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推薦一款來自臺灣美祿的GaN/氮化鎵 - MGZ31N65，該芯片常溫常壓下是纖鋅礦結構。是現今半導體照明中藍光發光二極管的核心材料。工業上采用MOCVD和HVPE設備來外延生長。GaN半導體材料有二種基本結構:纖鋅礦(Wurtzite, WZ)和閃鋅礦(Zinc blende, ZB)。常溫常壓下惟有纖鋅礦結構為穩定相。

據豐田合成的最新文獻，他們是通過鈉助溶劑液相法，先在藍寶石襯底上生長籽晶，然后再經過HVPE法生長高質量的氮化鎵單晶，研發時間僅半年。

該公司的氮化鎵襯底單晶生長技術側重HVPE法，重點解決襯底缺陷、尺寸等難題。此外，住友在氮化鎵FET器件上，側重外延工藝和芯片工藝突破。 美國Cree依靠其技術儲備支撐氮化鎵功率器件的市場化。2019年，Cree逐步剝離LED業務，專注于碳化硅電力電子器件和用于GaN射頻器件，并于2021年正式更名為Wolfspeed（原Cree旗下的功率&射頻部門）。

在GaN襯底及外延方面：中國形成了具有自主知識產權的氫化物氣相外延（HVPE）技術，實現了2英寸自支撐GaN襯底量產和4英寸小批量出貨，實現6英寸GaN單晶襯底研發，晶體質量達到了國際先進水平。在GaN外延方面，根據襯底的不同主要分為GaN-on-sapphire、GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-GaN 四種。