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許多亞波長(zhǎng)吸聲材料或設(shè)備是基于諧振結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)的，如裝飾膜諧振器、亥姆霍茲諧振器。帶有背腔的傳統(tǒng)微孔板也是低頻吸聲器的良好候選者。研究?jī)?nèi)容：提出了一種基于微穿孔板和卷曲法布里-珀羅通道的混合聲學(xué)超材料吸收器，它可以有效地吸收非常低頻率（<500 Hz）的入射聲波能量，具有較寬的相對(duì)吸收帶寬。

本案例為鈉基干法脫硫+布袋除塵器工藝，袋除塵器前設(shè)置SDS反應(yīng)器，反應(yīng)器采用內(nèi)外套筒式，以增加煙氣及小蘇打在管道中的混合時(shí)間；靜態(tài)混合器分螺旋葉片式：在煙道內(nèi)安裝固定螺旋葉片，強(qiáng)制煙氣產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)流動(dòng)，延長(zhǎng)停留時(shí)間（可增加0.5~2秒），適用于中小流速（8~15m/s）。優(yōu)化參數(shù)一般為：葉片傾角（30°~60°）、葉片數(shù)量（3~6片）、重疊率（20%~40%）。

本案例基于COMSOL軟件建立了T型結(jié)構(gòu)和螺旋微通道模型，基于多物理場(chǎng)耦合模塊仿真得到了T型接頭入口處兩種溶液流入后的混合流動(dòng)過(guò)程，模型及仿真結(jié)果如圖所示： 感興趣的朋友，歡迎合作交流！

上面的掃描表明，對(duì)于微透鏡中心和光纖之間 300μm 的給定距離，曲率半徑約為 500μm 時(shí)達(dá)到最大耦合效率。然后將微透鏡的曲率半徑設(shè)置為 500μm。公差分析微尺度耦合器設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)高光纖-波導(dǎo)耦合效率，其效率通常對(duì)錯(cuò)位非常敏感。在封裝中，滿足所需的對(duì)準(zhǔn)公差具有挑戰(zhàn)性且成本高昂。雖然可以注意到它會(huì)導(dǎo)致峰值耦合效率降低，放寬對(duì)準(zhǔn)容差的常見(jiàn)方法是在微尺度耦合器中添加透鏡。

<p>本期文章將介紹一種集成微透鏡輔助光柵耦合器（ML-VGC）的設(shè)計(jì)，以提高垂直入射條件下的耦合效率^[1]。利用熱回流工藝將微透鏡集成到一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的220nm的絕緣體上硅（SOI）光柵耦合器，這種集成方法在操縱垂直入射光的投射角方面提供了更大的靈活性，使其與底層光柵的最佳耦合角對(duì)準(zhǔn)，從而有效地提高器件的總體耦合效率（CE）。

圖4 （a）ML-VGC的電場(chǎng)分布圖；（b）不同結(jié)構(gòu)耦合效率的數(shù)值比較；（c）微透鏡位置誤差對(duì)耦合效率的影響；（d）微透鏡高度誤差對(duì)耦合效率的影響總結(jié)與展望本文介紹了一種微透鏡輔助光柵耦合器的設(shè)計(jì)，以提高垂直入射條件下的耦合效率。微透鏡通過(guò)熱回流工藝制造，集成到淺蝕刻切趾光柵耦合器上。通過(guò)操縱垂直入射光的透射角，微透鏡有效地將入射角與下面的光柵的耦合角對(duì)準(zhǔn)。

，分析SDS反應(yīng)器內(nèi)小蘇打顆粒的分布狀態(tài)，并添加相應(yīng)的擾流措施來(lái)確保小蘇打又好又快地與煙氣混合均勻。

摘要近幾十年來(lái)，CMOS傳感器的像素尺寸已經(jīng)從~10μm縮小到~2μm，甚至更小。通過(guò)減小像素尺寸，可以獲得更高的空間分辨率。同時(shí)，這也給每個(gè)像素上微透鏡的功能帶來(lái)了問(wèn)題。在本例中，我們研究了像素尺寸等于或低于2μm的CMOS傳感器的性能。采用嚴(yán)格的FMM/RCWA進(jìn)行仿真，以驗(yàn)證微透鏡的有效性。

集成微透鏡陣列的CMOS傳感器分析 通過(guò)連續(xù)減小CMOS傳感器的像素尺寸，近幾十年來(lái)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了越來(lái)越好的空間分辨率，并且這種趨勢(shì)有望繼續(xù)。但是，這便將關(guān)注點(diǎn)放到位于每個(gè)像素頂部的微透鏡上。當(dāng)像素尺寸接近波長(zhǎng)時(shí)，微透鏡是否仍可以按預(yù)期聚焦光線？我們?cè)谶x定的示例中使用VirtualLab Fusion研究了此問(wèn)題。

二、性能差異的核心指標(biāo)： 選擇微壓差傳感器時(shí)，應(yīng)關(guān)注以下關(guān)鍵性能指標(biāo)： 1.量程:確定所需測(cè)量的壓差范圍。 2.精度:影響測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性，通常以%FS(滿量程)表示。 3.分辨率:傳感器能檢測(cè)到的最小壓差變化。 4.穩(wěn)定性:長(zhǎng)期工作條件下輸出值的漂移程度。 5.響應(yīng)時(shí)間:傳感器對(duì)壓差變化的反應(yīng)速度。

集成微透鏡陣列的CMOS傳感器分析 使用嚴(yán)格的FMM / RCWA，我們模擬了像素大小等于或小于2 μm的CMOS傳感器，尤其是研究了微透鏡的有效性。

附件下載聯(lián)系工作人員獲取附件在本案例中，我們演示了使用微透鏡和端面耦合器進(jìn)行光纖到光子芯片的耦合。我們引入 Zemax OpticStudio以解決實(shí)際錯(cuò)位情況下通過(guò)微光學(xué)元件的傳播問(wèn)題。作為演示，我們?cè)谡l件下通過(guò)各個(gè)步驟查看功率損耗，然后進(jìn)行非理想情況、自定義選項(xiàng)和復(fù)雜的公差研究。

摘要近幾十年來(lái)，CMOS傳感器的像素尺寸已經(jīng)從~10μm縮小到~2μm，甚至更小。通過(guò)減小像素尺寸，可以獲得更高的空間分辨率。同時(shí)，這也給每個(gè)像素上微透鏡的功能帶來(lái)了問(wèn)題。在本例中，我們研究了像素尺寸等于或低于2μm的CMOS傳感器的性能。采用嚴(yán)格的FMM/RCWA進(jìn)行仿真，以驗(yàn)證微透鏡的有效性。

摘要 近幾十年來(lái)，CMOS傳感器的像素尺寸已經(jīng)從~10μm縮小到~2μm，甚至更小。通過(guò)減小像素尺寸，可以獲得更高的空間分辨率。同時(shí)，這也給每個(gè)像素上微透鏡的功能帶來(lái)了問(wèn)題。在本例中，我們研究了像素尺寸等于或低于2μm的CMOS傳感器的性能。采用嚴(yán)格的FMM/RCWA進(jìn)行仿真，以驗(yàn)證微透鏡的有效性。

摘要在最近的幾十年里，COMS傳感器的像素尺寸由最初大于10um以發(fā)展至2um，甚至更小。通過(guò)減小像素尺寸以獲得更高的空間分辨率。與此同時(shí)，這也為覆蓋在每個(gè)像素上的微透鏡的功能帶來(lái)了疑問(wèn)。在此示例中，我們研究了像素大小等于或小于2um CMOS傳感器的性能。 并在仿真分析中采用嚴(yán)格的FMM / RCWA以檢測(cè)微透鏡的有效性。 2.

2025 R2 最新功能，包括多 GPU 增強(qiáng)，RCWA 求解器增強(qiáng)等功能，同時(shí)將會(huì)帶來(lái)微環(huán)調(diào)制器的仿真優(yōu)化全流程介紹。

對(duì) Ansys Lumerical｜針對(duì) Grating coupler 的仿真分析方法中的FDTD 項(xiàng)目文件進(jìn)行了修改，以便光從波導(dǎo)傳播并由場(chǎng)監(jiān)視器收集，而不是直接耦合到光纖上。 對(duì)于沒(méi)有微透鏡的情況，代表光纖平面的場(chǎng)監(jiān)視器被放置在硅層中，微透鏡在氧化層的頂部形成。

在文丘里下游的錐段區(qū)域，設(shè)置有專(zhuān)用噴槍用于向流場(chǎng)中噴射漿液，借助氣流的高速動(dòng)能實(shí)現(xiàn)漿液的初次霧化與摻混，促使?jié){液與煙氣在此處進(jìn)行充分混合。混合后的氣液兩相流隨后進(jìn)入直管段，在此繼續(xù)進(jìn)行反應(yīng)過(guò)程。為確保漿液在直管段進(jìn)口處具備良好的反應(yīng)條件，關(guān)鍵是要保證漿液粒子在進(jìn)入直管段時(shí)分布足夠均勻，即粒子濃度場(chǎng)和速度場(chǎng)在流通截面上實(shí)現(xiàn)均質(zhì)化。

ARM Cortex-M3是一款專(zhuān)為嵌入式系統(tǒng)優(yōu)化的32位RISC（精簡(jiǎn)指令集）處理器內(nèi)核，基于 ?ARMv7-M架構(gòu)?，廣泛應(yīng)用于STM32、GD32等微控制器中。Cortex-M3通過(guò)?哈佛流水線、雙堆棧、NVIC中斷、Thumb-2指令集?等機(jī)制，在?實(shí)時(shí)性、低功耗、代碼密度?之間取得平衡，成為32位微控制器領(lǐng)域的主流架構(gòu)。

本示例演示了如何使用Ansys optiSLang 來(lái)驅(qū)動(dòng)Lumerical 不同求解器實(shí)現(xiàn)微環(huán)調(diào)制器的仿真自動(dòng)化以及使用 optiSLang 的多目標(biāo)優(yōu)化能力實(shí)現(xiàn)微環(huán)調(diào)制器 Q 因子和調(diào)制效率的最佳化仿真。