後表面可以是平面、球面、圓錐面、多項式非球面或環(huán)形表面。這使得陣列中透鏡元件表面形狀的定義和優(yōu)化具有了極大的靈活性。下圖顯示了透鏡陣列1物體,它是由7 x 5個矩形透鏡組成的透鏡陣列,每個矩形透鏡都可以看作一個球面透鏡的矩形區(qū)域。其它可以用於該應(yīng)用程式的物體包括透鏡陣列2物件和六邊形透鏡陣列(Hexagonal Lenslet Array)物件。
由于使用了不同的成長材料,還產(chǎn)生了相應(yīng)的晶隔不匹配問題,致使傳統(tǒng)的CMOS制程不再適用。在采用多層架構(gòu)的堆棧中,硅鍺是犧牲層,在除去替代金屬閘極(replacement metal gate;RMG)并釋出通道的步驟中會被移除。接著,整個堆棧會進行圖形化,制成高深寬比的鰭片,因此如何確保納米片的構(gòu)形就是個挑戰(zhàn)。