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透過軟件仿真分析，該團(tuán)隊(duì)了解射出壓縮制程對(duì)于塑料成型的整體影響，驗(yàn)證新制程的可行性，確保產(chǎn)品尺寸精度。

臺(tái)積電還推出了5nm的新版本－N5A制程，目標(biāo)在于滿足汽車應(yīng)用對(duì)于運(yùn)算能力日益增加的需求。蘋果和高通是臺(tái)積電5nm制程的最大客戶，此外，AMD也在爭(zhēng)取臺(tái)積電的5nm訂單，于2021年開始出貨。至于聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)、比特大陸等客戶，也都在后邊排隊(duì)等候臺(tái)積電的5nm產(chǎn)能。三星的低功耗版本5LPE性能比7nm提升了10％，而在相同的時(shí)鐘和復(fù)雜度下，功耗可降低20％。

研究目標(biāo) 以模擬工具左證新制程的實(shí)驗(yàn)結(jié)果 改善抽芯技術(shù)的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)解決方案利用Moldex3D模擬MuCell?抽芯制程，從微觀角度了解其氣泡形態(tài)(包括氣泡大小及密度)及產(chǎn)品密度效益 具備發(fā)泡行為預(yù)測(cè)能力 優(yōu)化制程參數(shù)，提升生產(chǎn)質(zhì)量案例研究為了生產(chǎn)比傳統(tǒng)發(fā)泡制程膨脹率高的產(chǎn)品，京都大學(xué)團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了新穎的微細(xì)發(fā)泡制程。

臺(tái)塑XX之前即與中方合作，本次目標(biāo)為將新廠關(guān)鍵制程參數(shù)連線至中方AIQ系統(tǒng)，并由中方SPC系統(tǒng)將檢驗(yàn)站自動(dòng)檢驗(yàn)數(shù)據(jù)分析后，將Q異常與P制程參數(shù)透過工單+批號(hào)+站別信息結(jié)合讓現(xiàn)場(chǎng)工程人員可找出異常時(shí)關(guān)鍵參數(shù)變化的模式與數(shù)據(jù)，提供主管提升制程能力的科學(xué)化數(shù)據(jù)。要做到上述目標(biāo)作法為：結(jié)合臺(tái)塑XX數(shù)據(jù)庫，啟動(dòng)資料收集將制程參數(shù)變化數(shù)值導(dǎo)入AIQ數(shù)據(jù)庫。

經(jīng)六次取樣，傳統(tǒng)制程與射壓制程的平均光照度分別為299Lux和321Lux，射壓制程的光照度獲得7.35%提升。最后使用光彈條紋量測(cè)機(jī)臺(tái)進(jìn)行光彈條紋的驗(yàn)證。從圖九可發(fā)現(xiàn)，模流分析和實(shí)際實(shí)驗(yàn)結(jié)果高度吻合，也證明Moldex3D對(duì)光彈條紋預(yù)測(cè)分析準(zhǔn)確度十分準(zhǔn)確。由以上量測(cè)結(jié)果可證明，Moldex3D的分析與實(shí)際試模結(jié)果有高度一致性，有助于驗(yàn)證新制程是否有助于開發(fā)復(fù)合式棱鏡。

面對(duì)最近的 SMT 制程診斷（如圖 47、圖 48），我們只會(huì)說：改善無止境、更上一層樓。

現(xiàn)今塑料產(chǎn)品的制造，多材質(zhì)射出成型(MCM)制程已經(jīng)廣泛地被應(yīng)用于多元化的塑料件設(shè)計(jì)與制程。MCM制程主要是利用兩種或多種材料，或使用相同的材料但不同的顏色，或是以回收材料和原料混合射出注入模具內(nèi)來生產(chǎn)產(chǎn)品。利用此制程生產(chǎn)出的產(chǎn)品不僅融合了多種顏色，還可具備多種功能，比如皮層/核心層等三明治結(jié)構(gòu)的組合。然而， 于現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)中應(yīng)用MCM制程，還是必須面臨許多的問題與挑戰(zhàn)。

透過精準(zhǔn)的模擬可以預(yù)測(cè)及解決重大成型問題，將有助于產(chǎn)品質(zhì)量提升，更可以有效地預(yù)防潛在缺陷；藉由模擬優(yōu)化達(dá)到優(yōu)化設(shè)計(jì)，并縮減制造成本和周期。

效益提供前所未有的兩階段CAE模擬方法，賦予業(yè)界模擬鋪覆及壓縮片狀復(fù)合材料的能力精準(zhǔn)的纖維排向預(yù)測(cè)能力加速產(chǎn)品開發(fā)時(shí)程，降低成本案例研究本案例中，北美Toyota研究中心(TRINA) 針對(duì)含碳纖維的熱塑性片狀預(yù)浸材(SMC)進(jìn)行研究。此片材由不連續(xù)長纖維所構(gòu)成。由于片材在壓縮成型制程結(jié)束后，較容易維持原始長纖結(jié)構(gòu)，因此受到TRINA研究員的青睞。

通過整合智能化的數(shù)字、模擬與驗(yàn)證流程，先進(jìn)的 3D Multi-Die 設(shè)計(jì)能力，以及光?電協(xié)同設(shè)計(jì)能力，新思科技正在幫助開發(fā)者提升多物理場(chǎng)分析結(jié)果的質(zhì)量，并加速從芯片到系統(tǒng)的開發(fā)周期，以應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的 AI 與高性能計(jì)算設(shè)計(jì)需求。臺(tái)積公司先進(jìn)的制程與封裝技術(shù)，正在為 AI 與自動(dòng)化系統(tǒng)在性能、帶寬和能效方面開辟全新空間。

透過壓縮成型制程的模擬分析，將能全面控制關(guān)鍵成型問題，如晶粒封裝效率、錫球變化及金線打線優(yōu)化，以提升電子與尺寸設(shè)計(jì)更精密的產(chǎn)品質(zhì)量。晶圓級(jí)封裝非導(dǎo)電性黏著底部填膠 (Underfill)底部填膠技術(shù) (Underfill) 是覆晶封裝成型 (Flip-Chip) 的制程之一。底部填膠區(qū)域夠薄以進(jìn)行毛細(xì)應(yīng)用，且沿著芯片的一側(cè)或兩側(cè)的周圍進(jìn)行環(huán)氧塑料放置。

以往當(dāng)用戶采用iMFLUX制程進(jìn)行產(chǎn)品生產(chǎn)時(shí)，需透過試誤的方式尋找適當(dāng)之射出壓力，若要用PFA控制時(shí)，如何在生產(chǎn)前選擇合適傳感器位置，對(duì)用戶而言一直是頭疼的挑戰(zhàn)?，F(xiàn)在使用者可透過Moldex3D中iMFLUX的仿真功能，評(píng)估其優(yōu)勢(shì)，并考慮是否導(dǎo)入此制程。當(dāng)導(dǎo)入此制程后，Moldex3D的模擬能力可幫助使用者找到最佳成型壓力、模內(nèi)壓力傳感器的位置與分析不同PFA控制的效果。

由于影響封裝質(zhì)量的變因項(xiàng)目會(huì)隨著制程復(fù)雜度增長，也使得研發(fā)階段尋求優(yōu)化方案的難度提升；此外，IC封裝材料以及所使用的相關(guān)組件均價(jià)格不斐，因此在封裝研發(fā)的階段若能以透過CAE分析取代實(shí)驗(yàn)試誤、及早找到最佳方案，便能大幅減少材料及運(yùn)送等成本。

共射出成型制程具有皮層料和核心料的結(jié)構(gòu)；先將皮層料注入模穴中，接著為核心料，最后再補(bǔ)上皮層料包復(fù)核心料，因此產(chǎn)品的外觀可以使用不同材料得到變化。共射出成型制程此特色被廣泛用在粉碎和回收塑料上，將回收的塑料再用于第二射的核心塑料使用，對(duì)環(huán)境和成本帶來許多效益。此外，該制程能夠以高沖擊塑料作為核心材料提升產(chǎn)品強(qiáng)度和效能。

納米片最受關(guān)注的特點(diǎn)，就是其四面環(huán)繞的閘極架構(gòu)，藉此可以大幅提升對(duì)通道的靜電控制能力，但叉型片卻似退了一步，改成三面閘極架構(gòu)。盡管如此，imec在上述實(shí)驗(yàn)中將納米片與叉型片共同整合在同片晶圓上，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，叉型片在閘極長度為20nm的情況下，展現(xiàn)了可與納米片媲美的短通道控制能力（SS SAT＝66-68mV）。

這個(gè)特殊制程可以成功協(xié)助業(yè)者大幅降低二次機(jī)械加工成本。挑戰(zhàn)脫蠟精密鑄造主要涵蓋六個(gè)步驟：1)蠟經(jīng)過射出成型成蠟?zāi)?2)蠟?zāi)K合成蠟樹3)形成殼模 4)脫蠟 5)將金屬液注入殼模后凝固 6)敲破殼模得到鑄件毛胚。蠟?zāi)５耐庥^和尺寸會(huì)直接影響殼模能否生產(chǎn)合乎規(guī)格的鑄件，此外蠟?zāi)Ｉa(chǎn)的效率也會(huì)影響大量鑄造的能力。

短期內(nèi)，智能駕駛無法成為智能電車發(fā)展重點(diǎn)的主要原因：①缺少芯片代工：雖然我國有先進(jìn)制程的設(shè)計(jì)能力和封測(cè)能力，但先進(jìn)制程的生產(chǎn)制造水平落后，缺少掌握先進(jìn)工藝的芯片代工廠，高性能芯片供給受約束。②缺少算法算力：盡管以地平線、海思為代表的國產(chǎn)芯片廠商具備大算力優(yōu)勢(shì)，但整體來看，仍難以滿足由傳感器數(shù)量提升帶來的爆發(fā)式增長的算力需求。

所以冷卻時(shí)間條件的設(shè)定對(duì)于射出產(chǎn)品的質(zhì)量與制程上的穩(wěn)定性影響很大。 目前利用CAE 的冷卻分析結(jié)果，對(duì)于塑料在模穴內(nèi)的冷卻熱交換機(jī)制，已能提供相當(dāng)多且正確的參考信息，藉由CAE 分析結(jié)果來取的正確的冷卻時(shí)間條件設(shè)定將可協(xié)助射出現(xiàn)場(chǎng)加工進(jìn)行穩(wěn)定的生產(chǎn)且可提升產(chǎn)品的質(zhì)量。 在上圖中可以注意到某些尺度對(duì)冷卻時(shí)間的變化，會(huì)比其他尺度的變化來的敏感。

相較N3E，在相同功率下，速度提升10%至15%；在相同速度下，功耗降低25%至30%。魏哲家保證，臺(tái)積電2納米制程2025年量產(chǎn)，「會(huì)是最領(lǐng)先且最好的技術(shù)」。特殊制程規(guī)劃特殊技術(shù)廣泛應(yīng)用于射頻、微控制器（MCU）、影像感測(cè)器、電源管理芯片及顯示器等領(lǐng)域。