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《碳化硅產業鏈深度解析》-樂晴智庫精選3.《第三代半導體碳化硅行業深度研究報告》-中信建投證券

借助高壓IGBT方案，比亞迪將e平臺旗下車型的電壓提升至了600V以上，唐更是達到了700V。 在漢EV上，已經配備了比亞迪自研的SiC功率器件。所以對于比亞迪來說，接下來推出800V甚至1000V平臺的車型也只是水到渠成的事情。

碳化硅據上海汽車報報道，碳化硅用在車用逆變器上，在相同功率等級下，全碳化硅模塊的封裝尺寸顯著小于硅模塊，同時也可以使開關損耗降低75％。在相同的封裝下，全碳化硅模塊具備更高的電流輸出能力，支持逆變器達到更高功率。對于車載充電器和快速充電樁，碳化硅半導體與傳統硅器件相比，在充電過程中減少了能量損失，也減少了所需電容和電感的數量。

永磁發電機難以從外部調節其輸出電壓和功率因數，永磁直流電動機不能再用改變勵磁的辦法來調節其轉速。這些使永磁電機的應用范圍受到了限制。但是，隨著MOSFET、IGBT等電力電子器件和控制技術的迅猛發展，大多數永磁電機在應用中，可以不必進行磁場控制而只進行電樞控制。設計時需要把稀土永磁材料、電力電子器件和微機控制三項新技術結合起來，使永磁電機在嶄新的工況下運行。

靜態電荷周圍的電場用矢量場進行描述。在每個點上，矢量的振幅描述了電場的強度，而其方向描述了電場的方向。根據慣例，電場強度的方向與正電荷的受力方向相同，而與負電荷的受力方向相反。因此，電場總是從正電荷流向負電荷。

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