ansys激勵源端口設(shè)置的案例
FEKO中激勵源與求解項設(shè)置細節(jié)（持續(xù)完善）
1.端口與激勵
FEKO中的端口形式與激勵形式有多種，每一種的使用環(huán)境也有所不同，選擇不當(dāng)會導(dǎo)致計算報錯或者計算結(jié)果不準(zhǔn)確。
端口類型
激勵形式
天線類型
Wire port
Voltage source
Wire 天線（理想偶極子天線，），針饋波導(dǎo)，線饋微帶天線
Edge port
Voltage source
微帶天線，圓柱形振子天線
Waveguide port
Waveguide exitation
矩形波導(dǎo)，圓波導(dǎo)，同軸線（端口必須是標(biāo)準(zhǔn)的矩形，圓形，環(huán)形如同軸線）
FEM line port
Current source
FEM modal port
FEM modal port
可以針對形狀不規(guī)則的端口
注意事項：
利用line將微帶貼片與地相連接，并設(shè)置wire port端口和voltage source激勵，其等效于利用同軸進行饋電的形式,剖分時wire的半徑應(yīng)與原同軸線饋針的半徑一致，才能獲得較為準(zhǔn)確駐波比。同時line需要完全被介質(zhì)包裹，或者完全置于真空中，才可以設(shè)置wire port。
edge port可以被用來對微帶濾波器或者微帶天線側(cè)饋形式下進行饋電，同時需要注意的是：edge port也需要被介質(zhì)完全包裹，或者完全置于真空中，所以要將饋電端口向介質(zhì)中延申一段。
展開 仿真技巧 | Ansys HFSS 3D Layout 端口設(shè)置（上）
Ansys HFSS 3D Layout中，端口類型按照外形劃分，主要有三種：Edge類型端口，同軸類型端口和Circuit端口。其中Edge類型端口主要用于走線和矩形焊盤位置的端口設(shè)置；同軸類型端口主要用于Solder Ball和圓形焊盤等位置的端口設(shè)置；Circuit端口主要用于集總器件或者S參數(shù)模型的連接。
1、在端口的建立方法上，HFSS 3D Layout和HFSS不同。HFSS中需要用戶自己繪制端口的形狀，然后定義為Wave Port或Lumped Port，而在PCB上定義端口時，用戶需要準(zhǔn)確計算PCB疊層之間的距離以保證端口邊緣與上下疊層對齊，因此在HFSS中定義PCB端口過程較為繁瑣。在HFSS 3D Layout中，用戶不再需要自己繪制，可以通過軟件上的選擇和設(shè)置來完成，端口建立過程十分簡單。
2、Port建立完成之后，點擊該Port，在屬性窗口中會顯示它的EM Design信息，可以修改調(diào)整Port的屬性，包括類型、大小、參考面等。
HFSS 3D Layout的Edge端口和同軸端口是按照外形劃分的，從本質(zhì)上講，它們都屬于HFSS中的Wave Port或Lumped Port，在HFSS 3D Layout中設(shè)置端口的時候也要考慮到這兩種端口的特征和適用場景，選擇最合適的端口。用戶可在屬性窗口中修改端口類型，點擊上圖中的HFSS Type參數(shù)，不同情況下可能會出現(xiàn)Gap、Wave、Circuit等選項。Gap就是Lumped Port，Wave是Wave Port，Circuit表示Circuit端口。若從Gap修改為Wave，端口大小會發(fā)生變化。
展開 仿真技巧 | Ansys HFSS 3D Layout 端口設(shè)置（下）
另外一種方法是先點擊Port->Create Circuit Ports，然后點擊要設(shè)置端口的地方對應(yīng)的兩個點，第一個點為端口的Positive端，第二個點為端口的Negative端，然后在彈出的菜單中分別選擇Positive端和Negative所在的層。
Circuit端口是通過在Positive端和Negative端家電流作為激勵的，因此并不需要求解端口的電磁場。用戶需要確保Circuit端口的大小滿足電小尺寸要求，并考慮該電流激勵的位置是否合理。對于HFSS 3D Layout軟件而言，Circuit端口雖然足夠靈活，但是并非第一選擇，優(yōu)先推薦的選擇是Edge端口和同軸端口。
文章來源于南京安世亞太 ，作者朱秀珍
展開 ANSYS知識庫 | Maxwell激勵設(shè)置及網(wǎng)格剖分設(shè)置問題（二）
3、如何在Maxwell current激勵下設(shè)置電流突變（=0）設(shè)置?
定義一個變量zerotime
定義電流源帶變量
5*1.414*sin(2*pi*180*time+53.7*pi/180)*pwl(zerotime,time)
輸出/輸入電流波形，在0.0055s 時電流變?yōu)?.
ANSYS知識庫 | Maxwell激勵設(shè)置及網(wǎng)格剖分設(shè)置問題（一）
一，Maxwell激勵設(shè)置問題：
1、Maxwell 3D如何出現(xiàn)“Current leak to the air”的報錯信息？
問題描述：
當(dāng)Maxwell3D仿真模型里面包含空心線圈的時候，有時候會報“Current leak to the air”的錯誤信息，截圖如下：
錯誤原因：
這是軟件的一個Bug，在V15之前直接報錯，不提供錯誤信息；V16以后，提供報錯信息。
解決辦法：
空心線圈不要建立成360全模型，可以包含一個非常小的空隙。
ANSYS知識庫 | Maxwell激勵設(shè)置及網(wǎng)格剖分設(shè)置問題
來源于：ANSYS官網(wǎng)
ANSYS知識庫 | Maxwell激勵設(shè)置及網(wǎng)格剖分設(shè)置問題（四）
問題描述：
3D模型軸向拉伸生成高質(zhì)量均勻網(wǎng)格
解決辦法：
利用3D“Clone mesh”技術(shù)，通過拉伸生成高質(zhì)量均勻網(wǎng)格
★ 在“Band”部件右鍵單擊“Assign mesh operation->CylindricalGap treatment”,完成后在“Project Manager->Mesh Operations->CylindricalGaps1”中勾選“Clone Mesh”
★ 設(shè)置完成以后，運行“Apply Mesh Operations”選中任意軸向?qū)ΨQ部件，然后右鍵“Plot Mesh”即可得到高質(zhì)量3D均勻網(wǎng)格。
來源于：ANSYS官網(wǎng)
展開 ANSYS知識庫 | Maxwell激勵設(shè)置及網(wǎng)格剖分設(shè)置問題（二）
問題描述：
3D模型軸向拉伸生成高質(zhì)量均勻網(wǎng)格
解決辦法：
利用3D“Clone mesh”技術(shù)，通過拉伸生成高質(zhì)量均勻網(wǎng)格
★ 在“Band”部件右鍵單擊“Assign mesh operation->CylindricalGap treatment”,完成后在“Project Manager->Mesh Operations->CylindricalGaps1”中勾選“Clone Mesh”
★ 設(shè)置完成以后，運行“Apply Mesh Operations”選中任意軸向?qū)ΨQ部件，然后右鍵“Plot Mesh”即可得到高質(zhì)量3D均勻網(wǎng)格。
來源于：ANSYS官網(wǎng)
展開 ANSYS知識庫 | Maxwell激勵設(shè)置及網(wǎng)格剖分設(shè)置問題（一）
定義一個變量zerotime
定義電流源帶變量
5*1.414*sin(2*pi*180*time+53.7*pi/180)*pwl(zerotime,time)
輸出/輸入電流波形，在0.0055s 時電流變?yōu)?.
電壓源應(yīng)該也是OK的；比采用外電路激勵要方便很多。
ANSYS知識庫 | Maxwell激勵設(shè)置及網(wǎng)格剖分設(shè)置問題（三）
RMxprt一鍵有限元設(shè)置為15°。
