在NFC仿真、無(wú)線(xiàn)充電仿真、RFID仿真等應(yīng)用中，為了準(zhǔn)確讀取特性位置得電場(chǎng)E和磁場(chǎng)H的具體值，不能粗略的觀(guān)察輻射場(chǎng)云圖，必須要有精確的量化數(shù)據(jù)，HFSS提供了兩種方法，可以準(zhǔn)確讀取近場(chǎng)-電磁和磁場(chǎng)的值，具體可以見(jiàn)視頻講解。

入射光是線(xiàn)偏振光，電場(chǎng)E在入射平面內(nèi)偏振（TM偏振）。介質(zhì)1是空氣（n1 = 1），介質(zhì)2的折射率 n2 是 2.4。假設(shè)入射光波長(zhǎng)為 500 nm，計(jì)算不同入射角 θi 下的透反射率。 理論上的反射率和透射率可以用以下公式（菲涅爾公式）來(lái)解析計(jì)算，檢查模擬結(jié)果是否符合理論值。

入射光是線(xiàn)偏振光，電場(chǎng)E在入射平面內(nèi)偏振（TM偏振）。假設(shè)入射光波長(zhǎng)為500 nm，入射角θi = 45°，介質(zhì)1是空氣（n1 = 1），介質(zhì)2的折射率n2是7.5。 a. 使用一個(gè)面內(nèi)（xz平面）監(jiān)視器來(lái)粗略地查看反射角和折射角，看它們是否符合反射和折射定律（Snell定律）； b. 使用兩個(gè)面外監(jiān)視器來(lái)得到反射率R和透射率T（即反射的光功率和透射的光功率）； c.