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其核心思想是將多個(gè)半導(dǎo)體芯片（業(yè)內(nèi)常稱為“芯粒”）通過兩種方式組合：要么并排布置在同一個(gè)中介層上（稱為2.5D-IC），要么垂直堆疊起來（稱為3D-IC）。這些芯粒之間依靠硅通孔（TSV）和硅中介實(shí)現(xiàn)互連。TSV是穿過硅中介的垂直導(dǎo)電通道，如同打通各層之間的“電梯”，能夠顯著縮短互連長(zhǎng)度、降低寄生電容、提高信號(hào)帶寬，從而提升系統(tǒng)整體性能。

如果在芯片設(shè)計(jì) 階段，就將大規(guī)模的 SoC 按照不同的功能模塊分解為一個(gè)個(gè)的芯粒，那么部分芯粒則可以做到類似模塊化的設(shè)計(jì)，而且可以重復(fù)運(yùn)用在不同的芯片產(chǎn)品當(dāng)中。這樣可以極大降低芯片設(shè)計(jì)的難度和設(shè)計(jì)成本， 同時(shí)也有利于后續(xù)產(chǎn)品的迭代，加速產(chǎn)品的上市周期。

3D-IC技術(shù)是指用于多芯片集成電路的一系列封裝技術(shù)，其中多個(gè)半導(dǎo)體芯片（稱為“芯粒”）彼此靠近（2.5D-IC）或相互疊放（3D-IC）。這些芯粒（Chiplet）使用帶硅通孔（TSV）的硅中介進(jìn)行互連，這些通孔穿過硅中介并實(shí)現(xiàn)所有層之間的連接。TSV可提供更短的互連長(zhǎng)度、更低的寄生電容和更高的帶寬，從而提高系統(tǒng)性能。

這些技術(shù)通過異構(gòu)芯粒、硅中介層和復(fù)雜多層布線實(shí)現(xiàn)更高性能與集成度。然而，由于電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（ECAD）數(shù)據(jù)規(guī)模龐大且結(jié)構(gòu)復(fù)雜，這種技術(shù)演進(jìn)給建模、仿真和可靠性評(píng)估帶來了重大挑戰(zhàn)。01現(xiàn)代 ECAD 模型日益增長(zhǎng)的復(fù)雜性現(xiàn)代 IC 封裝在多層布線中涉及數(shù)千條網(wǎng)絡(luò)，并采用多種具有不同物理特性的材料，導(dǎo)致 ECAD 數(shù)據(jù)集極為龐大，難以管理與分析。

摩爾定律剛提出的時(shí)候，我想摩爾本人也不相信在不到芝麻粒大小的一平方毫米，可以集成超過一億只以上的晶體管~~目 錄一. 以三維的視角設(shè)計(jì)集成電路二. 對(duì)EDA工具的新要求三. Cubic IC 設(shè)計(jì)方法學(xué)四. 關(guān)于李特思空間 LITS 的描述五. 關(guān)于有效功能體積 EFV 的描述六. Cubic IC 和 3D Chiplet 的區(qū)別七.

宏觀模型是一種自上而下的建模思想，它考慮了基于傅里葉方程的更微觀的物理過程，并通過建立相應(yīng)的數(shù)學(xué)模型來描述微納米尺度上傳熱的非傅里葉效應(yīng)。宏觀模型(一般稱為廣義傅立葉定律)包括聲子流體動(dòng)力學(xué)模型、雙相位滯后模型、彈道擴(kuò)散模型、熱氣體模型和粘性熱模型。