車規GaN
關注創建者：匿名 創建時間：2021-08-10
車規GaN的實例教程
車規級氮化鎵
再次被資本市場看好。
今天，中國上市公司宣布收購
以色列一氮化鎵
企業，而此前臺灣
聯發科
也入股該企業，該企業還與
采埃孚等汽車企業
已經達成合作。
據《第三代半導體調研白皮書》，在汽車應用方面，氮化鎵具備更低的成本優勢，目前，意法半導體、EPC、Transphorm、GaN Systems、德州儀器和Nexperia等眾多企業已推出車規級氮化鎵（.點這里.），。
8月9日，蘇州晶方半導體科技股份有限公司發布公告稱，其旗下的晶方產業基金與VisIC Technologies簽訂了投資協議，他們擬出資 1000萬美元（約6477萬人民幣）投資VisIC公司，交易完成后將持有VisIC 7.94%的股權。
晶方科技主營業務為傳感器封裝測試，封裝產品主要包括影像傳感器芯片、生物身份識別芯片等，這些產品廣泛應用在手機、安防監控、身份識別、汽車電子、3D 傳感等電子領域。
2020年晶方科技的營收約為11.03億元，同比增長96.93%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約為3.81億元，同比增長252.35%；2021年第一季度營收約為3.288億元，同比增長72.49%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約為1.27億元，同比增長105.4%。
VisIC公司成立于2010年，總部位于以色列Ness Ziona，2020年設立了上海全資子公司微思芯電子技術（上海）有限公司。
研發車規級氮化鎵產品是VisIC備受重視的原因。
早在2018年8月，針對車載充電器（OBC），VisIC就推出一款9kW的GaN的解決方案。
2020年3月，VisIC宣布，成功開發了用于800V電動機逆變器的氮化鎵技術，這一突破可為電動汽車、工業、光伏等應用市場帶來更經濟高效的電動機方案。
展開 近來，發布了車規級的GaN的企業越來越多，
意法半導體、EPC、Transphorm、GaN Systems、德州儀器和Nexperia
等相繼推出了符合AQC標準的產品。
據行業人士估算，2025年新能源汽車將為GaN貢獻近
400億元
營收，甚至未來5年將增長
515多倍
。
據透露，目前
特斯拉、聯合汽車電子、Marelli和法國的BrightLoop
等眾多汽車企業都已經在聯合研發GaN方案。行業人士認為，
GaN將顛覆汽車電子設計，甚至比SiC好10倍。
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未來5年增長515倍
汽車GaN需求近400億元？
根據Yole最新報告，GaN在汽車領域將實現快速發展，2020到2026年的復合增長率達到
185%
。2020年GaN在這一領域的營收的營收僅
30萬美元（約192萬人民幣）
，預計2026年將超過
1.55億美元（約10億人民幣）
，約為2020年的
515倍
（
.點這里看全文.
）。
不過，行業人士普遍反映該數字偏小。據GaN Systems首席執行官Jim Witham估算，目前GaN全球市場的規模約為80億美元（約512億人民幣），到2025年將增長到180億美元（約1252億人民幣），其中60億美元（約384億人民幣）將來自電動汽車。
同時，Witham還表示，電動汽車市場非常誘人，“燃油車中的半導體價值約為200美元/輛，而電動汽車中的半導體價值約為600美元，多出了400美元的巨大全新的市場。”
展開 GaN相關上市公司
三安光電：GaN 射頻、功率器件、深紫外 LED 芯片全布局
海特高新：GaN 器件代工
聞泰科技：車規 GaN 電源供應商
其他廠商：華燦光電、士蘭微
文稿來源：新材料情報NMT
大陸第三代半導體SiC產業鏈分布圖：
資料來源：材料深一度, 方正證券
氮化鎵（GaN）
GaN作為一種寬禁帶材料，和硅等傳統半導體材料相比，能夠在更高壓、更高頻、更高溫度的環境下運行。與SiC相比，GaN在成本方面表現出更強的潛力，且GaN器件是個平面器件，比現有的Si半導體工藝兼容性強，這使其更容易與其他半導體器件集成。
GaN主要用于LED、微波射頻和功率器件等領域，目前GaN主要被用于5G有源天線系統（AAS）和手機功率放大器（PA）等新產品中。
由于其優異的高頻性能，GaN未來在射頻領域具備良好的發展空間，5G通訊、消費電子快充和車規級充電成為GaN產品規模擴張的主要動力。
預計到2024年，全球GaN市場規模將達到20億美元，復合增長率為21%。
從氮化鎵產業鏈公司來看，國外公司在技術實力以及產能上保持較大的領先。
行業龍頭企業以IDM模式為主，其中Qorvo擁有自身的晶圓代工廠以及封測廠，在國防以及5G射頻芯片領域具備較大優勢。
國內廠商包括蘇州能華、華功半導體以及英諾賽科等，其中英諾賽科建成中國首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片大規模量產生產線。
氮化鎵襯底市場主要由日本住友電工、三菱化學也以及新越化學主導，其市場份額占到90%以上，可以成熟提供4英寸以及6英寸氮化鎵襯底。
國內廠商包括蘇州納維以及東莞中鎵，目前已經實現2英寸氮化鎵襯底產品量產，對于4英寸氮化鎵仍處于研發及試生產階段，與國際領先廠商技術還存在一定差距。
我國的“中國制造2025”計劃中明確提出要大力發展第三代半導體產業。
中國建立第三代半導體材料及應用聯合創新基地，搶占第三代半導體戰略新高地；國家科技部、工信部、北京市科委牽頭成立第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA），對推動我國第三代半導體材料及器件研發和相關產業發展具有重要意義。
展開 第三代寬禁帶半導體材料(SiC、GaN 等)，因其禁帶寬度(Eg)大于或等于2.3 電子伏特(eV)而得名。第三代半導體材料具有優越的性能和能帶結構，廣泛用于射頻器件、光電器件、功率器件等制造，具有很大的發展潛力。
GaN材料的加入使手機充電器快充效率進一步提升。GaN 材料的運行速度比舊式慢速硅加快了20 倍，并且能實現高出三倍的功率。GaN 充電器具備小巧、高效、發熱低等優勢。
在新能源汽車上，傳統功率器件通常采用IGBT技術方案，但近年來隨著材料科技的發展，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術正成為技術熱點。目前，SiC已實現了車規級應用，GaN尚處于研發階段。SiC是600V以上高壓應用系統的最佳解決方案，GaN是600V以下的應用系統的理想選擇。
氮化鎵技術最早于1970 年被美國無線電公司用來制造LED，而后基于GaN 的LED 成為了LED 的主流。
除了LED，GaN 也逐漸被使用到了功率半導體和射頻器件上。氮化鎵器件主要包括射頻器件和電力電子器件，射頻器件產品包括功率放大器和開關器等，主要面向基站衛星、軍用雷達等市場；電力電子器件產品包括場效應晶體管等產品，主要應用于無線充電、電源開關和逆變器等市場。
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由于其優異的高頻性能，GaN未來在射頻領域具備良好的發展空間，5G通訊、消費電子快充和車規級充電成為GaN產品規模擴張的主要動力。
預計到2024年，全球GaN市場規模將達到20億美元，復合增長率為21%。
從氮化鎵產業鏈公司來看，國外公司在技術實力以及產能上保持較大的領先。
三安光電：GaN 射頻、功率器件、深紫外 LED 芯片全布局
海特高新：GaN 器件代工
聞泰科技：車規
車規級氮化鎵
再次被資本市場看好。
今天，中國上市公司宣布收購
以色列一氮化鎵
企業，而此前臺灣
聯發科
也入股該企業，該企業還與
采埃孚等汽車企業
已經達成合作。
據《第三代半導體調研白皮書》，在汽車應用方面，氮化鎵具備更低的成本優勢，目前，意法半導體、EPC、Transphorm、GaN Systems、德州儀器和Nexperia等眾多企業已推出車規級氮化鎵
展望未來，5G通訊、消費電子快充和車規級充電成為GaN產品規模擴張的主要動力。
在5G和更高頻率應用中，GaN的效率比LDMOS/硅器件要高10%-15%，預計在5G基站PA中份額將持續提升；手機快充逐漸普及，消費級快充將成為推動GaN功率器件滲透的重要因素。
近來，發布了車規級的GaN的企業越來越多，
意法半導體、EPC、Transphorm、GaN Systems、德州儀器和Nexperia
等相繼推出了符合AQC標準的產品。
據行業人士估算，2025年新能源汽車將為GaN貢獻近
400億元
營收，甚至未來5年將增長
515多倍
。
目前，SiC已實現了車規級應用，GaN尚處于研發階段。SiC是600V以上高壓應用系統的最佳解決方案，GaN是600V以下的應用系統的理想選擇。
氮化鎵技術最早于1970 年被美國無線電公司用來制造LED，而后基于GaN 的LED 成為了LED 的主流。
除了LED，GaN 也逐漸被使用到了功率半導體和射頻器件上。
