晶振電路的案例
【知識分享】晶振決定數(shù)字電路的生與死
晶振，在板子上看上去一個不起眼的小器件，但是在數(shù)字電路里，就像是整個電路的心臟。數(shù)字電路的所有工作都離不開時鐘，晶振的好壞，晶振電路設(shè)計的好壞，會影響到整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性。所以更多的了解晶振，選擇好系統(tǒng)使用的晶振，對數(shù)字電路來說是決定成敗的第一步。
我們目前常說的晶振都是石英晶體振蕩器或者石英晶體諧振器的簡稱。他們都是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制作而成。在石英晶體的兩個電極上施加電場會使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形，反之，如果在晶體兩側(cè)施加機(jī)械壓力就會在晶體上產(chǎn)生電場。并且，這兩種現(xiàn)象是可逆的。利用這種特性，在晶體的兩側(cè)施加交變電壓，晶片就會產(chǎn)生機(jī)械振動，同時產(chǎn)生交變電場。這種震動和電場一般都很小，但是在某個特定頻率下，振幅會明顯加大，這就是壓電諧振，和我們常見到的LC回路諧振有些類似。
下圖是晶振的電氣等效電路和電抗頻率特性曲線圖：
從圖中可以看出，當(dāng)LCR這個支路發(fā)生串聯(lián)諧振的時候，其串聯(lián)諧振頻率為fs，其計算公式和普通的串聯(lián)諧振計算公式一樣：
當(dāng)頻率繼續(xù)提高，高于fs時，LCR支路呈感性，這樣和C0產(chǎn)生并聯(lián)諧振，并聯(lián)諧振頻率fp，其計算公式為：
其中由于晶振的特性，C遠(yuǎn)小于C0，所以fp和fs的值非常接近。通過電抗頻率特性曲線圖可以看出來，在這個狹窄的頻率范圍內(nèi)，晶振整體表現(xiàn)出感性，這樣只需要在晶振外部并聯(lián)合適的電容，就可以組成并聯(lián)諧振電路。然后把這個并聯(lián)諧振電路加到負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路。這個合適的電容就是晶振的負(fù)載電容。
上圖就是一個常見的晶振振蕩電路，晶振和C1、C2組成并聯(lián)諧振回路，接到芯片的管腳上，芯片內(nèi)部的反相放大器和Rf組成負(fù)反饋回路，R1用來限制流入 晶振的電流。有些芯片會把Rf和R1集成到器件中，這樣就降低了電路設(shè)計的難度。
展開 皮爾斯晶振電路的參數(shù)計算
今天看一下皮爾斯晶振電路，就長下面這個樣子。
皮爾斯晶振電路
來看一下電路參數(shù)作用及如何計算，幫助更好地設(shè)計MCU的晶振電路。
： 晶振內(nèi)部反饋電阻，它的作用是使反向器作為放大器工作，并接在Vin和Vout上，使放大器的Vout = Vin，從而強(qiáng)制它運(yùn)行在線性區(qū)內(nèi)。
不同的晶振，反饋電阻不一樣，如下ST給出了對應(yīng)的范圍。
不同頻率晶振反饋電阻的范圍
這個參數(shù)我們可以不用管。
： 內(nèi)部的反相器，作為放大器來用。
： 晶振/晶體。
分享一份晶振電路設(shè)計指南，非常nice！
調(diào)整外部電容器CL1和CL2，使振蕩電路實際的負(fù)載電容等于晶振制造商標(biāo)定的負(fù)載值CL參數(shù)（晶振規(guī)格書一般會提供），可以獲得標(biāo)定的振蕩頻率。
計算公式如下：
舉個計算的示例：
如果晶振規(guī)格書手冊中CL ＝15pF，并假定Cs = 5pF，則匹配電容CL1，CL2有：
3、振蕩器的增益裕量
增益裕量是最重要的參數(shù)，它決定振蕩器是否能夠正常起振，其表達(dá)式如下：
其中：
a、gm是反相器的跨導(dǎo)（高頻時單位是mA/V，低頻時是μA/V，比如32Khz）。
b、gmcrit (gm critical)的值取決于晶體參數(shù)。
假定CL1 = CL2，并假定電路實際的CL與制造商給定的CL值相同，則gmcrit表達(dá)式如下（其中ESR是指晶振的等效串聯(lián)電阻）：
根據(jù)Eric Vittoz理論：晶體等效電路的阻抗由放大器和兩個外部電容的阻抗來補(bǔ)償。
為了滿足這個理論，gm必須滿足gm>gmcrit, 在這種情況下才滿足起振的振蕩條件。為保證可靠的起振，增益裕量gainmargin的最小值一般設(shè)為5。
舉個例子，設(shè)計一個微控制器的振蕩器部分，其gm等于25mA/V。如果所選擇的石英晶振的參數(shù)如下：
頻率 = 8MHz，C0 = 7pF，CL = 10pF，ESR = 80 Ω。那么該晶體能否與微控制器配合起振？
計算gmcrit：
進(jìn)一步計算增益裕量：
此增益裕量遠(yuǎn)大于起振條件，即gainmargin>5，晶振將正常起振。
如果不能滿足增益裕量起振條件(即增益裕量gainmargin小于5)，晶振無法正常起振，應(yīng)嘗試選擇一種ESR較低，CL較低的晶振。
展開 硬件原理圖說明文檔如何寫
芯片有自己的1.2V_LDO可以給其內(nèi)核供電，采用40M晶振為芯片提供基準(zhǔn)頻率。芯片WAKE、chip_EN 連到Core 100 GPIO 管腳，起WLAN 的喚醒、復(fù)位功能
（3）PHY芯片IP101GR
IP101GR 是單口的10/100 MLL/RMLL/TP/Fiber快速網(wǎng)絡(luò)收發(fā)芯片，支持IEEE 802.3/802.3u標(biāo)準(zhǔn)，支持自動MDI/MDIX轉(zhuǎn)換功能，支持基線飄逸補(bǔ)償功能，支持中斷等。本設(shè)計中采用RMLL接口與模塊進(jìn)行通信，以拓展模塊的以太網(wǎng)功能。芯片采用25M晶振為內(nèi)核提供基準(zhǔn)時鐘。
（4）DC-DC設(shè)計
本設(shè)計采用的DC-DC芯片為STI3470，該芯片為SOT23-6封裝，尺寸小，輸入電壓范圍4.5-16V,輸出電流可達(dá)2A.設(shè)計中使用兩顆該芯片，分別產(chǎn)生4.0V和3.3V的直流電給模塊，WiFi，PHY芯片供電。
（5）其他
本設(shè)計中其他的復(fù)位，配置，LED燈顯示等細(xì)節(jié)，將在下面介紹。
2、 ZX237520V2模塊電路原理圖說明
圖二
如圖二所示是ZX237520V2模塊的管腳接線圖，其中還包括部分外圍接口電路，如4G天線接口電路，串口電路，供電管腳濾波電路等。
圖三
如圖三所示是模塊的一些配置管腳連接圖，主要包含模塊的開機(jī)上電、充電方式，WPS按鍵，模塊按鍵，開機(jī)boot，以及一些并未使用但是由于NC后電平不確定可能影響模塊正常工作的管腳的接線電路圖。
圖四
如圖四是模塊控制的LED信號指示燈的電路連接圖，由于模塊的IO端口可能存在驅(qū)動能力不足的問題，因此每個控制信號燈的IO端口都通過放大其驅(qū)動能力。
展開 
干貨｜為什么你的晶振又燒壞了？
首先要清楚的一件事情是：晶振分為無源晶振與有源晶振兩大類。
基于這兩類晶振的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與工作原理的差異，
晶振被燒壞
的情況也要分為兩大類：
針對無源晶振被燒壞的情況有以下兩點(diǎn)：
1、手焊操作不當(dāng)
假如利用高溫或長時間對導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱，會導(dǎo)致晶振內(nèi)部晶片鍍銀層破壞，電阻超差等問題，引發(fā)晶振不起振。
2、激勵功率過大
根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同，選擇合適激勵功率的晶振，切不可只為了改變晶振的輸出頻率，任意改變電路輸入給晶振的激勵功率的大小。因為電路提供的激勵功率過大可能會導(dǎo)致石英晶片振幅變大，因此過多的熱量產(chǎn)生導(dǎo)致石英晶片振動區(qū)域的溫度升高。石英晶片本身則產(chǎn)生梯度性溫度攀升，直接破壞頻率穩(wěn)定度。由于晶片機(jī)械性變形程度可能會超出彈性極限，造成晶格不可恢復(fù)性的位移，造成晶振輸出頻率永久性頻偏。更嚴(yán)重的情況下，石英晶片振碎，導(dǎo)致晶振徹底不起振（停振），也就是我們所說的“燒壞”。造成等效電阻變大(注：一般晶振電阻值為10~100Ω)，影響晶振起振，嚴(yán)重情況下造成晶振停振。激勵功率過大，還可能導(dǎo)致導(dǎo)致固著晶片與基座的導(dǎo)電膠受損，比如斷裂，后果是造成晶振內(nèi)部電路斷路、晶振停振。
在無源晶振的電路應(yīng)用中，加在晶振兩端的電壓很低，因此無源晶振被燒壞的情況極少。而該類事故卻更多發(fā)生在有源晶振的不當(dāng)應(yīng)用上，因此需要引起特別關(guān)注。
針對有源晶振被燒壞的情況也分為以下兩點(diǎn)：
1、電壓輸入接錯方向
石英晶體振蕩器通常用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。
電壓正確接法：必須把電壓輸入接到晶振的電壓輸入腳（VCC）。若錯接到接地腳，晶振就會被電流 “燒壞”。
展開 干貨 | 晶振為什么不封裝進(jìn)芯片內(nèi)部？
電子元器件的小型化趨勢，有力促進(jìn)了當(dāng)下社會的發(fā)展進(jìn)步，電子元器件越小，為主板節(jié)約的空間越大，因此，有人異想天開，如果能將晶振電路封裝到IC芯片(如時鐘芯片)內(nèi)部將是多么wan美，就如同有源晶振在無源晶振的基礎(chǔ)內(nèi)置振動芯片，就無需外部的電容電阻等元器件了。
但實際出于各種原因，晶振并沒有內(nèi)置到IC芯片中。這究竟是為什么呢？
原因1、早些年，芯片的生產(chǎn)制作工藝也許還不能夠?qū)?em>晶振做進(jìn)芯片內(nèi)部，但是現(xiàn)在可以了。這個問題主要還是實用性和成本決定的。
原因2、芯片和晶振的材料是不同的，芯片 (集成電路) 的材料是硅，而晶體則是石英 (二氧化硅)，沒法做在一起，但是可以封裝在一起，目前已經(jīng)可以實現(xiàn)了，但是成本就比較高了。
原因3、晶振一旦封裝進(jìn)芯片內(nèi)部，頻率也固定死了，想再更換頻率的話，基本也是不可能的了，而放在外面, 就可以自由的更換晶振來給芯片提供不同的頻率。
有人說，芯片內(nèi)部有 PLL，管它晶振頻率是多少，用 PLL 倍頻/分頻不就可以了，那么這有回到成本的問題上來了，100M 的晶振集成到芯片里, 但我用不了那么高的頻率，我只想用 10M 的頻率，那我為何要去買你集成了 100M 晶振的芯片呢，又貴又浪費(fèi)。
我們通常所說的 "片內(nèi)時鐘", 是不是實際上片內(nèi)根本沒有晶振, 是有RC 振蕩電路。
由圖可以看出系統(tǒng)時鐘的供給可以有3種方式，HSI，HSE，PLL。
展開 晶振為什么不封裝到芯片內(nèi)部, 你想明白了嗎?
因此，有人異想天開，如果能將晶振電路封裝到IC芯片(如時鐘芯片)內(nèi)部將是多么完美，就如同有源晶振在無源晶振的基礎(chǔ)內(nèi)置振動芯片，就無需外部的電容電阻等元器件了。
但實際出于各種原因，晶振并沒有內(nèi)置到IC芯片中。這究竟是為什么呢？
為什么芯片不內(nèi)置晶振
原因1：早些年，芯片的生產(chǎn)制作工藝也許還不能夠?qū)?em>晶振做進(jìn)芯片內(nèi)部，但是現(xiàn)在可以了。這個問題主要還是實用性和成本決定的。
原因2：芯片和晶振的材料是不同的，芯片 (集成電路) 的材料是硅，而晶體則是石英 (二氧化硅)，沒法做在一起，但是可以封裝在一起，目前已經(jīng)可以實現(xiàn)了，但是成本就比較高了。
原因3：晶振一旦封裝進(jìn)芯片內(nèi)部，頻率也固定死了，想再更換頻率的話，基本也是不可能的了，而放在外面，就可以自由的更換晶振來給芯片提供不同的頻率。
有人說，芯片內(nèi)部有PLL，管它晶振頻率是多少，用PLL 倍頻/分頻不就可以了。
展開 電動汽車電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)EMC設(shè)計及測試研究
1.1 騷擾來源
電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的逆變器部分包含動力電轉(zhuǎn)換單元及低壓轉(zhuǎn)換電源，這兩部分電路分別會產(chǎn)生不同頻次及幅值的騷擾信號，是電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)主要的騷擾信號來源。
圖1中S1～S6為半導(dǎo)體開關(guān)，通常為IGBT或MOSFET器件，其工作頻率一般在10kHz至50kHz之間，開關(guān)器件通過銅排或疊層母排與母線電容連接，母線電容可以吸收開關(guān)過程產(chǎn)生的高頻紋波電流。開關(guān)頻率通常不在標(biāo)準(zhǔn)考核的傳導(dǎo)及輻射騷擾頻段以內(nèi)，但由于連接通路上寄生參數(shù)的存在，開關(guān)過程中會產(chǎn)生瞬態(tài)的電壓電流震蕩，該震蕩頻率與具體寄生參數(shù)有關(guān)，通常分布在5MHz～20MHz。
圖2、圖3分別為IGBT模塊連接回路寄生參數(shù)示意及某控制器脈沖實驗測試到的IGBT模塊關(guān)斷過程中的電壓震蕩波形。其中ESR及ESL為回路寄生電阻、電感，Coes、Cies、Cres為IGBT模塊的寄生電容。
通過儀器測試，該連接回路的寄生電感為35nH，IGBT單元的規(guī)格書中提供的輸出等效電容為2.9nF，可以計算出回路諧振頻率為15.8MHz，與測試波形中的震蕩頻率基本一致，且通過波形可以看出，該瞬態(tài)信號在電壓及電流信號中都有表現(xiàn)，并可能通過驅(qū)動電路傳導(dǎo)至低壓電路部分。圖2中還包含開關(guān)過程中電壓上升速率du/dt等效的電壓騷擾信號，該上升時間約200ns，通過傅里葉分析可以得到其諧波在開關(guān)頻率至50M之間都有分布，幅值隨頻率升高而降低。
低壓電源轉(zhuǎn)換電路及晶振電路也是騷擾產(chǎn)生的源頭，GB/T36282—2018標(biāo)準(zhǔn)中的窄帶測試便是主要針對這一部分。由于功率密度的限制，低壓電源轉(zhuǎn)換電路多數(shù)均使用開關(guān)電源，典型的有Flyback、Buck等電路形式，目前主流的管理芯片如TI公司的TPS54331等，開關(guān)頻率約為500kHz左右，是傳導(dǎo)騷擾及部分標(biāo)準(zhǔn)中輻射騷擾關(guān)注的低頻段區(qū)域。
展開 電動汽車電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)EMC設(shè)計及測試研究
1.1 騷擾來源
電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的逆變器部分包含動力電轉(zhuǎn)換單元及低壓轉(zhuǎn)換電源，這兩部分電路分別會產(chǎn)生不同頻次及幅值的騷擾信號，是電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)主要的騷擾信號來源。
圖1中S1～S6為半導(dǎo)體開關(guān)，通常為IGBT或MOSFET器件，其工作頻率一般在10kHz至50kHz之間，開關(guān)器件通過銅排或疊層母排與母線電容連接，母線電容可以吸收開關(guān)過程產(chǎn)生的高頻紋波電流。開關(guān)頻率通常不在標(biāo)準(zhǔn)考核的傳導(dǎo)及輻射騷擾頻段以內(nèi)，但由于連接通路上寄生參數(shù)的存在，開關(guān)過程中會產(chǎn)生瞬態(tài)的電壓電流震蕩，該震蕩頻率與具體寄生參數(shù)有關(guān)，通常分布在5MHz～20MHz。
圖2、圖3分別為IGBT模塊連接回路寄生參數(shù)示意及某控制器脈沖實驗測試到的IGBT模塊關(guān)斷過程中的電壓震蕩波形。其中ESR及ESL為回路寄生電阻、電感，Coes、Cies、Cres為IGBT模塊的寄生電容。
通過儀器測試，該連接回路的寄生電感為35nH，IGBT單元的規(guī)格書中提供的輸出等效電容為2.9nF，可以計算出回路諧振頻率為15.8MHz，與測試波形中的震蕩頻率基本一致，且通過波形可以看出，該瞬態(tài)信號在電壓及電流信號中都有表現(xiàn)，并可能通過驅(qū)動電路傳導(dǎo)至低壓電路部分。圖2中還包含開關(guān)過程中電壓上升速率du/dt等效的電壓騷擾信號，該上升時間約200ns，通過傅里葉分析可以得到其諧波在開關(guān)頻率至50M之間都有分布，幅值隨頻率升高而降低。
低壓電源轉(zhuǎn)換電路及晶振電路也是騷擾產(chǎn)生的源頭，GB/T36282—2018標(biāo)準(zhǔn)中的窄帶測試便是主要針對這一部分。由于功率密度的限制，低壓電源轉(zhuǎn)換電路多數(shù)均使用開關(guān)電源，典型的有Flyback、Buck等電路形式，目前主流的管理芯片如TI公司的TPS54331等，開關(guān)頻率約為500kHz左右，是傳導(dǎo)騷擾及部分標(biāo)準(zhǔn)中輻射騷擾關(guān)注的低頻段區(qū)域。
展開 干貨 | 常見電子元器件等效電路匯總
雙向觸發(fā)二極管等效電路
下圖所示是雙向觸發(fā)二極管結(jié)構(gòu)示意圖和等效電路。
石英晶振等效電路
下圖所示是石英晶振等效電路。從等效電路中可以看出，石英晶振相當(dāng)于一個LC串聯(lián)諧振電路。
陶瓷濾波器等效電路
圖所示是陶瓷濾波器等效電路。陶瓷濾波器由1個或多個壓電振子組成，雙端陶瓷濾波器等效為一個LC串聯(lián)諧振電路。由LC串聯(lián)諧振電路特性可知，諧振時該電路的阻抗最小，且為純阻性。不同場合下使用的雙端陶瓷濾波器的諧振頻率不同。
展開 【知識分享】深度了解芯片工作的心臟-晶振
晶振概念：在振蕩器中采用一個特殊的元件——石英晶體，它可以產(chǎn)生頻率高度穩(wěn)定的交流信號，這種采用石英晶體的振蕩器稱為晶體振蕩器，簡稱晶振。
制作方法：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片(簡稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等)，在它的兩個對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構(gòu)成了晶振器，常見的有DIP(插腳類)和SMD(插片類)。
常見晶振
插腳類晶振
貼片類晶振
晶振特性：
有源晶振無源晶振的常見電路
晶振與CPU相連：CPU需要復(fù)雜的時序電路完成不同的指令功能。一般時鐘信號可以由兩種信號產(chǎn)生：一種是內(nèi)部方式，利用芯片內(nèi)部的振蕩電路，產(chǎn)生時鐘信號；另一種為外部方式，時鐘信號由外部引入，時鐘晶振就是芯片的外部時鐘信號源。時鐘晶振的主要作用是通過分頻電路向顯卡、網(wǎng)卡、主板等配件的各部分提供基準(zhǔn)頻率，它就像個標(biāo)尺，時鐘芯片就是拿這把標(biāo)尺來量時間。若時鐘晶振工作頻率不穩(wěn)定會，就會造成相關(guān)設(shè)備工作頻率不穩(wěn)定，引發(fā)失效不良風(fēng)險。
晶振與CPU連接圖
通過分頻電路給各種信號提供基準(zhǔn)時鐘信號
晶振的測量
使用示波器直接測輸出波形，看輸出頻率是否穩(wěn)定并計算頻率
本文作者：芯博士
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【干貨分享】32種EMC標(biāo)準(zhǔn)電路分享
EMC設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)電路
029
有源晶振EMC設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)電路
030
以太網(wǎng)EMC(EMI)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)電路
031
以太網(wǎng)EMC（浪涌）設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)電路(差模要求較高方案）
032
以太網(wǎng)EMC(浪涌）中心抽頭方案（節(jié)約空間）
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嵌入式硬件設(shè)計幾點(diǎn)注意事項
2、晶振的確定
晶振相當(dāng)于嵌入式系統(tǒng)的心臟，其穩(wěn)定與否直接關(guān)系其運(yùn)行狀態(tài)和通訊性能。常見的振有無源晶振，有源晶振，首先要確定其振蕩頻率，其次要確定晶振類型。
無源晶振其匹配電容和匹配電阻的選擇，這部分一般依據(jù)參考手冊。在單片機(jī)設(shè)計中，經(jīng)常使用插件晶振配合瓷片電容。在ARM中，為了減少空間和便于布線，經(jīng)常使用四角無源晶振配合貼片電容。
雖然我們對于固定晶振的匹配電路比較熟悉，但是為了達(dá)到萬無一失，還是要看參考手冊確定電容大小，是否需要匹配電阻等細(xì)節(jié)。
有源晶振具有更好的更準(zhǔn)確的時鐘信號，但是相比之下，比無緣晶振價格高，因此這也是在硬件電路設(shè)計中需要關(guān)注的成本。在做電路板設(shè)計時需要注意晶振走線盡量靠近芯片，關(guān)鍵信號遠(yuǎn)離時鐘走線。
在條件允許的情況下增加接地保護(hù)環(huán)。如果是多層板，也要講關(guān)鍵信號遠(yuǎn)離晶振的走線。
3、預(yù)留測試IO口
在嵌入式調(diào)試階段，在管腳資源豐富的情況下，我通常預(yù)留一個IO口連接led或者喇叭，為下一步軟件的編寫做鋪墊。在嵌入式系統(tǒng)運(yùn)行過程中適當(dāng)控制該IO接口，從而判斷系統(tǒng)是否正常運(yùn)行。
4、外擴(kuò)存儲器
一個嵌入式系統(tǒng)如果有電源、晶振和CPU，那么這就是我們熟悉的最小系統(tǒng)。
展開 【干貨分享】EMC中的基石-電磁兼容濾波知識大全
32、150kHz-300kHz和20MHz-30MHz這兩處傳導(dǎo)都不過，可在共模電路前加一個差模電路。也可以看看接地是否有問題，該接地的地方一定要加強(qiáng)接牢，主板上的地線一定要理順，不同的地線之間走線一定要順暢不要互相交錯的。
33、在整流橋上并電容，當(dāng)考慮共模成分時，應(yīng)該鄰角并電容，當(dāng)考慮差模成分時，應(yīng)該對角并電容。
34、加大輸入端差模電感。
2、產(chǎn)品電磁兼容騷擾源有：
1、設(shè)備開關(guān)電源的開關(guān)回路：騷擾源主頻幾十kHz到百余kHz，高次諧波可延伸到數(shù)十MHz。
2、設(shè)備直流電源的整流回路：工頻線性電源工頻整流噪聲頻率上限可延伸到數(shù)百kHz；開關(guān)電源高頻整流噪聲頻率上限可延伸到數(shù)十MHz。
3、電動設(shè)備直流電機(jī)的電刷噪聲：噪聲頻率上限可延伸到數(shù)百M(fèi)Hz。
4、電動設(shè)備交流電機(jī)的運(yùn)行噪聲：高次諧波可延伸到數(shù)十MHz。
5、變頻調(diào)速電路的騷擾發(fā)射：開關(guān)調(diào)速回路騷擾源頻率從幾十kHz到幾十MHz。
6、設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)切換的開關(guān)噪聲：由機(jī)械或電子開關(guān)動作產(chǎn)生的噪聲頻率上限可延伸到數(shù)百M(fèi)Hz。
7、智能控制設(shè)備的晶振及數(shù)字電路電磁騷擾：騷擾源主頻幾十kHz到幾十MHz，高次諧波可延伸到數(shù)百M(fèi)Hz。
8、微波設(shè)備的微波泄漏：騷擾源主頻數(shù)GHz。
9、電磁感應(yīng)加熱設(shè)備的電磁騷擾發(fā)射：騷擾源主頻幾十kHz，高次諧波可延伸到數(shù)十MHz。
10電視電聲接收設(shè)備的高頻調(diào)諧回路的本振及其諧波：騷擾源主頻數(shù)十MHz到數(shù)百M(fèi)Hz，高次諧波可延伸到數(shù)GHz。
展開 PCB 焊盤與孔設(shè)計工藝規(guī)范
同一線路中的相鄰零件腳或不同PIN 間距的兼容器件，要有單獨(dú)的焊盤孔，特別是封裝兼容的繼電器的各兼容焊盤之間要連線，如因PCB LAYOUT無法設(shè)置單獨(dú)的焊盤孔，兩焊盤周邊必須用阻焊漆圍住
4.3.9 設(shè)計多層板時要注意，金屬外殼的元件，插件時外殼與印制板接觸的，頂層的焊盤不可開，一定要用綠油或絲印油蓋住（例如兩腳的晶振、3只腳的LED）。
4.3.10 PCB板設(shè)計和布局時盡量減少印制板的開槽和開孔,以免影響印制板的強(qiáng)度。
4.3.11 貴重元器件：貴重的元器件不要放置在PCB的角、邊緣、安裝孔、開槽、拼板的切割口和拐角處，以上這些位置是印制板的高受力區(qū)，容易造成焊點(diǎn)和元器件的開裂和裂紋。
4.3.12 較重的器件(如變壓器)不要遠(yuǎn)離定位孔,以免影響印制板的強(qiáng)度和變形度。布局時,應(yīng)該選擇將較重的器件放置在PCB的下方(也是最后進(jìn)入波峰焊的一方)。
4.3.13 變壓器和繼電器等會輻射能量的器件要遠(yuǎn)離放大器、單片機(jī)、晶振、復(fù)位電路等容易受干擾的器件和電路,以免影響到工作時的可靠性。
4.3.14 對于QFP 封裝的IC(需要使用波峰焊接工藝),必須45 度擺放,并且加上出錫焊盤。
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