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那么我們的RLC局部寄生參數(shù)的提取，這一小部分的仿真工作就完成了，如果要把整個(gè)IGBT的模型的寄生參數(shù)提取出來(lái)，那這個(gè)工作量是真的不小。沒(méi)有辦法只能一個(gè)一個(gè)來(lái)。九層之臺(tái)，起于壘土。文章來(lái)源：CST電磁兼容性仿真

IGBT校準(zhǔn)案例 Part 1 仿真與測(cè)試的設(shè)置 對(duì)某型號(hào)的IGBT模型進(jìn)行校準(zhǔn)，其結(jié)構(gòu)如圖所示。

本文摘自微信公眾號(hào)：CST電磁兼容性仿真如果對(duì)CST電磁兼容性仿真感興趣的朋友可以關(guān)注或者掃描我的微信公眾號(hào)二維碼最近有同學(xué)問(wèn)小編CST是否可以提取3D模型的局部寄生參數(shù)。其實(shí)CST官方里面寫(xiě)了好幾篇關(guān)于寄生參數(shù)提取的文章。而且CST的library里面也有相關(guān)案例。正好小編最近也在擺弄IGBT的模型。

基于PCB板+IGBT模塊+散熱器總成精細(xì)化熱-固耦合仿真模型，精準(zhǔn)復(fù)現(xiàn)整機(jī)由于各層結(jié)構(gòu)CTE不同導(dǎo)致的“呼吸效應(yīng)”熱變形首先通過(guò)構(gòu)建PCB板+IGBT模塊+散熱器熱-固耦合模型，精準(zhǔn)復(fù)現(xiàn)因CTE差異導(dǎo)致的“呼吸效應(yīng)”熱變形，定位溫度循環(huán)動(dòng)載荷致Pin針焊層疲勞失效的原因；通過(guò)Creo參數(shù)化建模并與Ansys Workbench聯(lián)合，結(jié)合響應(yīng)面優(yōu)化Pin針結(jié)構(gòu)參數(shù)，尋優(yōu)時(shí)間縮至24h內(nèi)

一.技術(shù)參數(shù) 1.分析類型：穩(wěn)態(tài)熱仿真 2.材料：Cooler：ADC12 3.邊界條件：Ambient temperature：85℃ Cooler face temperature:75℃ Air Convention:10W/(m2·K) 4.載荷：IGBT PowerLoss=30W/chip Diode PowerLoss

采用SolidWorks2016版本的流體分析軟件FLOEFD對(duì)功率模塊IGBT進(jìn)行水冷散熱仿真案例，詳細(xì)介紹了軟件操作的步驟及過(guò)程，有助于入門(mén)學(xué)習(xí)及實(shí)際案例操作。附件包含案例操作PPT文件和模型的STP文件。部分文件內(nèi)容截圖如下：

絕緣柵雙極性晶體管模塊（IGBT模塊）因其能夠承受高電壓、導(dǎo)通強(qiáng)電流，同時(shí)快速切換兩種模式，成為大功率系統(tǒng)的熱門(mén)選擇。 該模塊由多個(gè)安裝在銅底板頂部的IGBT芯片組成，底部配有散熱器。在模塊中，電流因電阻損耗而產(chǎn)生熱量，這也被稱為焦耳熱。雖然散熱器以相對(duì)恒定的速率散熱，但模塊的開(kāi)關(guān)以及隨后電流密度和熱源的增減會(huì)導(dǎo)致模塊以循環(huán)的方式加熱和冷卻。

結(jié)語(yǔ)基于EDA仿真驗(yàn)證進(jìn)行芯片研發(fā)的方法在業(yè)內(nèi)已廣泛使用，與集成電路芯片不同，分立器件的研發(fā)由于種類繁多，工藝差異明顯、仿真工具有限等，無(wú)法使用通用的此類方法，而是需要針對(duì)器件或工藝制定具體方法并實(shí)施項(xiàng)目。

摘 要：電機(jī)控制器中的主要散熱器件有電容和IGBT等,其散熱性能直接關(guān)系到電機(jī)的輸出。以控制器中的8個(gè)電容及3個(gè)IGBT為主要熱源,采用有限元分析的穩(wěn)態(tài)熱模塊及流體模塊,分別對(duì)其進(jìn)行溫度仿真分析,分析對(duì)比在使用水冷散熱前后主要發(fā)熱器件的散熱狀態(tài),得出水冷散熱的仿真效果比常態(tài)下的溫度降低約27℃,為實(shí)際產(chǎn)品的設(shè)計(jì)生產(chǎn)提供支撐。

特別是一些關(guān)鍵技術(shù)，比如芯片的生產(chǎn)，光刻機(jī)和刻蝕機(jī)，先進(jìn)封裝，工藝與質(zhì)量，失效分析和仿真等都可以講很多內(nèi)容。歡迎各位專家的指正批評(píng)和補(bǔ)充，我一定會(huì)虛心接受并表示衷心的感謝！</p><p><br></p><p><br></p><p><br></p><p class="ql-align-justify">Ps：①②③④⑤對(duì)應(yīng)的知識(shí)可以在b站查看相關(guān)視頻進(jìn)行了解。

————液冷仿真是電子散熱仿真的重要方面。越來(lái)越復(fù)雜的流道設(shè)計(jì)對(duì)傳統(tǒng)的電子散熱仿真軟件提出了重大挑戰(zhàn)，Simdroid-EC便捷的CAD模型導(dǎo)入功能、快速的流體域網(wǎng)格劃分與查看功能，以及豐富的后處理結(jié)果，為電子散熱行業(yè)注入強(qiáng)大動(dòng)力，能夠幫助用戶快速評(píng)估熱點(diǎn)，提供優(yōu)化建議。申請(qǐng)?jiān)囉肧imdroid-EC

工程上，一般選用強(qiáng)制風(fēng)冷循環(huán)為IGBT、整流橋以及勵(lì)磁線圈等主要發(fā)熱元件進(jìn)行降溫。2 電磁爐散熱仿真模型建立2.1 物理模型仿真以某型號(hào)電磁爐為樣機(jī)，樣機(jī)尺寸為長(zhǎng)度345 mm，寬度280 mm，高度52 mm。散熱片用于為電路板上的兩個(gè)大功率發(fā)熱元件降溫，分別為IGBT和整流橋。

AICFD是由天洑軟件自主研發(fā)的通用智能熱流體仿真軟件，用于高效解決能源動(dòng)力、船舶海洋、電子設(shè)備和車(chē)輛運(yùn)載等領(lǐng)域復(fù)雜的流動(dòng)和傳熱問(wèn)題。軟件涵蓋了從建模、仿真到結(jié)果處理完整仿真分析流程，幫助工業(yè)企業(yè)建立設(shè)計(jì)、仿真和優(yōu)化相結(jié)合的一體化流程，提高企業(yè)研發(fā)效率。一、概 要1）案例描述本案例針對(duì)功率模塊進(jìn)行流熱固耦合仿真。

二、大功率IGBT模塊DBC襯底的熱仿真分析IGBT功率模塊是電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)部件之一，在工業(yè)電子升級(jí)過(guò)程中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它被認(rèn)為是電力電子行業(yè)的CPU。IGBT結(jié)合了GTR和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)。IGBT功率模塊是電力系統(tǒng)的核心部件，其性能對(duì)應(yīng)用系統(tǒng)有著至關(guān)重要的影響。

挑戰(zhàn)/需求IGBT廣泛應(yīng)用于軌道交通等高可靠性領(lǐng)域，其封裝熱應(yīng)力引發(fā)的失效多發(fā)生在連接部位。本文針對(duì)高速動(dòng)車(chē)IGBT真實(shí)工況，基于Ansys工具，采用多物理場(chǎng)仿真研究主端子連接結(jié)構(gòu)可靠性，重點(diǎn)分析連接層孔洞與厚度的影響，并通過(guò)功率循環(huán)試驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果。

ABB擁有廣泛的產(chǎn)品線，包括全系列電力變壓器和配電變壓器，高、中、低壓開(kāi)關(guān)柜產(chǎn)品，交流和直流輸配電系統(tǒng)，電力自動(dòng)化系統(tǒng)，各種測(cè)量設(shè)備和傳感器，實(shí)時(shí)控制和優(yōu)化系統(tǒng)，機(jī)器人軟硬件和仿真系統(tǒng)，高效節(jié)能的電機(jī)和傳動(dòng)系統(tǒng)，電力質(zhì)量、轉(zhuǎn)換和同步系統(tǒng)，保護(hù)電力系統(tǒng)安全的熔斷和開(kāi)關(guān)設(shè)備。

本文摘自微信公眾號(hào)：CST電磁兼容性仿真如果對(duì)CST電磁兼容性仿真感興趣的朋友可以關(guān)注或者掃描我的微信公眾號(hào)二維碼在CST電磁兼容性仿真3D建模的過(guò)程中我們經(jīng)常會(huì)遇到需要在CST微波工作室建立多個(gè)尺寸，端口，材料一樣的大型復(fù)雜的3D模型，比如下圖，這是英飛凌的一款IGBT總成模塊，很多高壓電驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品都用的這一款IGBT模塊。

永磁同步電機(jī)降階模型抽取· 永磁同步電機(jī)降階模型原理· ECE模型提取流程（以永磁同步電機(jī)PMSM為例）· IPM電機(jī)ECE模型抽取· 矢量控制算法仿真（Clark、Park、SVPWM）4.

(a) 系統(tǒng)冷卻水道結(jié)構(gòu)示意圖(b) 電機(jī)控制器冷卻結(jié)構(gòu)示意圖圖5 驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)冷卻系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意考慮到電機(jī)峰值功率只有55 kW，且機(jī)殼內(nèi)螺旋式冷卻水道持續(xù)對(duì)本體冷卻散熱，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)判斷電機(jī)工作過(guò)程中不會(huì)出現(xiàn)過(guò)溫狀況，因此，峰值工況下的IGBT溫升便作為衡量系統(tǒng)熱可靠性的依據(jù)。本文重點(diǎn)針對(duì)峰值工況下IGBT的溫升進(jìn)行了有限元熱仿真分析，以探測(cè)IGBT芯片的溫度分布，仿真結(jié)果如圖6所示。