納米壓印光刻技術(shù)（NIL）的案例
DNP/鎧俠/佳能聯(lián)手開發(fā)納米壓印光刻技術(shù)！耗電量僅為EUV工藝1/10
CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，大日本印刷與鎧俠控股（KIOXIA原東芝存儲器控股）和佳能合作，共同研發(fā)了「納米壓印光刻技術(shù)（NIL）」用于半導(dǎo)體制造，與使用極紫外光刻（EUV）相比，功耗僅為十分之一。盡管NIL在實現(xiàn)量產(chǎn)之前還存在諸多課題，但它已經(jīng)能夠形成最先進的電路線寬度。在產(chǎn)業(yè)界去碳化發(fā)展趨勢不斷增強的背景下，三家公司的方針旨在通過減少電力消耗而實現(xiàn)與其它公司差異化的同時，努力促進該技術(shù)邁向?qū)嵱没? NIL技術(shù)通過將芯片壓印在晶圓上而形成精細的電路圖案。據(jù)大日本印刷稱，在技術(shù)研發(fā)中NIL已經(jīng)可以處理高達5nm的電路線寬。雖然在實際大規(guī)模生產(chǎn)之前還有如電路缺陷等許多問題需要解決，但三家公司的最終目標是確立大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)。
NIL的制造工藝簡潔，不存在EUV那種消耗大量電力的問題。大日本印刷在2021年春季根據(jù)設(shè)備的規(guī)格值進行了一次內(nèi)部模擬。通過模擬測試發(fā)現(xiàn)，在形成電路過程中每個晶圓的功耗僅為使用EUV光刻的十分之一左右。
在力求工業(yè)生產(chǎn)過程中削減溫室氣體排放的大趨勢下，為實現(xiàn)碳中和社會，預(yù)計半導(dǎo)體制造業(yè)對NIL的需求將會增加。三家公司將吸引那些致力于減少制造過程功耗的半導(dǎo)體制造商和用戶。
展開 《AFM》：納米壓印光刻，光電子器件大規(guī)模實施重要里程碑！
（文：SSC）
圖1.金納米球壓印軟干涉光刻工藝示意圖
圖2.a)各種襯底上的一維金納米球壓印軟干涉光刻示意圖。
圖3.通過膠體鏈在半導(dǎo)體薄膜上零組裝制備的雜化WPP結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性
圖4.納米器件中等離子體誘導(dǎo)電荷轉(zhuǎn)移和光催化機理
本文來自微信公眾號“材料科學(xué)與工程”。歡迎轉(zhuǎn)載請聯(lián)系，未經(jīng)許可謝絕轉(zhuǎn)載至其他網(wǎng)站。
Feature Article：便捷加工厘米級超表面透鏡——基于水溶性模具的納米壓印技術(shù)
超表面結(jié)構(gòu)單元尺寸通常有幾百納米，而細部尺寸可能僅有幾十納米。電子束光刻 (electron-beam lithography)具有高精度的優(yōu)勢，是目前人們加工超表面的首選方法。然而電子束光刻受制于成本高、產(chǎn)量低的缺點，不能滿足以應(yīng)用為主要目的，高產(chǎn)量加工的需求。因此，發(fā)展兼具納米精度、成本低、高產(chǎn)量的超表面加工技術(shù)是超表面從實驗室走向產(chǎn)品應(yīng)用的核心關(guān)鍵。
論文導(dǎo)讀
有別于電子束光刻，納米壓印兼具低成本、高產(chǎn)量和高分辨率的優(yōu)勢[3]。顧名思義，納米壓印通過機械“壓印”的方式將主模板的圖形轉(zhuǎn)移到另一媒介上，如同印章過程。然而，納米壓印用于超表面加工依然存在著許多問題。首先，超表面通常由折射率較高的材料構(gòu)成，如TiO2，Si，金屬等等。而納米壓印的材料一般折射率較低，例如PDMS。因此，壓印完成后通常需要進行二次加工，包括沉積高折射率材料以及蝕刻垂直結(jié)構(gòu)。在此過程中，額外的加工缺陷不可避免被引入，從而破化超表面的光學(xué)性能。其次，超表面結(jié)構(gòu)單元常要求高深寬比，例如超表面透鏡。因此，在納米壓印的剝離工序中，需避免剪切力對高深比結(jié)構(gòu)的損壞。
展開 