首先,在襯底上面制作一個超薄的埋氧層。然后,用一個非常薄的硅膜制作晶體管溝道。因?yàn)闇系婪浅1。瑹o需對通道進(jìn)行摻雜工序,耗盡層充滿整個溝道區(qū),即全耗盡型晶體管。 從結(jié)構(gòu)上看,F(xiàn)D-SOI晶體管的靜電特性優(yōu)于傳統(tǒng)體硅技術(shù)。埋氧層可以降低源極和漏極之間的寄生電容,還能有效地抑制電子從源極流向漏極,從而大幅降低導(dǎo)致性能下降的漏電流。
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第三代半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新孵化中心 ??? 2年前