SMT制程的案例
蘋果Mini LED iPad Pro延遲上市，推測(cè)因SMT制程效率低
CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，蘋果于4月20日發(fā)布，但仍未能確定上市時(shí)間的12.9吋Mini LED iPad產(chǎn)品生產(chǎn)出現(xiàn)異常，推測(cè)為是SMT（Surface Mount Technology)制程。據(jù)悉，因負(fù)責(zé)SMT制程的臺(tái)灣地區(qū)TSMT的生產(chǎn)效率較低，蘋果新增其他SMT供應(yīng)商。
4月23日根據(jù)韓媒Thelec報(bào)道，因SMT制程的問(wèn)題，蘋果公司的Mini LED iPad生產(chǎn)出現(xiàn)異常。蘋果于4月20日舉行新品發(fā)布會(huì)，但Mini LED iPad的上市時(shí)間為“預(yù)計(jì)下月中旬以后”。
SMT是指在電路板表面裝貼零件的技術(shù)。蘋果首次采用Mini LED作為背光的12.9吋iPad Pro 是在SMT制程中進(jìn)行Mini LED芯片的轉(zhuǎn)移。
原定Mini LED iPad的SMT制程由臺(tái)灣地區(qū)TSMT負(fù)責(zé)。但據(jù)悉，由于TSMT的SMT制程良率較低原因?qū)е抡w產(chǎn)品日程受到影響。隨后，蘋果新增其他SMT供應(yīng)商以進(jìn)行應(yīng)對(duì)。
4月12日時(shí)彭博社報(bào)道過(guò)，因Mini LED iPad的良率較低原因?qū)е律鲜袝r(shí)間延遲，供應(yīng)量縮水。當(dāng)時(shí)媒體報(bào)道Mini LED供應(yīng)商晶元、GIS、TSMT中，至少有一家公司停產(chǎn)。晶元負(fù)責(zé)Mini LED晶元和芯片，GIS負(fù)責(zé)LCD模組。
展開(kāi) 一篇實(shí)用的SMT制程改善案例總結(jié)！
面對(duì)最近的 SMT 制程診斷（如圖 47、圖 48），我們只會(huì)說(shuō)：改善無(wú)止境、更上一層樓。
最新iPad Pro采用Mini LED加持，Mini LED顯示技術(shù)究竟好在哪？
據(jù)了解，蘋果Mini LED iPad Pro生產(chǎn)過(guò)程中的主要問(wèn)題出在SMT制程。本次iPad Pro的SMT固晶打件的供應(yīng)商是臺(tái)表科和晶電子公司元豐新科技。
知情人士表示臺(tái)表科的生產(chǎn)良率較低，因此，蘋果正在尋求與另一家SMT廠商合作。
盡管當(dāng)前生產(chǎn)出現(xiàn)了良率欠佳的問(wèn)題，但作為蘋果首款搭載Mini LED背光技術(shù)的產(chǎn)品，iPad Pro的銷量同樣受市場(chǎng)看好。
TrendForce集邦咨詢表示，12.9英寸iPad Pro原本就在利基市場(chǎng)有穩(wěn)定的需求表現(xiàn)，因此，在規(guī)格全面升級(jí)，以及與前一代產(chǎn)品價(jià)差僅100美元的背景下，預(yù)期2021年新款12.9英寸iPad Pro出貨量將可達(dá)500萬(wàn)臺(tái)。
同時(shí)，新一代iPad Pro今年在全球平板計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的滲透率將為3.1%。
另外，除了iPad Pro，預(yù)估下半年蘋果14英寸、16英寸筆電有可能也將采用Mini LED背光技術(shù)。從一定程度上來(lái)講，更多產(chǎn)品導(dǎo)入Mini LED技術(shù)有助于推動(dòng)Mini LED產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)廠商不斷突破技術(shù)瓶頸問(wèn)題。
作為全球最知名的消費(fèi)電子品牌，蘋果公司在市場(chǎng)上具有風(fēng)向標(biāo)作用。隨著該公司的加入，Mini LED的熱度可以說(shuō)是直線升高，也引起了眾多投資者的關(guān)注。
Mini LED
如果說(shuō)用M1是意料之中的升級(jí)，那么再次刷新平板屏幕素質(zhì)上限的Liquid視網(wǎng)膜XDR屏幕才是最大的驚喜。
展開(kāi) 倒裝焊接（Flip chip）技術(shù)與原理
圖22 SEM/EDX 界面圖片
6）切片分析（ cross section）
切片（cross section)是用特制液態(tài)樹(shù)脂將樣品包裹固封，然后進(jìn)行研磨拋光的一種制樣方法，檢測(cè)流程包括取樣、固封、研磨、拋光、最后提供形貌照片、開(kāi)裂分層大小判斷或尺寸等數(shù)據(jù)。目的：電子元器件表面及內(nèi)部缺陷檢查及SMT制程改善&驗(yàn)證。 適用范圍：適用于電子元器件結(jié)構(gòu)剖析，PCBA焊接缺陷，焊點(diǎn)上錫形態(tài)及缺陷檢測(cè)等
圖23 切片分析圖
7）紅外顯微鏡觀測(cè)，由于純硅片對(duì)于其吸收限1.06um以上波長(zhǎng)的紅外線是透明的，因此在紅外顯微鏡下可以透過(guò)倒裝芯片觀測(cè)到正面器件版圖以及焊接凸點(diǎn)。如下圖觀測(cè)方法。
圖24 倒裝芯片中紅外顯微鏡觀測(cè)實(shí)驗(yàn)裝置示意圖
紅外顯微鏡采用焦平面陣列探測(cè)器，能探測(cè)0.8um~2.4um波長(zhǎng)范圍內(nèi)的紅外線，同時(shí)，為了控制進(jìn)入探測(cè)器的紅外線波長(zhǎng)范圍，在探測(cè)器前放=有一個(gè)濾光片，可以選擇使用不同中心波長(zhǎng)的濾光片，以得到最佳的圖像質(zhì)量。如下圖為紅外顯微鏡下測(cè)倒裝芯片中鋁腐蝕模式
圖25 紅外顯微鏡下測(cè)倒裝芯片中鋁腐蝕模式
完成回流焊接及底部填充工藝后的產(chǎn)品常見(jiàn)缺陷有：焊點(diǎn)橋連 / 開(kāi)路、焊點(diǎn)潤(rùn)濕不良、焊點(diǎn)空洞 /氣泡、焊點(diǎn)開(kāi) 裂/脆裂、底部填料和芯片分層和芯片破裂等。對(duì)于底部填充是否完整，填料內(nèi)是否出現(xiàn)空洞，裂紋和分層現(xiàn)象，需要超聲波掃描顯微鏡（ C-SAM ）或通過(guò)與芯片底面平行的 切片（ Flatsection ）結(jié)合顯微鏡才能觀察到，這給檢查此 類缺陷增加了難度。底部填充材料和芯片之間的分層往往發(fā)生在應(yīng)力最大 器件的四個(gè)角落處或填料與焊點(diǎn)的界面
總結(jié)：倒裝芯片在產(chǎn)品成本，性能及滿足高密度封裝等方面 體現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)，它的應(yīng)用也漸漸成為主流。
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