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關(guān)注創(chuàng)建者:王靖雯 創(chuàng)建時間:2023-03-07
ansys仿真角度的視頻教程
電磁檢測與仿真系列課-02-電磁角度傳感器原理與仿真
霍爾、磁阻角度傳感器工作原理 如何參數(shù)化充磁角度 霍爾、磁阻角度傳感器軸上測量方法 comsol軟件案例仿真軸上測量磁路曲線 霍爾、磁阻角度傳感器離軸測量方法 Maxwell軟件案例仿真軸上測量磁路曲線
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ANSYS/LS-dyna不同傾斜角度炸藥延時起爆三維模型SPH-FEM
1.不同傾斜角度炸藥建模及網(wǎng)格劃分。 2.講述了有限元網(wǎng)格轉(zhuǎn)換SPH的操作,有限元網(wǎng)格與SPH粒子的耦合。 3.講述SPH-FEM模型的全局約束方法,減少節(jié)點約束報錯幾率。 4.附件包含:三維全模型源文件,視頻K文件,巖石、混凝土等材料參數(shù)庫等資料。
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1.傾斜炮孔建模及網(wǎng)格劃分 2.臺階爆破模型如何簡化建模 3.采用PBM爆破粒子法控制炸藥的延期起爆 4.后處理及數(shù)據(jù)導(dǎo)出
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ansys仿真角度的實例教程
說明
在本例中,通過使用FDTD求解器和CHARGE求解器對CMOS圖像傳感器的光學(xué)和電學(xué)特性進(jìn)行仿真,從而分析其角度響應(yīng)。仿真的結(jié)果主要包括:光的空間分布與傳輸,光效率及量子效率與光入射角度的關(guān)系,同時還分析了微透鏡位移產(chǎn)生的影響。
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綜述
CMOS圖像傳感器在亞波長范疇的吸收、散射和衍射及電荷的運動特征,通常需要聯(lián)合其光學(xué)與電學(xué)特性來仿真分析。因此,在本例中光學(xué)仿真將用于求解光場的分布、傳輸和效率等結(jié)果,同時仿真還分析了光入射角度和位移的影響。隨著步驟1-3中參數(shù)個數(shù)不斷增加(單模擬、角度/偏振掃描和角度/偏振/微透鏡位置的掃描),案例將分析不同參數(shù)與結(jié)果的復(fù)雜關(guān)系。最終,基于光學(xué)仿真(步驟2)得出的電荷生成數(shù)據(jù)將與電學(xué)仿真(步驟4)得出的加權(quán)函數(shù)相結(jié)合,分析求解出不同入射角度下的量子效率和串?dāng)_(步驟5)。
注解:“像素(pixel)”的定義可能因應(yīng)用領(lǐng)域而有所區(qū)別。在本例中,光學(xué)仿真區(qū)內(nèi)有一個周期單元(unit cell),一個單元中有紅/綠/藍(lán)/綠四個像素,我們將周期單元中包含的紅/綠/藍(lán)/綠結(jié)構(gòu)稱為“像素”。這意味著一個單元中有4個像素,如下圖所示。
步驟1:初始仿真
模型中的傳感器以固定角度被平面波照射,運行仿真FDTD求解器將獲取每個像素中的場分布、傳輸和光學(xué)效率。在此步驟中將得到以下結(jié)果:
光場分布 Field profile
場監(jiān)視器將分別記錄紅/綠色像素和綠/藍(lán)色像素橫截面上的光場分布。因為光源的波長被設(shè)置為550 nm(綠色),由于不同區(qū)域的波長選擇性不同,所以可以發(fā)現(xiàn)下圖中綠色像素處的監(jiān)視器中的透射較高。
展開 本文案例為不同傾斜角度炮孔裝藥方式下的臺階延期爆破案例。整體采用PBM-FEM粒子爆破法,與流固耦合算法相比節(jié)約了大量計算時間。
k文件見附件:可供參考學(xué)習(xí)!
這些仿真表明,在30度入射角下,對于550nm(綠光)光,向紅色active區(qū)域的功率傳輸約為3%。
高級角響應(yīng)
上述結(jié)果是根據(jù)Si表面的Poynting向量計算得出的。沒有考慮Si層內(nèi)吸收的空間分布。例如,我們沒有考慮光在被吸收之前進(jìn)入硅的距離。相同的參數(shù)掃描收集數(shù)據(jù),我們將在Si 內(nèi)部特定區(qū)域上對每單位體積loss進(jìn)行積分。這使我們能夠進(jìn)行更準(zhǔn)確的角度響應(yīng)計算,因為我們可以計算耗盡區(qū)域(任意形狀)內(nèi) Si 吸收的功率分?jǐn)?shù)。下圖顯示了其中一個仿真(第 19 次)中Si 內(nèi)的每單位體積loss。由于紅色濾光片阻擋了光線(x<0),因此我們在紅色像素耗盡區(qū)域沒有看到太大 loss。請注意,顏色條修改為最大 4e11 W/m^2。
圖7 吸收分布圖
耗盡區(qū)的吸收是通過在耗盡區(qū)上對每單位體積損耗進(jìn)行積分并歸一化到入射功率來計算的。在這個案例中,我們假設(shè)每個耗盡區(qū)為1x1mm2,如下所示。耗盡區(qū)域通常不需要是矩形的。
圖8 耗盡區(qū)示意圖
通過在耗盡區(qū)域面積上對單位體積損耗進(jìn)行積分,我們得到了更準(zhǔn)確的角度響應(yīng)曲線。為了便于比較,我們將其縮放到和上面在Si表面對Poynting vector進(jìn)行積分時相同的比例,在這里,我們看到形狀非常相似,但光學(xué)效率降低了。這是因為現(xiàn)在我們只收集硅中第一微米深度內(nèi)被吸收的光。此外,由于模擬邊界位于y=-1.2mm處,因此在full Si volume中吸收的功率會降低,這意味著一些光穿透模擬區(qū)域,并被仿真區(qū)底部的PML吸收。
圖9 光學(xué)效率圖
Ansys Lumerical軟件試用,培訓(xùn),歡迎聯(lián)系摩爾芯創(chuàng)。
參考文獻(xiàn)
1. F. Hirigoyen, A. Crocherie, J. M. Vaillant, and Y.
展開 關(guān)于這兩年CAE業(yè)界都在發(fā)展的拓補(bǔ)優(yōu)化技術(shù),其實ANSYS在經(jīng)典版本的時候就已經(jīng)有優(yōu)化技術(shù),但那時候的計算能力對多目標(biāo)優(yōu)化的性能還存在較大局限,所以發(fā)展并不是很快。近幾年隨著3D打印技術(shù)的發(fā)展,拓補(bǔ)優(yōu)化的應(yīng)用急速升溫。所以ANSYS這幾年在增材制造領(lǐng)域進(jìn)行了大量投資,在拓補(bǔ)優(yōu)化技術(shù)上得到了很大的發(fā)展,現(xiàn)在已經(jīng)能支持多部件的非線形材料、非線性接觸的優(yōu)化計算,并收購了專業(yè)的增材制造模擬軟件3DSim。另一個趨勢就是Discovery Live會集成拓補(bǔ)優(yōu)化技術(shù),即時仿真+自動優(yōu)化,這又將是一個很大的飛躍!在人工智能方面,ANSYS收購了一個光學(xué)仿真軟件公司OPTIS,從視覺角度實現(xiàn)CAE仿真和3D視覺AR的結(jié)合,今后ANSYS還會延伸觸覺、機(jī)器學(xué)習(xí)等計算能力,CAE和人工智能結(jié)合的前景非常廣闊。
參加本次ANSYS大會讓我比較有感觸的有兩點,一是Discovery Live,這款革命性的產(chǎn)品將改變制造業(yè)產(chǎn)品的研發(fā)方式,再次推薦大家關(guān)注。另一個是ANSYS最近收購的光學(xué)設(shè)計軟件OPTIS,在現(xiàn)場體驗了OPTIS的虛擬現(xiàn)實,不妨可以設(shè)想:以前ANSYS的后處理結(jié)果基于PC的圖形顯示,以后或許可以通過AR場景來顯示后處理結(jié)果,實現(xiàn)數(shù)字雙胞胎技術(shù)和AR技術(shù)的整合,想象空間無限!感覺CAE即將進(jìn)入新的時代:實時高速仿真、數(shù)字雙胞胎、AR三維數(shù)值模擬。對ANSYS的發(fā)展更加看好~
感謝朱博士熱心、專業(yè)的解答,由于時間關(guān)系,未能對每個人的問題進(jìn)行詳細(xì)解答,感謝以下技術(shù)鄰會員對本次ANSYS問題征集的支持:
張應(yīng)遷、許沛、易煒、鄒正剛、張慶紅、卞曉兵、范文澤、閆功利
關(guān)注Ansys最新動態(tài),就上技術(shù)鄰
展開 問題:
在有限元仿真中有時需要提取某些結(jié)構(gòu)的扭轉(zhuǎn)角度。Ansys workbench的結(jié)果后處理中可以設(shè)定圓柱坐標(biāo)系,然后按圓柱坐標(biāo)讀取Y軸的變形結(jié)果,再進(jìn)行扭轉(zhuǎn)角度的換算。
本文這里將該過程利用APDL命令進(jìn)行處理,避免一下步驟重復(fù)操作。
? 每次要單獨記錄變形量,
? 還要測量關(guān)鍵節(jié)點到坐標(biāo)系原點的距離,
? 將變形量和距離進(jìn)行角度換算(弧度)
? 弧度角轉(zhuǎn)角度
APDL后處理命令功能介紹:
1. 在坐標(biāo)系中創(chuàng)建所需的圓柱坐標(biāo)系,并在屬性ADPL name中進(jìn)行命名:aix (用戶隨意命名)
2. 在Named selection 定義需要查看的區(qū)域,并命名:load(用戶隨意命名)
3. 在后處理中插入command 命令,并將上述坐標(biāo)系和NS的名稱修改。
4. 在command的結(jié)果屬性中就會有最大/最小/平均扭轉(zhuǎn)角度。并且為了方便校核準(zhǔn)確性還提供了沿圓柱坐標(biāo)系Y軸的變形量。
并且,除了界面顯示的結(jié)果外,還會在WB的結(jié)果文件夾中,顯示named Selection區(qū)域所有節(jié)點的編號/距離選定坐標(biāo)系的距離/沿坐標(biāo)系Y軸的變形量/換算后的角度值等信息,以便進(jìn)行其它數(shù)據(jù)處理。
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形狀記憶合金(SMA)能夠在發(fā)生大變形后不產(chǎn)生殘余應(yīng)變(偽彈性),并且可以通過溫度變化從大變形中恢復(fù)(形狀記憶效應(yīng))。偽彈性和形狀記憶效應(yīng)使其特別適用于航空航天、生物醫(yī)學(xué)和結(jié)構(gòu)工程等領(lǐng)域。本仿真模擬了將形狀記憶合金用作脊柱間隔器的過程。
目標(biāo)
熟悉形狀記憶合金
理解考慮熱效應(yīng)的形狀記憶合金建模流程
建模步驟
1. 在 ANSYS Workbench 中創(chuàng)建靜力結(jié)構(gòu)系統(tǒng)
從智能手機(jī)的熱交互、緊湊外殼內(nèi)的高功率電路板散熱,到極端天氣下的工業(yè)設(shè)備耐候性等復(fù)雜現(xiàn)實場景,通過熱仿真技術(shù),工程師能夠精準(zhǔn)預(yù)測設(shè)計在不同溫度場景下的行為,深刻理解熱能如何影響產(chǎn)品的效率、可靠性與安全性,從而在研發(fā)早期快速調(diào)整設(shè)計方案,實現(xiàn)產(chǎn)品的最佳性能表現(xiàn)。
Ansys應(yīng)用類系列網(wǎng)絡(luò)研討會——熱仿真系列專題已上線,將重點介紹 Ansys 多款求解器矩陣在電子散熱、電熱耦合及復(fù)雜熱管理問題中的實際應(yīng)用
<p><img src="https://img.jishulink.com/202605/imgs/5e1e1e2be4c642fab32c219dc0e0bfde"></p><p><strong>時間:</strong>2026年5月19日(周二),13:30-18:00</p><p><strong>地點:</strong>武漢</p><p><strong>費用:</strong>免費(報名需審核
<p>Ansys 持續(xù)幫助工程師更高效地解決復(fù)雜結(jié)構(gòu)設(shè)計與可靠性挑戰(zhàn),加速產(chǎn)品創(chuàng)新與研發(fā)迭代。在2026 R1 新版本中,結(jié)構(gòu)系列產(chǎn)品在效率、精度與工程可信度方面進(jìn)一步增強(qiáng):Mechanical 帶來更高效的網(wǎng)格變形與 GPU 感知資源預(yù)測能力,LS-DYNA 強(qiáng)化電池?zé)岱抡媾c多物理場分析,Motion 提升系統(tǒng)級動力學(xué)性能,而 Sherlock、Forming 等工具也在電子可靠性與成形分析領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全面升級
概述
液壓千斤頂利用液壓動力,以遠(yuǎn)高于輸入力的力來舉升重物。本仿真使用流體靜壓單元對液壓千斤頂進(jìn)行建模,并闡述體積模量的概念。實際應(yīng)用中,液壓千斤頂通常使用油作為液體,油的高體積模量使得加載過程中液體體積幾乎保持不變。
目標(biāo)
理解體積模量的影響
熟悉流體靜壓單元的使用
步驟
1. 打開 Ansys Workbench,創(chuàng)建一個"靜力結(jié)構(gòu)"分析。檢查單位設(shè)置。
5月19日16:00,Ansys官方『揭秘電弧仿真:Ansys最新技術(shù)與應(yīng)用案例』研討會將基于Fluent、Maxwell講解電弧仿真多物理場聯(lián)合分析,建立從原理方法到工程案例的完整實踐流程。感興趣的下滑預(yù)約學(xué)習(xí)??
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隨著電力設(shè)備向高容量、高可靠性發(fā)展,電弧仿真已成為設(shè)計與驗證階段的關(guān)鍵技術(shù)之一。本次線上研討會將聚焦
概述
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樹脂轉(zhuǎn)注成型(Resin Transfer Molding,RTM)是一種先進(jìn)的復(fù)合材料成型制程,通常透過將纖維布含浸樹脂來生產(chǎn)高性能復(fù)合材料零件。RTM能夠生產(chǎn)具備高質(zhì)量、復(fù)雜幾何形狀,以及尺寸精度、機(jī)械性能良好且一致的零部件。
Moldex3D RTM可以讓使用者在Studio上依照現(xiàn)場纖維布之鋪排來進(jìn)行立體網(wǎng)格設(shè)計,也能從外部前處理軟件如Rhino、Hypermesh等輸入。Studio
今日16:00,Ansys官方『Ansys高校系列專題:方程式賽車的智能化仿真設(shè)計』研討會研討會將基于Mechanical、Fluent、Discovery講解賽車結(jié)構(gòu)與熱流體核心仿真,建立從概念驗證到詳細(xì)分析的完整研發(fā)流程。感興趣的下滑預(yù)約學(xué)習(xí)??
時間:5月13日(星期三),16:00-17:00
內(nèi)容簡介:
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從 PCB 到 Sign-off,端到端全自動 DDR 驗證平臺。以流程自動化為核心,大幅加速仿真設(shè)置、規(guī)避常見錯誤、高效調(diào)度仿真任務(wù),并輸出全面且高價值的仿真結(jié)果。
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