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SiC市場

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創(chuàng)建者:第三代半導體聯(lián)合創(chuàng)新孵化中心 創(chuàng)建時間:2021-07-19
SiC市場圖1

SiC市場的實例教程

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導體制造商提供新的增長前景。這些半導體以提供小尺寸和高功率密度而聞名,在電信運營商擴大基礎(chǔ)設施發(fā)展的同時,加速了它們的采用。 2020年,GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模為7億美元,預計2021年至2027年的復合年增長率將超過30%。 根據(jù)Global Market Insights的一項研究,到2027年,GaN和SiC功率半導體市場預計將超過45億美元。 各國政府為采用5G技術(shù)而采取的持續(xù)舉措將推動該行業(yè)的發(fā)展。 近年來,全球電信運營商不斷擴大通訊領(lǐng)域的基礎(chǔ)設施建設,也為GaN和SiC功率半導體提供了廣闊的應用場景,比如在智能電網(wǎng)和工業(yè)電機驅(qū)動領(lǐng)域,新型材料的功率半導體需求將呈旺盛態(tài)勢。 汽車應用中對SiC的需求增加將推動GaN和SiC功率半導體市場的擴張 到2020年,SiC細分市場將占據(jù)50%的市場份額,并且由于電動汽車和航空航天領(lǐng)域?qū)?em>SiC功率器件的需求不斷增長,預計到2027年將保持20%的增長率。 例如,SiC MOSFET與硅相比,具有高達10倍的的臨界擊穿強度,可滿足各種汽車應用中的高壓和功率要求。 隨著混合動力和電動汽車的市場份額不斷增加,進一步增加了汽車行業(yè)中對SiC的需求。 全球多地政府正在加快其籌資活動和計劃,以增加電動汽車的普及率,從而增加市場優(yōu)勢。 工業(yè)應用中對高能效的需求將加速GaN和SiC功率半導體的市場機會 到2020年,電源應用將占據(jù)GaN和SiC功率半導體市場份額的30%,在工業(yè)和消費電子應用中對GaN & SiC功率半導體需求的增長推動下,到2027年,其復合年增長率將達到23%左右。
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預計未來幾年SiC市場將充分受益于新能源汽車滲透提升、電動車配套設備建設和5G通訊基站及數(shù)據(jù)中心建設,其中汽車電動化為驅(qū)動SiC市場規(guī)模增長的最主要因素。 Yole指出,采用SiC的汽車解決方案能提高系統(tǒng)效率,有效減輕車身重量并使得結(jié)構(gòu)更加緊密,目前在新能源車上主要用于功率控制單元(PCU)、逆變器,及車載充電器等方面。 到2024年,SiC功率半導體市場規(guī)模將達到20億美元,2018-2024年復合增長率約為50%,其中汽車成為SiC功率半導體最大的下游應用市場,占比將達到約50%;而根據(jù)Researchand Markets預測,全球SiC市場收入將達到30億美元,2017-2023年復合增長率約為27%。 繼去年8月在美國紐交所上市后,7月7日,小鵬汽車第二次IPO,在香港聯(lián)交所正式掛牌上市。小鵬汽車開盤價為168港元(約140人民幣),市值一度達到2800億港元(約2332億人民幣)。本次IPO,小鵬汽車募資116億元,將重點用于開發(fā)更多產(chǎn)品組合和新技術(shù)。據(jù)小鵬高管透露,他們正在積極尋找國產(chǎn)供應商,希望在2022年推出SiC車型。 采取SiC器件等一系列電控技術(shù),可提高汽車續(xù)航里程。在低負荷情況下,相比IGBT,SiC器件帶來的效率提升可以達到5%以上,在中大扭矩區(qū),SiC器件效率可提升1%-2%,而絕大部分的工況都處于中低速小扭矩區(qū),因此應用SiC器件后,車輛續(xù)航會有明顯的效率提升,總續(xù)航可以提升20公里以上。
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電動汽車推動了SiC功率半導體市場,但成本仍然是個問題。 隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長,碳化硅(SiC)功率半導體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增。 但需求也導致市場上基于SiC的器件供應緊張,促使一些供應商在棘手的晶圓尺寸過渡期間增加晶圓廠產(chǎn)能。一些SiC器件制造商正從4英寸晶圓過渡到6英寸晶圓。 SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料。在生產(chǎn)流程中,專門的SiC襯底被開發(fā)出來,然后在晶圓廠中進行加工,得到基于SiC的功率半導體。許多基于SiC的功率半導體和競爭技術(shù)都是專用晶體管,它們可以在高電壓下開關(guān)器件的電流。它們用于電力電子領(lǐng)域,可以實現(xiàn)系統(tǒng)中電力的轉(zhuǎn)換和控制。 SiC因其寬帶隙技術(shù)脫穎而出。與傳統(tǒng)硅基器件相比,SiC的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍,導熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍,非常適合于高壓應用,如電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。另外,SiC還用于制造LED。 最大的增長機會在汽車領(lǐng)域,尤其是電動汽車。基于SiC的功率半導體用于電動汽車的車載充電裝置,而這項技術(shù)正在進入系統(tǒng)的關(guān)鍵部分——牽引逆變器。 牽引逆變器為電動機提供牽引力,以推動車輛前進。 對于這一應用,特斯拉在一些車型中使用了SiC功率器件,而其他電動汽車制造商則在評估這項技術(shù)。Yole Développement的分析師Hong Lin表示:“當人們討論SiC功率器件時,汽車市場無疑是焦點。豐田和特斯拉等先驅(qū)企業(yè)的SiC活動給市場帶來了許多刺激和喧囂。SiC MOSFET在汽車市場具有潛力。但仍存在一些挑戰(zhàn),比如成本、長期可靠性和模塊設計。” 據(jù)Yole稱,在汽車和其他市場的推動下,2017年SiC功率器件業(yè)務達到3.02億美元,較2016年的2.48億美元增長22%。
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來源:化合物半導體市場 ■ 知識充電站 ■ 科普圖解篇 ■ 深度原創(chuàng)篇 【免責聲明】文章為作者獨立觀點,不代表半導體材料與工藝設備立場。如因作品內(nèi)容、版權(quán)等存在問題,請于本文刊發(fā)30日內(nèi)聯(lián)系半導體材料與工藝設備進行刪除或洽談版權(quán)使用事宜。
市場迎來爆發(fā)期,廠商加速擴產(chǎn) 碳化硅襯底材料是新的一代半導體材料,屬于半導體產(chǎn)業(yè)的新興和前沿發(fā)展方向之一,主要應用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域。 全球市場上,6英寸SiC襯底已實現(xiàn)商業(yè)化,主流大廠也陸續(xù)推出8英寸樣品。根據(jù)公開信息,科銳能夠批量供應4英寸至6英寸導電型和半絕緣型碳化硅襯底,且已成功研發(fā)并開始建設8英寸產(chǎn)品生產(chǎn)線。此外,今年7月27日,意法半導體就宣布,制造出首批8英寸SiC晶圓片。 當前,全球碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)市場快速發(fā)展并已迎來爆發(fā)期,國際大廠紛紛加大投入實施擴產(chǎn)計劃,如碳化硅國際標桿企業(yè)美國科銳公司于2019年宣布投資10億美元擴產(chǎn)30倍之外,而美國貳陸公司、日本羅姆公司等也陸續(xù)公布了相應擴產(chǎn)計劃。
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SiC市場圖2

SiC市場的最新內(nèi)容

隨著如上車型逐步進入市場,不僅宣告SiC上車拉開新篇章,更代表各車企向著品牌升級或轉(zhuǎn)型邁出關(guān)鍵一步,汽車電動化、智能化也將進入更為驚艷的百花爭艷時代。
在此背景下,碳化硅(SiC市場的建廠擴產(chǎn)熱潮卻愈演愈烈。
因此,持有關(guān)鍵專利的老牌SiC廠商有望在市場上獲得長期競爭優(yōu)勢。下圖是Yole統(tǒng)計的SiC專利持有者的情況。雖然許多公司都在專注于建立垂直整合的供應鏈以確保其SiC業(yè)務的長期發(fā)展,但很少有公司在整個SiC價值鏈上開發(fā)出強大的專利組合,國產(chǎn)SiC廠商仍有很大的發(fā)展空間。
韓國半導體行業(yè)目前正在積極研發(fā),以搶占碳化硅(SiC)市場。市場調(diào)查公司Yole Development預測,基于SiC晶圓的電力半導體市場將從今年的1.1萬億韓元(約60.5億人民幣)增長到2030年的12.28萬億韓元(約675億人民幣)。相應地,SiC晶圓市場預計需求將繼續(xù)增長。
微信公眾號:半導體產(chǎn)業(yè)研究院 Q:全市場SiC產(chǎn)能緊缺的瓶頸在哪里? Q:電阻法和感應法制備SiC的優(yōu)缺點和未來發(fā)展? Q:市場測算需求差異很大,6寸片到底能滿足幾輛車需求,是6輛還是2輛車?四驅(qū)系統(tǒng)的車價值量是否會翻倍? Q:國外襯底公司上線8寸的節(jié)奏? Q:2025年成本會降低到多少? Q:6寸片切300顆芯片做器件的良率情況?
Grawert表示,Aixtron正在與SiC市場中最大的兩家芯片制造商合作。“從這些非常大的廠商那里,我們收到了非常可觀的訂單,我們預計整個2022年還會收到更多非常可觀的訂單。”該公司還獲得了另外十來個生產(chǎn)SiC器件的客戶的認證或正在接受認證的過程中。它們都不在當今排名前五的SiC器件制造商之列。 2022財年,Aixtron的另一半訂單將來自光電器件制造商。
和Si的市場,需要技術(shù)創(chuàng)新和成本領(lǐng)先。
預估2027年碳化硅(SiC)功率組件市場規(guī)模可達63億美元,氮化鎵(GaN)功率組件市場可達20億美元;2021-2027年,整體氮化鎵(GaN)功率組件市場的復合年成長率(CAGR)為59%,碳化硅(SiC)功率組件市場的復合年成長率(CAGR)為34%。除了消費性電源大量采用氮化鎵(GaN)功率組件,氮化鎵(GaN)功率組件導入數(shù)據(jù)中心、電信設備電源的速度也愈來愈快。
圖 1:功率 SiC 器件市場正以 34% 的復合年增長率(2021-2027 年)增長,主要受汽車市場以及工業(yè)、能源和其他交通運輸市場的推動。資料來源:Yole Développement 但是,為大批量生產(chǎn)新技術(shù)需要時間。在幕后,制造設備供應商必須與客戶密切合作,以調(diào)整現(xiàn)有設備或設計全新的解決方案,以實現(xiàn)高吞吐量、高良率的 SiC 制造。 碳化硅是一種非常昂貴且極其堅硬的材料。
今天,英飛凌引領(lǐng)著SiC的工業(yè)應用市場,并以業(yè)界最廣泛和最可擴展的產(chǎn)品組合成功地推動SiC在汽車領(lǐng)域的應用。公司直接或通過分銷向3,000多個客戶供貨。20多年來,碳化硅(SiC)對英飛凌來說一直很重要。早在2001年,我們就已經(jīng)在市場上推出了基于SiC的產(chǎn)品和解決方案。 在去年10月份的資本市場日上,英飛凌提出了對碳化硅和氮化鎵(GaN)業(yè)務的展望。