ansys中2d和3d的案例
Ansys RaptorH憑2.5D/3D集成電路和系統領域抗電磁效應獲三星Foundry認證
Ansys與三星的深入合作將加速AI、高性能計算和5G半導體設計的2.5D/3D IC驗證
Ansys? RaptorH?電磁（EM）仿真解決方案已通過三星Foundry的認證，該解決方案用于研發高級片上系統（SoC）和2.5維/三維集成電路（2.5D/3D-IC）。此次認證使得Ansys能夠幫助三星設計人員及三星Foundry客戶在采用三星新的簽核流程時更準確地分析并降低電磁效應帶來的風險，從而大幅加速先進人工智能（AI）、高性能計算（HPC）以及5G半導體設計的發展。
三星的一系列高級納米硅和2.5D/3D-IC技術需要一種驗證電磁干擾的簽核方法，避免其影響到復雜的多芯片裝配體，而傳統工具在設計上難以滿足這一要求。工程師需要高容量電磁分析工具來準確建模超大型SoC和2.5D/3D裝配體的信號完整性，這些裝配體能以極高的數據速率處理信號。2.5D/3D-IC中信號之間難以量化的相互作用是關鍵故障點，限制了新技術的推廣。
將Ansys? HFSS?的高保真度高頻電磁求解器與Ansys? RaptorX?的高速魯棒性架構結合之后，RaptorH高度集成的分析解決方案有助于三星設計師對電磁現象建模，提高其2.5D/3D芯片裝配體中的頻率，同時確保寄生效應不會影響系統。這將推動這些新型封裝技術更快地進入主流生產，并大幅降低風險。
展開 3D目標檢測綜述：從數據集到2D和3D方法
主要內容包括目標檢測任務常用的數據格式，目標檢測與2D目標檢測相關的技術以及概括性的討論3D目
標檢測這一主題。
目標檢測一直是計算機視覺領域中一大難題。
近日，來自阿爾伯塔大學的研究者對目標檢測領域的近期發展進行了綜述，涵蓋常見數據格式和數據集、2D 目標檢測方法和 3D 目標檢測方法。
論文地址：
https://arxiv.org/abs/2010.15614
目標檢測任務的目標是找到圖像中的所有感興趣區域，并確定這些區域的位置和類別。由于目標具有許多不同的外觀、形狀和姿態，再加上光線、遮擋和成像過程中其它因素的干擾，目標檢測一直以來都是計算機視覺領域中一大挑戰性難題。
本文將概述性地總結一些當前最佳的目標檢測相關研究。第 2 節將簡要介紹目標檢測任務常用的數據格式，同時還會給出一些著名的數據集。
然后會概述一些預處理方法。第 3 節會介紹與 2D 目標檢測相關的技術，包括傳統方法和深度學習方法。最后第 4 節會概括性地討論 3D 目標檢測這一主題。
2 數據格式
2.1 數據集
在計算機圖形學中，深度圖（Depth Map）是包含場景中目標表面與視點之間距離信息的圖像或圖像通道。深度圖類似于灰度圖像，只不過深度圖中每個像素都是傳感器與目標之間的實際距離。
展開 自己翻譯的英文ansys教程資料（1D，2D，3D有限元分析）
ANSYS 1D,2D,3D FEA geometry.rar
ANSYS Tute 1D, 2D, 3D FEA File翻譯.pdf
ANSYS Tute 1D, 2D, 3D FEA File原版.pdf
deform2d和3d使用手冊
辛苦找到的資料，和大家分享。
deform2DHT手冊_上.pdf
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deform2d學習心得.doc
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圓錐藥型罩采用2D、3D單層和3D三種方法侵徹結果對比 ￥9.99
圓錐藥型罩采用2D、3D單層和3D三種方法侵徹結果對比
關鍵字：LS-DYNA;聚能裝藥;破甲彈;侵徹;流固耦合
本次模擬旨在研究采用3種數值模擬方法（2D、3D單層和3D）對圓錐藥型罩所形成聚能射流對45#鋼靶的侵徹結果對比，軟件采用LS-DYNA，對比內容包括侵徹形態、射流速度變化、侵徹孔徑和侵徹深度，三種方法均使用ALE算法，流固耦合均采用罰函數法（CTYPE=5），并采用完全相同的材料參數。
1、模型簡介
計算模型及尺寸如圖1所示（省略空氣），其中殼體和靶板采用拉格朗日算法，殼體和靶板均采用45#鋼，并在材料模型種定義失效參數，炸藥、藥型罩和空氣則采用ALE算法，流體和固體之間通過*CONSTRAINED_LAGRANGE_IN_SOLID關鍵字進行耦合。
圖1 計算模型
2、侵徹孔道
三種方法的侵徹動畫如圖2所示，對比侵徹動畫發現三種方法所形成的侵徹孔道均有一定差異，采用全模型計算結束后鋼靶的米塞斯應力云圖見圖3。
2D
3D單層
3D
圖2 三種計算方法的侵徹動畫
圖3侵徹過程中鋼靶的應力云圖
3、射流速度
聚能射流part的速度變化曲線如圖4，可以看出2D和3D兩種方法速度曲線基本一致，然而采用3D單層所形成的射流速度較2D和3D更大。
圖4 聚能射流速度變化曲線
4、鋼靶穿深和孔徑
三種模擬方法的侵徹穿深和孔徑列于下表，可以看出采用2D和3D兩種方法模擬的結果較為相近，而3D單層差異較大。
展開 2D和3D技術打印的飲料
如果您認為酒吧和咖啡店是3D打印機不會觸及的地方，那么您就錯了。技術繼續快速發展，很明顯，3D打印正在貫穿于每個可能的行業。盡管3D打印飲料還不常見，但將其3D打印觸感添加到飲料中已經開始發展。我們已經看到3D和2D打印機在飲料中的應用正在擴展。并在這里舉例說明。
圖片來源：Smart Cups
Smart Cups是一家飲料制造公司，在杯子上打印調味料。智能杯是關于化學的。它的技術可以讓您在杯子中加入水便可獲得調味飲料。
圖片來源: Smart Cups
Smart Cups由Chris Kanik創立，總部位于加利福尼亞州Mission Viejo，所有產品均在美國制造。他們的目標是改變整個飲料行業，重塑客戶購買飲料時所獲得的產品。 他們手邊唯一需要的液體就是水。
Smart Cups使用環保生物塑料。使用杯子代替罐子或瓶子來減少運輸液體所增加的能源成本所產生的碳足跡。杯子可以讓你輕松地在飲料中添加任何液體，這使它成為一種新型飲料。
還有其他一些飲料已被打印機“增強”了。讓我們以Ripples為例，這家公司為食品飲料公司提供了一種在泡沫瓶裝飲料上面打印的方法。他們的目標是用飲料講故事，推銷產品。
圖片來源: Triple Bar Coffee?
Ripples使用Ripple Maker，這是一種支持Wi-Fi的臺面設備，可以一次打印在一種飲料上。有兩個Ripple Maker設備：用于咖啡的Ripple Maker AM和用于啤酒的Ripple Maker PM。每種飲料需要10秒鐘才能打印出來。它可以打印任何關于泡沫飲料頂部的任何東西，從品牌標識，到漂亮的線條藝術，甚至一些基本的自拍。這些飲料完全是用戶友好的：任何人都可以上傳他們的設計，從Ripples的內容目錄中選擇，或從Ripples應用程序中選擇提交的設計。
展開 Dic3d和2d數據協助
Dic 2d和3d數據處理協助 VIC-3D 8 DIC和Vic-2D 8數字圖像相關 光學非接觸式應變測量系 統 圖像處理 數據分析 VIC-3D所用的DIC（Digital Image Correlation）數字圖像相關技術，是一種通過圖像相關點進行對比的算法，計算出表面位移及應變分布的測量技術（圖形中用紅色標出）。整個測量過程，只需以兩臺圖像采集器，拍攝變形前及變形后的待測物圖像，經運算后3D全場應變數據分布即可一目了然。DIC不像應變片需花費大量時間做表面的磨平及黏貼，測量到的也只是一個點一個方向的數據。也不像條紋干涉法對環境要求嚴格。 DIC（Digital Image Correlation）技術在室內室外普通環境均可使用，應變測量范圍從0.005% (50個微應變)到2000%，測量對象可以從0.8mm到幾十米，只要能取得圖像，應變測量就可進行。 歡迎咨詢，聯系qq1027985320
展開 圓錐藥型罩采用2D、3D單層和3D三種方法侵徹結果對比(基于LS-DYNA軟件平臺)
本次模擬旨在研究采用3種數值模擬方法（2D、3D單層和3D）對圓錐藥型罩所形成聚能射流對45#鋼靶的侵徹結果對比，軟件采用LS-DYNA，對比內容包括侵徹形態、射流速度變化、侵徹孔徑和侵徹深度，三種方法均使用ALE算法，流固耦合均采用罰函數法（CTYPE=5），并采用完全相同的材料參數。
1、模型簡介
計算模型及尺寸如圖1所示（省略空氣），其中殼體和靶板采用拉格朗日算法，殼體和靶板均采用45#鋼，并在材料模型種定義失效參數，炸藥、藥型罩和空氣則采用ALE算法，流體和固體之間通過*CONSTRAINED_LAGRANGE_IN_SOLID關鍵字進行耦合。
圖1 計算模型
2、侵徹孔道
三種方法的侵徹動畫如圖2所示，對比侵徹動畫發現三種方法所形成的侵徹孔道均有一定差異，采用全模型計算結束后鋼靶的米塞斯應力云圖見圖3。
圖2 三種計算方法的侵徹動畫
圖3侵徹過程中鋼靶的應力云圖
3、射流速度
聚能射流part的速度變化曲線如圖4，可以看出2D和3D兩種方法速度曲線基本一致，然而采用3D單層所形成的射流速度較2D和3D更大。
圖4 聚能射流速度變化曲線
4、鋼靶穿深和孔徑
三種模擬方法的侵徹穿深和孔徑列于下表，可以看出采用2D和3D兩種方法模擬的結果較為相近，而3D單層差異較大。
2D
3D單層
3D
穿深/mm
70.3
50.8
70.1
孔徑/mm
54.1
70.4
54.6
5、總結
通過比較2D、3D單層和3D三種數值模擬方法，認為采用2D簡化方式能夠較為真實地反映圓錐藥型罩的成型及對鋼靶的侵徹情況。
最后,歡迎通過公眾號聯系我們.
公zhong號:
320科技工作室
展開 新思科技與臺積電合作實現2D和3D設計解決方案
Ansys optiSLang軟件和Ansys Zemax OpticStudio軟件通過AI輔助優化和靈敏度分析來縮短客戶的設計周期并提高設計質量，從而改變了TSMC-COUPE?架構中的光耦合系統設計。這些工具使工程師能夠集成自定義組件，例如通過Ansys Lumerical FDTD利用光子逆向設計優化的光柵耦合器。
先進工藝技術認證
Ansys RedHawk-SC和Ansys Totem是面向數字/模擬電源完整性的基礎解決方案，可驗證產品是否能夠可靠運行并滿足性能目標。這些解決方案有助于驗證采用臺積電N3C、N3P、N2P和A16?工藝技術制造的芯片的電源完整性。同樣，面向芯片電磁建模的Ansys HFSS-IC Pro解決方案也通過了臺積電N5和N3P工藝的認證。此外，新思科技還與臺積電合作，為臺積電A14工藝開發設計流程，并計劃于2025年下半年發布其首款光子學設計套件。
Ansys PathFinder-SC?是一款最新認證的N2P工藝靜電放電電流密度（ESD CD）/點對點（P2P）電阻檢查工具，可對芯片對電氣過應力浪涌（沖擊）的抗擾能力進行驗證，為工程團隊樹立信心。該解決方案的獨特優勢在于，其具備在設計早期快速驗證超大規模芯片的能力，從而加速設計流程并提高產品耐久性。并且，Ansys PathFinder-SC已具備支持復雜的3D集成電路（3DIC）和多芯片系統的能力。新思科技正在與臺積電合作擴展大規模3DIC設計分析的工具功能。
雙方協作實現面向臺積電先進節點技術的工作流程，加速AI、高速數據通信和先進計算發展
Ansys HFSS-IC Pro已通過臺積電認證，可對其先進的5nm和3nm工藝技術進行芯片級分析。
展開 CFD-3D結構中的內部2D幾何邊界案例
CFD-3D結構中的內部2D幾何邊界案例
在一些3D模型中，可能會存在一些薄壁結構，在計算時可以將其簡化為2D幾何，如計算室內環境時的墻壁，往往就可以將其當作二維的平面來對待。對于此類模型，在利用ICEM CFD進行Block網格劃分過程中，需要進行特殊處理，否則這些2D面不會生成網格。本案例以一個簡單的幾何演示此類幾何的網格生成方式。
幾何模型如圖1所示，該模型為一矩形流道中存在阻擋的壁面。
圖1 幾何模型
1.
創建各種Part
目前只需要創建兩個Part：入口、出口及障礙壁面。
展開 【Ansys線上直播回看】Ansys 2.5D/3D IC封裝仿真分析案例分享
『點擊觀看直播回放』
2.5D/3D IC相比較傳統IC具有更高的功能密度。通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術的組合，實現很高的功能密度，具有明顯的系統優勢，由于2.5D/3D IC設計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應，5月26日下午4點，【Ansys 2.5D/3D IC封裝仿真分析案例分享】網絡研討會即將開播，本次網絡研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設計的全新解決方案。
此次網絡直播吸引了眾多觀眾在線觀看，在會后我們也陸續收到在線觀眾以及其他用戶前來詢問，在此附上本場網絡直播錄播內容，供大家回看學習。
▼▼▼2020 Ansys網絡研討會有獎反饋 - 可免費獲取本場錄播和講解資料，參與者均可獲得千元培訓券及技術鄰金幣獎勵！
關于Simulation World
Simulation World是一場面向全球觀眾且為免費的在線虛擬盛會，將于2020年6月10日-11日舉行，屆時，來自Ansys，客戶和合作伙伴多名演講者將在此發表主題演講。內容涵蓋自動駕駛、電氣化、工業物聯網以及后疫情時代的數字化轉型等前沿趨勢探討，Ansys合作伙伴也將在其冠名的虛擬展廳中展示相關解決方案。立即掃碼報名！
『或點擊此處進入報名通道』
展開 
教程 - 機械 APDL 中的 2D 桁架分析 （ANSYS） 第 2 部分
預處理：定義問題;
- 定義關鍵點/線/區域/體積
- 定義元素類型和材料/幾何屬性
- 根據需要
劃分線/區域/體積 2.解決方案：分配載荷、約束和求解;
3. 后處理：
- 節點位移列表
- 單元力和彎矩
- 撓度圖
- 應力等值線圖
在本教程中，我們將進行第二步和第三步。
1. 步驟1：
這是教程的第二部分，我們在其中解決問題。在 Solution >> Analaysis 下，鍵入 New analysis>>。選擇 static 并單擊 OK。
2. 步驟2：
在定義載荷下>>>> Structural >> 位移 >> On 關鍵點上應用。現在，我們將定義固定的關鍵點或支撐。
3. 步驟3：
選擇兩個下角關鍵點，然后單擊 OK。
4. 步驟4：
選擇 All DOF 并單擊 OK。
5. 步驟5：
轉到定義載荷 >> 在關鍵點上應用>> 結構>>力矩/力矩 >> 。
6. 步驟6：
選擇上部關鍵點，然后單擊 OK。
7. 步驟7：
力的方向為 FY 且輸入 Force 值 = -10000，因為力將向下作用。
8. 步驟8：
現在我們已經準備好了模型進行求解。在 Solve 下>> Current Load 步驟。
9. 步驟9：
單擊 OK（確定）。
10. 步驟10：
一條消息 Solution is done！將顯示流程何時完成。單擊 Close。
11. 步驟11：
現在是這個過程的第三部分。要進行后處理。轉到 General PostProc >> 列出結果 >> reaction solu。
12.
展開 #二維（2d）和三維（3d）voronoi（泰森多邊形）（映射網格）生成插件 ￥499
</em></p><p><em> （3）求得每一個單元體的形心坐標后，接下來就是依次求取每一個單元的形心坐標與每個晶核的距離，最終把每一個單元歸屬于其形心坐標距離最近晶核所處的晶粒中。</em></p><p><em> （4）把上述所得的每一個晶粒的編號和該晶粒包含的全部單元編號，最后用多級列表的方式存放于txt文本里，為后面修改INP文件做好準備工作。</em></p><p><em> 經過上面MATLAB部分的編程，僅僅只是得到了關于三維Voronoi圖的全部拓撲結構信息。為此必須得在ABAQUS生成的INP文件里的part部分編寫與晶粒數相同多的set集合，每一個set集合就作為一個晶粒。接著，在txt文本里找到該晶粒包含的所有單元編號寫入與之對應的set集合中完成整個建模。在INP文件里實現三維建模的具體步驟如下：</em></p><p><em> （1）于ABAQUS/CAE模塊中創建單個3D/Deformable/Shell實體，選擇默認裝配，劃分網格類型為C3D8R的網格單元，接著在Job模塊中點擊Write Input命令生成相應的INP文件。</em></p><p><em> （2）把之前所得的每一個晶粒的編號和該晶粒包含的全部單元編號作為一個set集合，最終把每一個set集合以多級列表的方式寫入已建立好的INP文件里對應的part部分。在ABAQUS里重新打開修改之后的模型(INP文件格式類型)，并且在Color Code Dialog中選擇Color code by：Sets。
展開 hypermesh中如何刪除2D網格，當3D網格建成以后？
答：如下圖，如何刪除這個2D的面網格呢
方法一：
tool>delete>鼠標點最左邊的下三角，選擇elems>點擊elems>選by config>config=quad4>displayed>
select entities>delete entity>return
如下圖所示。
方法二：
tool>delete>鼠標點最左邊的下三角，選擇elems>點擊elems>on plane>用鼠標左鍵在2D平面上選擇不在一條線的三個點>select entities>delete entity>return
好像第二種方法更簡單一些。
展開 干貨 | 2.5D和3D集成有何不同？看完這篇你就懂了
物理結構：所有芯片和無源器件均位于XY平面上方，芯片堆疊在一起，在XY平面的上方有穿過芯片的TSV，在XY平面的下方有基板的布線和過孔。電氣連接：通過TSV和RDL將芯片直接電氣連接。
3D集成大多數應用在同類芯片堆疊中，多個相同的芯片垂直堆疊在一起，通過穿過芯片堆疊的TSV互連，如下圖所示。同類芯片集成大多應用在存儲器集成中，例如DRAM Stack，FLASH Stack等。
同類芯片的3D集成示意圖
不同類芯片的3D集成中，一般是將兩種不同的芯片垂直堆疊，并通過TSV電氣連接在一起，并和下方的基板互連，有時候需要在芯片表面制作RDL來連接上下層的TSV。
不同類芯片的3D集成示意圖
現在，EDA工具對3D集成有了很好的支持，下圖所示為Mentor (Siemens EDA) 中實現的3D集成設計。
Siemens EDA中實現的3D集成設計
4D 集成
前面介紹了2D，2D+，2.5D，3D集成，4D集成又是如何定義的呢？
在前面介紹的幾種集成中，所有的芯片(Chip)，中介板（interposer）和基板（Substrate），在三維坐標系中，其Z軸均是豎直向上，即所有的基板和芯片都是平行安裝的。在4D集成中，這種情況則發生了改變。
當不同基板所處的XY平面并不平行，即不同基板的Z軸方向有所偏移，我們則可定義此類集成方式為4D集成。物理結構：多塊基板以非平行方式安裝，每塊基板上都安裝有元器件，元器件安裝方式多樣化。電氣連接：基板之間通過柔性電路或者焊接連接，基板上芯片電氣連接多樣化。
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