GaN晶圓廠的案例
中資收購英國SiC/GaN晶圓廠
今年6月，英國政府外交事務特別委員會主席Tom Tugendhat致函英國商務部長 Kwasi Kwarteng，要求根據《國家安全和投資法》對任何交易進行審查，宣稱，“英國領先的200mm晶圓廠被中國企業接管，意味著重大的經濟和國家安全問題”。
但據外媒報道，英國迄今拒絕采取行動。NWF運營總監保羅詹姆斯在一份聲明中表示，此次收購對NWF員工和該地區來說是個好消息，因為安世半導體為NWF提供了急需的投資和穩定性。
開發8英寸GaN、SiC
發力汽車功率市場
根據NWF官網資料，該晶圓廠月產能為3.2片8英寸晶圓，最大月產能為4.4萬片8英寸晶圓，主要生產汽車級MOSFET、IGBT芯片。安世表示，這項收購顯著提升了安世車規級產品供應能力，并擴大了市場份額。
此外，NWF還具備SiC和GaN開發能力，而這正是安世半導體所急需的。6月17日，安世半導體宣布，將投資45億人民幣擴大制造能力，而且將在英國8英寸生產線生產硅基氮化鎵器件。
據“三代半風向”了解，NWF曾參與了多個第三代半導體項目。
2020年3月4日，英國政府為斯旺西大學和NWF提供了480萬英鎊（4294萬人民幣）的資金，用于制造SiC襯底生產設備，以生產SiC MOSFET。
2021年2月9日，UKRI為NWF提供了資助，以開發8英寸650V硅基氮化鎵HEMT工藝，NWF計劃將每周8000片晶圓的產能擴大到1.4萬片。
2021年4月19日，英國研究與創新機構（UKRI）為SOCRATES聯盟資助了13.74萬英鎊（約123.6萬人民幣），以完善大功率SiC和GaN溝槽器件的供應鏈，而NWF就是SOCRATES聯盟成員。
展開 又一GaN工廠被收購！誰出手？
前段時間，英國一家GaN晶圓廠被中國企業收購（.點這里.），昨天，日本一家GaN晶圓廠也被收購。
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收購富士通晶圓廠
股權反而下降一半？
8月2日晚上，
Transphorm
宣布完成了一項交易——成功收購了
AFSW
晶圓廠100%權益。
Transphorm是一家GaN制造商，成立于2007年。而AFSW晶圓廠是Transphorm與富士通在2013年合資建設的子公司，主要生產高壓GaN功率半導體晶圓。
據公告，這筆交易是透過GaNovation公司完成的，GaNovation是Transphorm與JCP Capital最近成立的合資公司。
交易完成后，富士通半導體從AFSW晶圓廠退出，此前它持有AFSW晶圓廠51%股權。
有趣的是，Transphorm持有的AFSW股權也從之前的49%，降為25%，而這部分股權還是因為Transphorm持有GaNovation25%所有權。
也就是說，這次交易是JCP Capital出錢，GaNovation從富士通和Transphorm手里收購了AFSW晶圓廠的所有股權。
Transphorm聯合創始人兼總裁Primit Parikh表示，這將使Transphorm對AFSW的直接資本支出減少約50%，從而提高 P&L效率，“繼續我們的輕資產垂直整合模式”。
展開 又一GaN項目封頂，總投資12.25億元！
中資收購英國SiC/GaN晶圓廠
氮化鎵又有收購案！5家上市公司都看上它？
前天，日本GaN晶圓廠被收購（.點這里.），昨天，國內也有收購案——深圳上市公司宣布收購GaN企業股權。
據“三代半風向”不完全統計，今年以來還有4家上市公司也“看上”了氮化鎵：
地產公司間接收購意發功率
8月3日，上市公司
皇庭國際
公告了一起股權收購案，涉及一家氮化鎵企業
，該公司已生產2款
600V GaN HEMT
。
簡單來說，皇庭國際的子公司通過出資
4600萬
元，獲得了
德興意發
基金
20%
股權，而該基金持有德興意發功率
66.6667%
的股權。
據介紹，皇庭國際創建于1983年，主要業務為購物中心、商辦寫字樓、酒店管理、公寓等不動產運營管理。2020年該公司營業收入為
6.86
億
元，同比下降
31.24%
；利潤約為
-2.92億
元，同比下降
684.99%
。
據了解，德興意發功率于2018年落戶江西省，擬投資
5億
元建設江西首條
6英寸
半導體芯片生產線，生產
6英寸的溝槽
和
平面型IGBT、智能功率MOSFET
及碳化硅器件產品。
2019年4月，德興意發基金完成了項目
首期
出資。2020年12月20日該項目正式批量生產。
根據公告，2020年德興意發功率的營收約為
3572
萬元，凈利潤約虧損
1200
萬元。而今年截至4月30日的營收約為
1725
萬元，凈利潤約虧損
2329
萬元。
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這個GaN技術牛！8英寸、2DEG提升20%
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GaN快充達到甜蜜點，中低壓市場迎來更多殺手級應用
其次是國內GaN器件的外延技術仍待提升
。目前大多數GaN功率器件均采用硅襯底，而硅基GaN外延片制備技術仍然存在應力調控、晶格失配等問題，在原材料配方設計、制造工藝技術、配套設備工藝設計、自主研發能力、資本實力、產業鏈資源等各方面的能力儲備缺一不可。
其中，GaN的外延生長方面面臨的挑戰更為突出，缺陷密度、晶圓內均勻性和技術產業化都是業內探索的重點
。尤其是隨著GaN器件制造逐漸從6英寸向8英寸晶圓過渡，鑒于GaN和硅在膨脹過程中不同的晶格常數和熱系數，在硅上生長外延GaN以形成穩定可靠的HEMT，這從超晶格結構和應力控制方面來說是一個非常具有挑戰性的工藝。
成本也是GaN遲遲不能進入主流應用的阻礙之一
。多年來隨著技術和產業的不斷發展，人們逐步認識到GaN的性能優勢，包括更高的功率密度和功率效率，但許多電源系統制造商（尤其是對價格敏感的消費類電源制造商）還是選擇等待GaN功率器件價格逐步接近硅器件時才開始應用。對此，GaN也如同傳統半導體材料、器件的發展規律一樣，大規模量產可幫助有效降低成本。比如，一個月產能4K片的晶圓廠和一個月產能40K片的晶圓廠，其晶圓的成本可能會相差好幾倍。
展開 英特爾GaN這么強？12英寸晶圓、3D器件面世
首先，英特爾將GaN與12英寸晶圓廠中最先進的高κ介電金屬柵極技術相結合，實現了增強模式操作和柵極堆疊微縮。
其次，英特爾運用了層轉移的方法，以單片式將12英寸的硅基PMOS晶體管堆疊在12英寸的GaN NMOS晶體管之上。
最終，該器件可以同時實現低漏極泄漏和出色的導通電阻——在5V漏極電壓下，IOFF低至100pA/μm，比肖特基柵極GaN HEMT低4個數量級以上，而導通電阻僅有610Ω-μm。
另外，它還具備出色的RF性能。在1-30GHz的頻率范圍內，Intel的高κ值增強模式GaN NMOS晶體管的性能明顯優于GaAs和Si/SOI。
在3.5V到低至1V的電源電壓范圍內，該器件呈現出高功率附加效率，因此具備延長電池壽命和實現高效包絡線跟蹤RF功放的潛力。
與此同時，這種增強模式GaN晶體管技術還有另一個優點——那就是簡化了電路架構。由于處于常閉狀態，因此它不需要負電源，可以直接用電池供電驅動，從而節省了微芯片上寶貴的占位面積。
專利全球領先
超前投資氮化鎵充電
其實，英特爾研發該器件并不是“心血來潮”，它在氮化鎵領域有著很深的布局。
據Yole旗下KnowMade報告，英特爾、富士通和Macom在射頻硅基氮化鎵專利領域處于領先地位。
英特爾射頻氮化鎵專利全球前六
英特爾在全球都有專利布局，其中在美國和中國臺灣分別有17項和20項專利正在申請中。而英特爾專利組合主要涉及用于SoC的III-N晶體管、RF開關、超短溝道長度、場板和III-N/ 硅單片集成電路。
此外，英特爾很早就看好氮化鎵在功率器件中的應用。
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