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關(guān)注創(chuàng)建者:匿名 創(chuàng)建時(shí)間:2021-09-14

CMP拋光材料的實(shí)例教程
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入群請(qǐng)?zhí)砑尤褐魑⑿?備注:姓名+公司+主營(yíng)
來(lái)源:中信證券,作者王喆 袁健聰
芯片產(chǎn)業(yè)為皇冠明珠,半導(dǎo)體材料乃立足根本。2014年,國(guó)務(wù)院公布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,將發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上升為國(guó)家戰(zhàn)略,對(duì)上游材料提出發(fā)展目標(biāo),到2020年半導(dǎo)體材料進(jìn)入國(guó)際采購(gòu)體系。2017年我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模14250.5億元,同比增長(zhǎng)18.9%,在芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試的銷(xiāo)售額達(dá)5411.3億元,5年年均復(fù)合增速20.2%。全球范圍內(nèi),中國(guó)半導(dǎo)體材料的銷(xiāo)售額占比逐年提升,2017年大陸地區(qū)銷(xiāo)售額76.2億美元,占全球市場(chǎng)16.2%。
國(guó)外企業(yè)占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo),半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化率低。在前道晶圓制造材料和后道封裝材料上,國(guó)外企業(yè)均占據(jù)主導(dǎo)地位,15年,我國(guó)集成電路晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模為317億元,封裝材料市場(chǎng)規(guī)模為274億元,國(guó)產(chǎn)化率整體小于20%。根據(jù)SEMI預(yù)測(cè),至2018年,我國(guó)集成電路晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模大約可達(dá)465億元,近5年年均復(fù)合增速在13%以上。
持續(xù)研發(fā)突破技術(shù)封鎖,材料格局悄然變化。硅片領(lǐng)域,我國(guó)6英寸以下硅片已實(shí)現(xiàn)自給,8英寸滿(mǎn)足10%需求,12英寸幾乎依賴(lài)進(jìn)口,但目前上海新升開(kāi)始12英寸硅片量產(chǎn)發(fā)貨。CMP材料領(lǐng)域,國(guó)產(chǎn)拋光墊市占率幾乎為0,17年鼎龍股份拋光墊產(chǎn)品打破國(guó)外壟斷,預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后國(guó)產(chǎn)化率有望快速提升。拋光液領(lǐng)域僅安集微電子具備生產(chǎn)8-12英寸芯片拋光液的能力。光刻膠領(lǐng)域,用于6英寸以下硅片的自給率約20%,而用于8-12英寸的基本依靠進(jìn)口,蘇州瑞紅i線(xiàn)光刻膠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),科華KrF光刻膠小規(guī)模供貨,ArF光刻膠進(jìn)入研發(fā)階段。濕電子化學(xué)品領(lǐng)域,用于6英寸以下硅片的自給率80%,用于8英寸以上硅片制造的自給率為10%,整體國(guó)產(chǎn)化率為25%。光掩膜版、電子特種氣體、靶材的國(guó)產(chǎn)化率分別為20%、25%、10%。
展開(kāi) 展出范圍
半導(dǎo)體材料:硅片及硅基材料、硅晶圓、硅晶片、單晶硅、硅片、鍺硅材料、S01材料、太陽(yáng)能電池用硅材料及化合物半導(dǎo)體材料、石英制品、石墨制品、防靜電材料、光刻膠及其配套試劑、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、特種化學(xué)氣體、CMP拋光材料、封裝基板、引線(xiàn)框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、封測(cè)材料等。
晶圓制造及封裝:晶圓制造、SiP 封裝、硅晶圓及IC封裝載板、印制電路板、封裝基板和設(shè)備及組裝和測(cè)試等、封裝設(shè)計(jì)、測(cè)試、設(shè)備與應(yīng)用制造與封測(cè)、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板半導(dǎo)體材料與設(shè)備等。
集成電路制造技術(shù):晶圓制造/代工、模擬集成電路、數(shù)/模混合集成電路;相關(guān)微處理器、存儲(chǔ)器、FPGA、分立器件、光電器件、功率器件、傳感器件等技術(shù)器件;集成電路終端產(chǎn)品。
半導(dǎo)體設(shè)備制造:封裝設(shè)備、擴(kuò)散設(shè)備、焊接設(shè)備、清洗設(shè)備、測(cè)試設(shè)備、制冷設(shè)備、氧化設(shè)備、貼片機(jī)、單晶爐、氧化爐、研磨機(jī)、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、拋光機(jī)、離子注入設(shè)備、CVD/PVD設(shè)備、涂膠/顯影機(jī)、回流焊、波峰焊、探針臺(tái)、潔凈室設(shè)備等。
已布局越南市場(chǎng)的部分企業(yè)
國(guó)際巨頭:蘋(píng)果、三星、英特爾、諾基亞、高通、安靠、LG、佳能、松下、康寧、德州儀器、恩智浦等
中國(guó)大陸:立訊精密、TCL華星、新思、勝宏、建滔、龍旗、歌爾、環(huán)旭電子、舜宇、深超、賽伍等
臺(tái)灣地區(qū):富士康、鴻海、友達(dá)光電、和碩科技、擎亞、英業(yè)達(dá)、四維精密等
日本企業(yè):日東電工、住友電木、富士通、民幸、丸和、Fujikura、ORIX金融集團(tuán)等
韓國(guó)企業(yè):韓國(guó)IC、韓亞微米、BOS?、Hana Micron、SK海力士、Hayward Quartz?
展開(kāi) CMP拋光是目前唯一可以提供硅片全局平面化的技術(shù)。拋光機(jī)、拋光液和拋光墊是CMP工藝的三大關(guān)鍵要素,由于工藝制程和技術(shù)節(jié)點(diǎn)不同,每片晶圓在生產(chǎn)過(guò)程中都會(huì)經(jīng)歷幾道甚至幾十道CMP拋光工藝,7nm以下邏輯芯片中CMP拋光步驟達(dá)到三十步,使用拋光液種類(lèi)近三十種。
拋光液和拋光墊是易耗品。CMP的工作原理為將硅片放置在拋光墊上,在拋光液(
含有納米級(jí)SiO2、Al2O3等粒子
)的存在下,不斷旋轉(zhuǎn),通過(guò)粒子的機(jī)械研磨和材料的化學(xué)反應(yīng)同時(shí)進(jìn)行,對(duì)材料表面進(jìn)行平整。拋光墊通常由多孔性材料組成,表面有特殊溝槽,從而提高拋光的均勻性,通常拋光墊使用壽命為45至75小時(shí)。拋光墊和拋光液是CMP技術(shù)中兩種關(guān)鍵材料,根據(jù)安集科技招股書(shū)數(shù)據(jù),兩者成本合計(jì)占拋光材料總成本的82%。
2016-2018全球CMP拋光材料規(guī)模(億美元)
全球拋光材料市場(chǎng)持續(xù)高速增長(zhǎng),2001-2018年,全球拋光材料市場(chǎng)規(guī)模復(fù)合增速達(dá)10.13%。根據(jù)卡博特官網(wǎng)公開(kāi)披露數(shù)據(jù),2018年全球拋光材料市場(chǎng)達(dá)20.1億美元,其中拋光墊市場(chǎng)為12.7億美元,拋光液市場(chǎng)為7.4億美元。預(yù)計(jì)2022年全球拋光材料市場(chǎng)將達(dá)26.1億美元。
其中,拋光墊是一種具有一定彈性且疏松多孔的材料,一般由含有填充材料的聚氨酯構(gòu)成。拋光墊根據(jù)溝槽結(jié)構(gòu)形式不同分為四個(gè)類(lèi)別,每種結(jié)構(gòu)的應(yīng)用領(lǐng)域各有不同。
拋光墊上游原料為聚氨酯等基礎(chǔ)化工原料,不同拋光墊生產(chǎn)企業(yè)根據(jù)擁有的專(zhuān)利不同而選擇不同的拋光材料。
展開(kāi) CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊,日本富士膠片株式會(huì)社(FUJIFILM)近日官網(wǎng)披露消息稱(chēng),為進(jìn)一步推動(dòng)本公司電子材料事業(yè)部發(fā)展,由旗下子公司臺(tái)灣本土法人FUJIFILM Electronic Materials Taiwan Co., Ltd.(總部:臺(tái)灣省新竹市,總經(jīng)理:Alex Chang,以下簡(jiǎn)稱(chēng)為:“FETW”)在臺(tái)灣新竹市購(gòu)得新土地并建新工廠(chǎng),用于生產(chǎn)CMP拋光液以及光刻周邊相關(guān)材料。新工廠(chǎng)計(jì)劃在2026年春季開(kāi)始稼動(dòng)。
此外,富士膠片還將通過(guò)引進(jìn)新設(shè)備以擴(kuò)充臺(tái)灣第三工廠(chǎng)(位于臺(tái)灣省臺(tái)南市)的產(chǎn)能。目前,該工廠(chǎng)內(nèi)在建中的新廠(chǎng)房計(jì)劃于2024年春季開(kāi)始稼動(dòng),用于生產(chǎn)CMP拋光液。此次,富士膠片計(jì)劃投資150億日元(約人民幣7.68億元)用于建設(shè)新工廠(chǎng)和對(duì)現(xiàn)有工廠(chǎng)設(shè)備擴(kuò)充。
基于5G/6G通信技術(shù)的高速化和大容量化發(fā)展、無(wú)人駕駛的普及、元宇宙的加速發(fā)展等背景之下,半導(dǎo)體性能將愈來(lái)愈高,預(yù)計(jì)其市場(chǎng)每年將以10%的速度增長(zhǎng)。
富士膠片產(chǎn)品陣容豐富,涵蓋半導(dǎo)體工藝前后制程,如光刻膠(Photoresist)、光刻(Photo Lithography)相關(guān)材料、CMP拋光液、CMP后清洗材料、薄膜形成材料、聚酰亞胺(Polymide)等。
展開(kāi) 
CMP拋光材料的相關(guān)專(zhuān)題、標(biāo)簽、搜索
CMP拋光材料的最新內(nèi)容
展出范圍
半導(dǎo)體材料:硅片及硅基材料、硅晶圓、硅晶片、單晶硅、硅片、鍺硅材料、S01材料、太陽(yáng)能電池用硅材料及化合物半導(dǎo)體材料、石英制品、石墨制品、防靜電材料、光刻膠及其配套試劑、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、特種化學(xué)氣體、CMP拋光材料、封裝基板、引線(xiàn)框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、封測(cè)材料等。
拋光材料、光阻材料、濕電子化學(xué)品、濺射靶材、封測(cè)材料、切片、磨片、拋光片、薄膜等
等
展出范圍
半導(dǎo)體材料:硅片及硅基材料、硅晶圓、硅晶片、單晶硅、硅片、鍺硅材料、S01材料、太陽(yáng)能電池用硅材料及化合物半導(dǎo)體材料、石英制品、石墨制品、防靜電材料、光刻膠及其配套試劑、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、特種化學(xué)氣體、CMP拋光材料、封裝基板、引線(xiàn)框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、封測(cè)材料等。
激光切割金剛石超硬材料產(chǎn)品零件去毛刺除氧化皮研磨拋光工藝技術(shù)方法
金剛石是由碳原子有規(guī)律的排列組成的單質(zhì)晶體。金剛石經(jīng)過(guò)切割、打磨、拋光就變成了具有收藏價(jià)值的鉆石了。鉆石是所有寶石中成分最為單純,也是自然界中天然存在的最堅(jiān)硬的物質(zhì)。憑借這種物理特性,金剛石在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用也極為廣泛。今天我們就來(lái)分享一個(gè)金剛石合成材料的小薄片的打磨拋光案例。由于工件采用激光切割工藝加工而成,這種研磨工藝方法也適用其他如等離子
O型橡膠密封圈怎樣高效去除合模線(xiàn)、飛邊?
在這個(gè)案例中,我們來(lái)討論一個(gè)橡膠密封圈去合模線(xiàn)、飛邊、毛刺的拋光工藝。這種O型密封圈的材質(zhì)有硅膠、ABS、丁晴膠、氟膠、鐵氟龍、橡膠等,拋光工藝是差不多的。
1. O型密封圈拋光前帶合模線(xiàn)及飛邊毛刺的狀態(tài)
材質(zhì):
橡膠
O型橡膠密封圈怎樣高效去除合模線(xiàn)、飛邊?
在這個(gè)案例中,我們來(lái)討論一個(gè)橡膠密封圈去合模線(xiàn)、飛邊、毛刺的拋光工藝。這種O型密封圈的材質(zhì)有硅膠、ABS、丁晴膠、氟膠、鐵氟龍、橡膠等,拋光工藝是差不多的。
1. O型密封圈拋光前帶合模線(xiàn)及飛邊毛刺的狀態(tài)
材質(zhì):
富士膠片產(chǎn)品陣容豐富,涵蓋半導(dǎo)體工藝前后制程,如光刻膠(Photoresist)、光刻(Photo Lithography)相關(guān)材料、CMP拋光液、CMP后清洗材料、薄膜形成材料、聚酰亞胺(Polymide)等。此外,還有以彩色濾光片(Color Filter,圖像傳感器方向)為代表的波長(zhǎng)控制Mosaic(Wave Control Mosaic,簡(jiǎn)稱(chēng)為:“WCM”)。
拋光材料等。
據(jù)公開(kāi)資料顯示,中國(guó)在包括光刻膠、CMP拋光材料、濺射靶材等在內(nèi)的半導(dǎo)體制造材料上,對(duì)外依存度達(dá)80%以上,在封裝基板、電鍍液、超純?cè)噭┑炔牧项I(lǐng)域則僅實(shí)現(xiàn)一小部分國(guó)產(chǎn)替代。
光刻膠是集成電路最核心的材料之一,其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能以及器件可靠性直接相關(guān)。
由此,光刻膠行業(yè)具有極高的技術(shù)、資金和客戶(hù)壁壘,長(zhǎng)期呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。
造CMP拋光材料的有安集科技、鼎龍股份、江豐電子。
造金屬靶材的有江豐電子。
造封裝基板的有深南電路,興森科技。
造石英材料的有石英股份,菲利華。
造氮化鎵材料的三安光電,海特高新。
還記得531、908、909三大戰(zhàn)役留下的星星之火嗎?
而今,炬火已有燎原之勢(shì)。