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帖子 反向循環荷載下十字形連接鋼架結構的分析
為進一步驗證iSolver在復雜荷載條件下的分析能力,本文將使用iSolver對十字形連接的鋼架結構進行反向循環載荷分析,并與Abaqus的計算結果進行對比,驗證其計算精度和穩定性。二 算例描述本算例研究的是一個十字形連接的鋼架結構,目標是計算該結構在一對反向循環載荷下的力學響應。反向循環荷載在許多實際工程中具有廣泛的應用,如橋梁、管道連接以及結構抗震分析等。
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Johnny1688 ??? 1年前
反向循環荷載下十字形連接鋼架結構的分析
帖子 Ansys Workbench制作ACT插件實現,快速框選element faces單元的功能
問題: Ansys workbench的框選功能只能按住Ctrl增加選項,卻沒有反向選擇框選減少的功能!!!Ansys workbench的connect創建連接非常方便,但是很多時候幾何面的區域和實際想要做連接的區域大相徑庭。這個時候一個較好的連接區域選擇方法是使用element Faces進行連接區域的定義。
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cae_lizh ??? 12月前
Ansys Workbench制作ACT插件實現,快速框選element faces單元的功能
帖子 Oasys Suite17.1+JFOLD折疊氣囊插件
Oasys Suite的17.1包括PRIMER,D3PLOT,T / HIS,REPORTER和SHELL的錯誤修復,并已通過我們的QA程序進行了全面測試。
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。_4783 ??? 3年前
Oasys Suite17.1+JFOLD折疊氣囊插件
帖子 干貨 | 詳細講解開關電源八大處損耗
低功耗應用中,替代快恢復二極管的一種選擇是肖特基二極管,這種二極管的恢復時間幾乎可以忽略,反向恢復電壓VF 也只有快恢復二極管的一半(0.4V 至1V),但肖特基二極管的額定電壓和電流遠遠低于快恢復二極管,無法用于高壓或大功率應用。另外,肖特基二極管與硅二極管相比具有較高的反向漏電流,但這些因素并不限制它在許多電源中的應用。
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電子工程世界EEWorld ??? 3年前
干貨 | 詳細講解開關電源八大處損耗
帖子 Simcenter STAR-CCM + 3D-CAD中的離心風機參數化示例
圖11 離心風機幾何第5步,反向掃掠/向前掃掠和徑向葉片5.1. 只需為特征樹中的蝸殼體創建鏡像變換,就可以使離心式風扇反向掃掠/向前掃掠。該變形是在蝸殼的拉伸操作之后產生的,可以被抑制以得到向前掃掠葉片,而未被抑制得到反向掃掠葉片。需要改變旋轉方向以改變反向掃掠葉片的物理設置。5.2.
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aero-engine ??? 2年前
Simcenter STAR-CCM + 3D-CAD中的離心風機參數化示例
帖子 UG編程實例教程—草圖之草圖基準設置
草圖方向:X軸方向是可以選擇線體來作為x軸方向,參考里有兩種類型水平和豎直,水平指選擇的線體與x方向平行,豎直指選擇線體與x方向垂直水平情況,選擇線體和x方向平行豎直情況,x方向與選擇參考方向垂直草圖平面:利用反向修改y方向,y與x垂直,當x確定后草圖原點利用點構造器設置草圖原點位置,這個草圖原點位置確定了x和y基準軸位置
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張偉一 ??? 3年前
UG編程實例教程—草圖之草圖基準設置
帖子 功率器件AEC-Q101如何選擇測試項目?認證準備及流程有哪些?
AEC-Q101標準將試驗項目分為5個大組,以某型號SOT23封裝的MOSFET為例,AECQ101認證應選擇哪些測試項目和條件,以及不選擇此項目的原因說明,以下是按組介紹需要測試項目的清單。
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falab ??? 2年前
功率器件AEC-Q101如何選擇測試項目?認證準備及流程有哪些?
帖子 數控機床加工精度受哪些因素的影響?
不同零件選擇的切削參數實際應用方式也會不一樣,這些不一樣將會影響到加工件的精度、尺寸和粗糙程度等。因此,在使用數控銑床加工零件之前,必須綜合使用的設備、工具與標記零件尺寸的圖紙等,理性的選擇零件加工時所需要的必要零件。
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2103707493 ??? 2年前
數控機床加工精度受哪些因素的影響?
帖子 功率MOSFET教程
它是一種連續升壓模式,因此沒必要用有更快反向恢復體二極管的FREDFET;用MOSFET的效果也將會很好。你會選那種器件呢? 既然是一個關于高頻的應用,功率MOS 7型將是最好的選擇,讓我們看一下APT50M75B2LL,它的電流能力為57A,比所需開關電流的3倍還多,在高頻開關和硬開關的考慮中應該是優先考慮的。
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平頭叔 ??? 4年前
功率MOSFET教程
帖子 干貨 | 詳解MOS管和IGBT的區別
4、選擇MOS管,還是IGBT? 在電路中,選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結出以下幾點: 也可從下圖看出兩者使用的條件,陰影部分區域表示MOSFET和IGBT都可以選用,“?”
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電子元器件超市 ??? 4年前
干貨 | 詳解MOS管和IGBT的區別
帖子 干貨 | 詳解MOS管和IGBT的區別
4、選擇MOS管,還是IGBT? 在電路中,選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結出以下幾點: 也可從下圖看出兩者使用的條件,陰影部分區域表示MOSFET和IGBT都可以選用,“?”
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電子工程世界EEWorld ??? 4年前
干貨 | 詳解MOS管和IGBT的區別
帖子 MOS管和IGBT管有什么區別?
選擇MOS管還是IGBT?在電路中,選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結出以下幾點:也可從下圖看出兩者使用的條件,陰影部分區域表示MOSFET和IGBT都可以選用,“?”表示當前工藝還無法達到的水平。
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凡億PCB ??? 3年前
MOS管和IGBT管有什么區別?
帖子 讀懂自動駕駛卷積神經網絡的數學原理
最大池化(max pooling)的例子 池化層反向傳播 我們在這篇文章中只討論最大池化反向傳播,但是我們學到的規則是適用于所有 類型的池化層——的只需要做微小的調整即可。因為在這種層中,我們沒有任何必須更新的參數,所以我們的任務就是合適地分配梯度。我們記得,在最大池化的前向傳播中,我們選擇的是每個區域的最大值,并將它傳遞到了下一層。
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駕駛哥 ??? 4年前
讀懂自動駕駛卷積神經網絡的數學原理
帖子 MOS管和IGBT的區別
4、選擇MOS管,還是IGBT? 在電路中,選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結出以下幾點: 也可從下圖看出兩者使用的條件,陰影部分區域表示MOSFET和IGBT都可以選用,“?”
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平頭叔 ??? 4年前
MOS管和IGBT的區別
帖子 什么是神經網絡?
它使用存儲單元和門選擇性地讀取、寫入和擦除信息。神經網絡的簡單實現代碼案例?
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仿真資料吧 ??? 1年前
什么是神經網絡?
帖子 RP系列 激光分析設計軟件 | 光纖放大器與激光器建模第五部分
對于左端 148 mW 的信號功率,右端的信號功率與選擇的 10% 的輸出耦合器反射率一致。圖 4: 摻鐿光纖激光器中的泵浦和信號功率。由于光纖激光器通常沒有那么高的信號增益,ASE(或至少它對能級激發的影響)通常可以忽略不計。其他算法不幸的是,由于在多個反向傳播波的情況下難以找到多維根,解釋的相對簡單的數學技巧并不總是合適的。
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墨光科技 ??? 3年前
RP系列 激光分析設計軟件 | 光纖放大器與激光器建模第五部分
帖子 定子鐵心混合疊壓再制造電機的齒槽轉矩分析
反向斜槽數為0.75與正向斜槽數為0.25相比,齒槽轉矩略小,空載電動勢幅值較大,諧波畸變率較小,因此反向斜槽在有效減小電機齒槽轉矩的同時,能保證更好的電機性能。
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EDC電驅未來 ??? 4年前
定子鐵心混合疊壓再制造電機的齒槽轉矩分析
帖子 Ansys Lumerical|RCWA求解器原理、設置與應用場景詳解
概述這篇文章介紹了: 如何使用 RCWA 求解器分析周期性多層結構(如光子晶體、衍射光柵)的光學響應; RCWA 求解器的原理:在傅里葉域中劃分均勻層,并通過 S 矩陣雙向傳播計算透射、反射及各個光柵階的功率; 如何設置入射平面波的傳播方向(X/Y/Z 軸)、角度(θ/?)和偏振(s/p),以及反向傳播的兩種模式(鏡像 k 矢量和反向 k 矢量); 對比 RCWA
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宇熠科技 ??? 6天前
Ansys Lumerical|RCWA求解器原理、設置與應用場景詳解
帖子 LS-Prepost 選擇過濾器的說明 附Ls-prepost數據導出教程下載
Deselect: 取消上一步的選擇 Whole: 全部選擇 Active: 只選擇激活的單元和節點,也就是當前顯示的單元和節點 Reverse: 反向選擇 03
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人類使徒 ??? 4年前
LS-Prepost 選擇過濾器的說明 附Ls-prepost數據導出教程下載
帖子 Ansys Lumerical | 行波 Mach-Zehnder 調制器仿真分析
激光功率和波長的選擇是相對任意的,在這種情況下,我們選擇的值在眼圖中給出可接受的信噪比,眼圖交叉接近50%來運行仿真。選擇眼圖物件并從結果視圖窗口可視化眼圖。從同樣的角度來看,眼圖中的消光比為 4.25 dB。 最后以Interconnect中的電網絡分析器(Electrical Network Analyzer ,ENA)對行波電極進行帶寬分析。
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宇熠科技 ??? 3年前
Ansys Lumerical | 行波 Mach-Zehnder 調制器仿真分析
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