噪聲標(biāo)準(zhǔn)。我認(rèn)為，隨著技術(shù)進(jìn)步的加快，一些新興電子產(chǎn)品，可能會(huì)步入無標(biāo)準(zhǔn)時(shí)代，或多標(biāo)準(zhǔn)時(shí)代。
電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區(qū)別1個(gè)月前
電容器種類繁多，用途各異，包括從在數(shù)字電路中存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)內(nèi)存，到過濾電子信號(hào)中的噪聲，再到保護(hù)電路的一部分免受另一部分的影響等。
讓我們來了解三種常見的模擬集成電路電容器：金屬-氧化物-金屬（MOM）、金屬-絕緣體-金屬（MIM）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）電容器。
什么是金屬-氧化物-金屬（MOM）電容器？
金屬-氧化物-金屬（MOM）電容器是芯片中的小型多功能器件。
