SiC市場的案例
智芯研報 | GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場有望在2027年達45億美元
全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。這些半導(dǎo)體以提供小尺寸和高功率密度而聞名，在電信運營商擴大基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的同時，加速了它們的采用。
2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為7億美元，預(yù)計2021年至2027年的復(fù)合年增長率將超過30％。
根據(jù)Global Market Insights的一項研究，到2027年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將超過45億美元。
各國政府為采用5G技術(shù)而采取的持續(xù)舉措將推動該行業(yè)的發(fā)展。
近年來，全球電信運營商不斷擴大通訊領(lǐng)域的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，也為GaN和SiC功率半導(dǎo)體提供了廣闊的應(yīng)用場景，比如在智能電網(wǎng)和工業(yè)電機驅(qū)動領(lǐng)域，新型材料的功率半導(dǎo)體需求將呈旺盛態(tài)勢。
汽車應(yīng)用中對SiC的需求增加將推動GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場的擴張
到2020年，SiC細分市場將占據(jù)50％的市場份額，并且由于電動汽車和航空航天領(lǐng)域?qū)?em>SiC功率器件的需求不斷增長，預(yù)計到2027年將保持20％的增長率。
例如，SiC MOSFET與硅相比，具有高達10倍的的臨界擊穿強度，可滿足各種汽車應(yīng)用中的高壓和功率要求。
隨著混合動力和電動汽車的市場份額不斷增加，進一步增加了汽車行業(yè)中對SiC的需求。
全球多地政府正在加快其籌資活動和計劃，以增加電動汽車的普及率，從而增加市場優(yōu)勢。
工業(yè)應(yīng)用中對高能效的需求將加速GaN和SiC功率半導(dǎo)體的市場機會
到2020年，電源應(yīng)用將占據(jù)GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場份額的30％，在工業(yè)和消費電子應(yīng)用中對GaN & SiC功率半導(dǎo)體需求的增長推動下，到2027年，其復(fù)合年增長率將達到23％左右。
展開 智芯研報 | 汽車電動化驅(qū)動SiC市場規(guī)模增長
預(yù)計未來幾年SiC市場將充分受益于新能源汽車滲透提升、電動車配套設(shè)備建設(shè)和5G通訊基站及數(shù)據(jù)中心建設(shè)，其中汽車電動化為驅(qū)動SiC市場規(guī)模增長的最主要因素。
Yole指出，采用SiC的汽車解決方案能提高系統(tǒng)效率，有效減輕車身重量并使得結(jié)構(gòu)更加緊密，目前在新能源車上主要用于功率控制單元(PCU)、逆變器，及車載充電器等方面。
到2024年，SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達到20億美元，2018-2024年復(fù)合增長率約為50%，其中汽車成為SiC功率半導(dǎo)體最大的下游應(yīng)用市場，占比將達到約50%；而根據(jù)Researchand Markets預(yù)測，全球SiC市場收入將達到30億美元，2017-2023年復(fù)合增長率約為27%。
繼去年8月在美國紐交所上市后，7月7日，小鵬汽車第二次IPO，在香港聯(lián)交所正式掛牌上市。小鵬汽車開盤價為168港元（約140人民幣），市值一度達到2800億港元（約2332億人民幣）。本次IPO，小鵬汽車募資116億元，將重點用于開發(fā)更多產(chǎn)品組合和新技術(shù)。據(jù)小鵬高管透露，他們正在積極尋找國產(chǎn)供應(yīng)商，希望在2022年推出SiC車型。
采取SiC器件等一系列電控技術(shù)，可提高汽車續(xù)航里程。在低負荷情況下，相比IGBT，SiC器件帶來的效率提升可以達到5%以上，在中大扭矩區(qū)，SiC器件效率可提升1%-2%，而絕大部分的工況都處于中低速小扭矩區(qū)，因此應(yīng)用SiC器件后，車輛續(xù)航會有明顯的效率提升，總續(xù)航可以提升20公里以上。
展開 SiC芯片市場將迎來大爆發(fā)
電動汽車推動了SiC功率半導(dǎo)體市場，但成本仍然是個問題。
隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增。
但需求也導(dǎo)致市場上基于SiC的器件供應(yīng)緊張，促使一些供應(yīng)商在棘手的晶圓尺寸過渡期間增加晶圓廠產(chǎn)能。一些SiC器件制造商正從4英寸晶圓過渡到6英寸晶圓。
SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半導(dǎo)體材料。在生產(chǎn)流程中，專門的SiC襯底被開發(fā)出來，然后在晶圓廠中進行加工，得到基于SiC的功率半導(dǎo)體。許多基于SiC的功率半導(dǎo)體和競爭技術(shù)都是專用晶體管，它們可以在高電壓下開關(guān)器件的電流。它們用于電力電子領(lǐng)域，可以實現(xiàn)系統(tǒng)中電力的轉(zhuǎn)換和控制。
SiC因其寬帶隙技術(shù)脫穎而出。與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合于高壓應(yīng)用，如電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。另外，SiC還用于制造LED。
最大的增長機會在汽車領(lǐng)域，尤其是電動汽車。基于SiC的功率半導(dǎo)體用于電動汽車的車載充電裝置，而這項技術(shù)正在進入系統(tǒng)的關(guān)鍵部分——牽引逆變器。 牽引逆變器為電動機提供牽引力，以推動車輛前進。
對于這一應(yīng)用，特斯拉在一些車型中使用了SiC功率器件，而其他電動汽車制造商則在評估這項技術(shù)。Yole Développement的分析師Hong Lin表示：“當人們討論SiC功率器件時，汽車市場無疑是焦點。豐田和特斯拉等先驅(qū)企業(yè)的SiC活動給市場帶來了許多刺激和喧囂。SiC MOSFET在汽車市場具有潛力。但仍存在一些挑戰(zhàn)，比如成本、長期可靠性和模塊設(shè)計。”
據(jù)Yole稱，在汽車和其他市場的推動下，2017年SiC功率器件業(yè)務(wù)達到3.02億美元，較2016年的2.48億美元增長22%。
展開 市場 | 半絕緣SiC襯底全球第三，山東天岳科創(chuàng)板IPO獲受理！
來源：化合物半導(dǎo)體市場
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市場 | SiC市場迎來爆發(fā)期，全球最大碳化硅晶圓廠2022年初投產(chǎn)
市場迎來爆發(fā)期，廠商加速擴產(chǎn)
碳化硅襯底材料是新的一代半導(dǎo)體材料，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新興和前沿發(fā)展方向之一，主要應(yīng)用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域。
全球市場上，6英寸SiC襯底已實現(xiàn)商業(yè)化，主流大廠也陸續(xù)推出8英寸樣品。根據(jù)公開信息，科銳能夠批量供應(yīng)4英寸至6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底，且已成功研發(fā)并開始建設(shè)8英寸產(chǎn)品生產(chǎn)線。此外，今年7月27日，意法半導(dǎo)體就宣布，制造出首批8英寸SiC晶圓片。
當前，全球碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場快速發(fā)展并已迎來爆發(fā)期，國際大廠紛紛加大投入實施擴產(chǎn)計劃，如碳化硅國際標桿企業(yè)美國科銳公司于2019年宣布投資10億美元擴產(chǎn)30倍之外，而美國貳陸公司、日本羅姆公司等也陸續(xù)公布了相應(yīng)擴產(chǎn)計劃。
展開 一文搞懂SiC功率器件的市場、應(yīng)用和制造工藝
報告主題：一文搞懂SiC功率器件的市場、應(yīng)用和制造
報告作者：Dr. Victor Veliadis
Deputy Executive Director and CTO, PowerAmerica
Professor ECE North Carolina State University, Raleigh, NC USA
報告內(nèi)容包含：（具體內(nèi)容詳見下方全部報告內(nèi)容）
SiC/GaN 性能科普
Si、SiC 或 GaN 的選擇應(yīng)用差異
汽車電氣化是寬禁帶(WBG功率器件和電子裝置的一大機遇
SiC功率器件的制造
SiC襯底的生長比Si更復(fù)雜
SiC外延技術(shù)成熟度相對較高
SiC 晶圓占 SiC 器件成本的 50-70%
高壓 (+900 V) SiC 功率器件通常采用縱向配置
SiC 器件的理想阻斷電壓由其漂移層的厚度和摻雜決定
電壓和開關(guān)頻率需求推動單極與雙極 SiC 器件的選擇
SiC制造需要投資特定的設(shè)備和開發(fā)特定的工藝
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展開 智芯研報 | 產(chǎn)能大戰(zhàn)下的SIC外延片市場
首先，器件的設(shè)計對外延的質(zhì)量性能要求高影響非常大，同時外延的質(zhì)量也受到晶體和襯底加工的影響，所以SIC外延環(huán)節(jié)對產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展起到非常關(guān)鍵的作用。
碳化硅外延片，是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。實際應(yīng)用中對外延層質(zhì)量的要求非常高。而且隨著耐壓性能的不斷提高，所要求的外延層的厚度就越厚，成本也會相應(yīng)調(diào)整！
目前，全球市場看，外延片企業(yè)主要有 DowCorning、II-VI、Norstel、Cree、羅姆、三菱電機、Infineon 等，多數(shù)是IDM公司。日本也存在比較優(yōu)越的碳化硅外延的供應(yīng)商，比如說昭和電工，但它已經(jīng)不是一個純粹的做碳化硅外延的，因為他在前幾年也收購了日本的新日鐵，開始涉及到了碳化硅單晶的制備。
我國SiC外延材料研發(fā)工作開發(fā)于“九五計劃”，材料生長技術(shù)及器件研究均取得較大進展。主要研究單位有中科院半導(dǎo)體研究所、中電集團13所和55所、西安電子科技大學等，產(chǎn)業(yè)化公司主要是東莞天域和廈門瀚天天成。目前我國已研制成功6英寸SiC外延晶片，且基本實現(xiàn)商業(yè)化。可以滿足3.3kV及以下電壓等級SiC電力電子器件的研制。不過，還不能滿足研制10kV及以上電壓等級器件和研制雙極型器件的需求。
與Si 材料相比，SiC 晶圓生長速率滿、晶錠長度短、晶圓大小受晶種限制，且硬度高，不易切切割、研磨、拋光，進而影響 SiC 器件質(zhì)量及穩(wěn)定性，故目前襯底和外延市場格局集中、價格高企。
展開 半導(dǎo)體碳化硅（SiC）行業(yè)研究：打開新能源汽車百億市場空間
4.碳化硅襯底全球市場空間測算
碳化硅襯底是碳化硅器件制備必不可少、也是目前成本最高的一環(huán)，分析碳化 硅襯底的市場空間有著重要的意義。在這里，我們對全球碳化硅襯底 2021 年到 2025 年在新能源汽車、光伏領(lǐng)域的市場空間、襯底需求量進行了測算，并以此為參 比預(yù)測出了碳化硅襯底的總市場空間及襯底需求量。
4.1 新能源汽車領(lǐng)域:25 年需求量或達 300 萬片，市場空間超 100 億元
針對新能源車領(lǐng)域的碳化硅襯底市場預(yù)測，我們對關(guān)鍵參數(shù)做出以下假設(shè):
單片價格:目前 6 英寸碳化硅平均售價為 1000 美金，約 6400 元/片，由于未 來 6 英寸上的技術(shù)路線發(fā)展以及進一步規(guī)模經(jīng)濟的形成，預(yù)期碳化硅價格總體呈現(xiàn) 降低趨勢，對于具體的價格趨勢，我們對 2021-2025 年襯底價格下降幅度進行以下 三種假設(shè):1)10%降幅;2)15%降幅;3)20%降幅。
單車消耗襯底數(shù):考慮到未來價格下降后將逐步增加碳化硅在新能源車上的應(yīng) 用場景，以目前 Model 3 單車用 48 個碳化硅 MOSFET 芯片計算，單車用 6 英寸襯底 數(shù)約 0.16 片，之后逐漸增長到 2025 年的 0.4 片。
滲透率:這里的滲透率定義為采用 SiC 器件為主體的新能源汽車銷量在全部新 能源汽車銷量中的占比。2021 年的滲透率為 14%，預(yù)期 2021-2025 的滲透率增速為 6%。
結(jié)合以上數(shù)據(jù)及假設(shè)，在 10%/15%/20%三種價格降幅預(yù)期下，新能源車領(lǐng)域的 碳化硅襯底市場或?qū)⒎謩e達到 128/102/80 億元，相應(yīng)襯底需求量達到 304 萬片。
展開 聚焦 | SiC：一窺未來
Eden并不認為美中貿(mào)易緊張局勢對SiC市場的影響特別大。但正如他補充說的：“受中國政府的強烈影響，中國企業(yè)有購買中國產(chǎn)品的趨勢。”
那么，Eden認為碳化硅市場的下一步將是什么呢？就目前而言，他預(yù)計SiC技術(shù)將與硅和GaN愉快地共存，在整個十年中從硅中慢慢奪走市場份額。然而，超過這一時限可能會帶來變化。目前，GaN市場落后于SiC市場，但最終，到2030和2040年，GaN可能會比SiC擁有更大的市場份額。
事實上，基于晶圓的成本優(yōu)勢，Eden認為GaN總能提供比SiC更便宜的替代品。他強調(diào)了一片硅片目前的價格是10美元左右，一片硅上GaN晶片的價格是25美元左右，而SiC晶片目前的價格是1000美元。
“襯底是決定器件成本的決定性因素，我認為一旦成品率、設(shè)計和其它挑戰(zhàn)得到解決，GaN器件將比SiC器件便宜，”Eden說：“SiC在20世紀20年代可能是一個權(quán)宜之計，直到GaN得到完善——然后這項技術(shù)將在分立功率半導(dǎo)體和功率模塊方面有更大的市場。”然而，到了最后，硅、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體將可能共存，每種半導(dǎo)體都將占領(lǐng)其市場的利基，這取決于其成本和性能優(yōu)勢。
展開 關(guān)注 | 多家晶圓廠已加碼SiC供應(yīng)
今年初，意法半導(dǎo)體并與SiCrystal簽署類似的多年供應(yīng)協(xié)議，以加碼超過1.2億美元的先進150mm SiC晶圓供應(yīng)。SiCrystal是一家總部位于德國紐倫堡的ROHM子公司，專注于SiC晶圓制造多年。
圖2：SiC晶圓可說是打造電動車和工業(yè)電源的功率半導(dǎo)體之重要材料。（數(shù)據(jù)源：Infineon Technologies）
另一家歐洲芯片制造商英飛凌科技(Infineon Technologies)繼收購Cree的Wolfspeed業(yè)務(wù)后，日前并與日本晶圓制造商昭和電工株式會社(Showa Denko K.K.)洽談SiC材料和外延技術(shù)。據(jù)英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁Peter Wafer表示，未來五年，基于SiC的半導(dǎo)體預(yù)計將以每年30%至40%的速度成長。
SiC材料由于具有高硬度、耐熱性和耐高壓能力，可實現(xiàn)高效率和穩(wěn)健的功率半導(dǎo)體，越來越廣泛被應(yīng)用于太陽光電(PV)、工業(yè)電源和電動車(EV)的充電基礎(chǔ)設(shè)施。然而，SiC仍存在生產(chǎn)瓶頸尚未解決、原料晶柱質(zhì)量不穩(wěn)定導(dǎo)致良率問題以及SiC組件的成本過高等挑戰(zhàn)，使得SiC市場仍面臨巨大的產(chǎn)能缺口。
盡管如此，晶圓供應(yīng)對于芯片業(yè)從硅過渡到SiC半導(dǎo)體組件至關(guān)重要。業(yè)界多起晶圓收購與交易與合作協(xié)議，充份展現(xiàn)芯片制造商如何透過內(nèi)部和外部資源以因應(yīng)市場需求，并進一步推動SiC半導(dǎo)體的規(guī)模經(jīng)濟。
編譯：Susan Hong 來源：國際電子商情
展開 SiC/GaN，海外巨頭瘋狂擴產(chǎn)！
長期以來，硅始終是集成電路芯片制造最廣泛的原材料，然而在5G走向成熟落地、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備連接數(shù)持續(xù)增加、汽車產(chǎn)業(yè)智能化轉(zhuǎn)型加速的趨勢下，受材料本身特性的限制，硅基半導(dǎo)體逐漸無法滿足日益提高的市場需求。
在這種情況下，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸嶄露頭角，憑借其高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，展現(xiàn)巨大的市場前景，正成為全球半導(dǎo)體市場爭奪的焦點，國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體技術(shù)、產(chǎn)品、市場、投資均呈現(xiàn)較高增長態(tài)勢。
據(jù)TrendForce預(yù)測，2025年全球SiC功率器件市場規(guī)模將達到33.9億美元，GaN功率器件市場規(guī)模也將達8.5億美元。
2020-2025年全球SiC功率市場規(guī)模（單位：億美元）
圖源：TrendForce
行業(yè)廠商大幅擴產(chǎn)
之所以敢于不斷加碼第三代半導(dǎo)體，源自英飛凌對行業(yè)的高度看好。除了英飛凌之外，業(yè)界還有很多企業(yè)都在加大對第三代半導(dǎo)體的投資力度。
以SiC為例，安森美半導(dǎo)體表示今年要將SiC產(chǎn)能擴充4倍，2022財年第一季度，安森美預(yù)計資本支出約為1.5-1.7億美元，主要用于擴產(chǎn)12英寸硅產(chǎn)線產(chǎn)能。去年10月，安森美以約26.87億人民幣正式收購SiC襯底廠商GTAT。據(jù)安森美此前說法，2022年和2023年的SiC資本支出預(yù)計將占總收入的12%左右。
意法半導(dǎo)體2021年的資本支出達到約21億美元，其中14億美元將投入全球產(chǎn)能擴建，同時也在繼續(xù)投資供應(yīng)鏈的垂直化整合，計劃到2024年將SiC晶圓產(chǎn)能提高到2017年的10倍，SiC營收將達到10億美元。
羅姆也立下了SiC的增長目標。2021年5月，羅姆提出要搶占全球30% SiC市場的目標。
展開 
第三代半導(dǎo)體的明日之星-SiC碳化硅
調(diào)研機構(gòu)Yole Developpement報告指出，自從特斯拉 (Tesla) 領(lǐng)先全球在 Model 3的逆變器模塊上采用SiC，創(chuàng)造優(yōu)越的續(xù)航力，SiC便成為市場寵兒，許多車廠和半導(dǎo)體廠商已如火如荼地在磊晶、組件制造、晶圓制造等供應(yīng)鏈上垂直整合布局。
碳化硅“狂飆”：追趕、內(nèi)卷、替代
從產(chǎn)業(yè)鏈來看，SiC產(chǎn)業(yè)鏈條較長，涉及襯底、外延、器件設(shè)計、器件制造和封測等一系列環(huán)節(jié)，各個環(huán)節(jié)的專業(yè)性要求較強，同時對技術(shù)和資本投入的要求也很高。
SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
（圖源：行家說三代半）
其中，碳化硅襯底和外延片的價值量占比超過一半，襯底成本最大，占比達47%；其次是外延成本占比為23%，成為決定碳化硅器件品質(zhì)的關(guān)鍵。
襯底即通過沿特定的結(jié)晶方向?qū)⒕w切割、研磨、拋光，得到具有特定晶面和適當電學、光學和機械特性的潔凈單晶圓薄片，用于生長外延層，可分為半絕緣型及導(dǎo)電型。
SiC襯底市場高度集中，全球襯底前三名是Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ、Rohm。國外廠商在兩類襯底市場中均占有主要份額。從半絕緣型SiC襯底市場份額來看，Wolfspeed、II-VI和山東天岳三家公司平分秋色，各占據(jù)約30%的市場份額。從導(dǎo)電型SiC襯底的市場份額來看，Wolfspeed占據(jù)超60%的市場份額，在SiC單晶市場價格和質(zhì)量標準上有極大話語權(quán)，天科合達和山東天岳占比僅為1.7%和0.5%。
外延環(huán)節(jié)主要是在碳化硅襯底上，經(jīng)過外延工藝生長出的特定單晶薄膜，襯底晶片和外延薄膜合稱外延片。
在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延片，可制成微波射頻器件，應(yīng)用于5G通信等領(lǐng)域；在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層（SiC-on-SiC）制得碳化硅外延片，可制成功率器件，應(yīng)用于電動汽車、新能源、儲能、軌道交通等領(lǐng)域。
SiC外延片屬于行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中間環(huán)節(jié)，其中，Wolfspeed、ShowaDenko呈現(xiàn)雙寡頭壟斷市場，合計約占SiC導(dǎo)電型外延片95%的市場份額。
展開 國內(nèi)首條SiC智能功率模塊生產(chǎn)線在廈門正式投產(chǎn)
根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，碳化硅 (SiC)電力電子市場是具體而實在，且發(fā)展前景良好。這種趨勢非但不會改變，碳化硅行業(yè)還會進一步向前發(fā)展。用戶正在嘗試碳化硅技術(shù)，以應(yīng)用于具體且具有發(fā)展前景的項目。
如今，碳化硅技術(shù)的附加值已被電力電子領(lǐng)域所普遍了解與認可。
2016 至 2022 年間，有望實現(xiàn) 6% 的復(fù)合年增長率 (CAGR)。而且，新應(yīng)用的出現(xiàn)也將推動碳化硅電力電子器件市場的發(fā)展。
也就是說，2022 年，碳化硅器件市場總值將超過 10 億美元。
事實上，2020 年之后，市場發(fā)展的腳步將進一步加快，2020 至 2022 年間，有望實現(xiàn) 40% 的復(fù)合年增長率 (CAGR)。
目前誰是主要的SiC供應(yīng)商呢？
目前行業(yè)的龍頭，Infineon和Cree兩家公司研發(fā)出新的RF功率系統(tǒng)Wolfspeed，已經(jīng)占據(jù)了整個SiC市場份額68%。
不僅如此，Cree公司最近還收獲了功率組件和電子應(yīng)用上先驅(qū)新產(chǎn)品—APEI的訂單，這款產(chǎn)品有可能對SiC市場造成很大的沖擊。
目前這兩家公司都把目光放在如何實現(xiàn)將SiC器件集成到功率組件和轉(zhuǎn)換器上的工業(yè)化應(yīng)用問題，同時也能為這些SiC器件系統(tǒng)提供經(jīng)特別設(shè)計的封裝。
Infineon公司已經(jīng)具備了開發(fā)用于SiC器件功率組件所需的技術(shù)基礎(chǔ)，而Cree公司正在發(fā)展它的SiC功率業(yè)務(wù)的供應(yīng)鏈，如同它們之前在發(fā)展LED業(yè)務(wù)時所做的那樣。
盡管這兩家大公司都打算加速其在SiC應(yīng)用上的進程，但是它們并不企圖在未來繼續(xù)統(tǒng)治這個領(lǐng)域的市場。
Infineon和Cree公司從一開始進入這個市場時就占據(jù)了大量的市場份額，但是Rohm、STMicroelctronics等公司也正在對這個市場虎視眈眈。
展開 智芯研報 | 碳化硅有望加速進軍軌道交通領(lǐng)域
在SiC功率器件市場，Wolfspeed占據(jù)市場最大的份額，是行業(yè)第一家商用SiCMOSFET的企業(yè)，服務(wù)上千家客戶；在GaN射頻器件市場，Wolfspeed市場份額位居第二，具備十年以上的GaNHEMT生產(chǎn)經(jīng)驗，出貨量超過1500萬只；在SiC材料市場，Wolfspeed是第一家提供商業(yè)化SiC晶圓產(chǎn)品的企業(yè)（1991年），且在其后的30年發(fā)展中引領(lǐng)了SiC晶圓尺寸的由小變大（目前為8寸），是名副其實的市場引領(lǐng)者。
Wolfspeed同時提供GaN-on-SiC代工服務(wù)，改變了行業(yè)傳統(tǒng)的IDM業(yè)態(tài)。作為GaN-on-SiCMMIC技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，公司運用世界上最大的寬禁帶半導(dǎo)體生產(chǎn)線為客戶提供從設(shè)計協(xié)助到制造、測試服務(wù)，縮短下游客戶產(chǎn)品推出周期。國內(nèi)三安集成的GaN代工服務(wù)與之類似。
Wolfspeed雖然目前是Cree三大部門（LED、LED照明應(yīng)用、Wolfspeed）中體量最小的，但已經(jīng)是公司最核心的業(yè)務(wù)部門。Wolfspeed2018年實現(xiàn)營收3.29億美元，同比增長25.47%；毛利率高達47%。根據(jù)公開業(yè)績說明會，Wolfspeed的目標是在2022年收入番兩番，達到8.5億美元，屆時將成為Cree最大的收入來源。在Wolfspeed看來，到2022年只要有25%的目標市場轉(zhuǎn)換為SiC和GaN，就將是20億美元的市場，是現(xiàn)今市場的8倍，公司為極具潛力的SiC和GaN已經(jīng)做好了準備。
2、英飛凌
Infineon是市場上唯一一家提供涵蓋Si、SiC和GaN等材料的全系列功率產(chǎn)品的公司，開發(fā)的CoolSiC技術(shù)具備非常大的潛力。
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