800V高壓DCAC驅動板IGBT的熱仿真

2026年2月1日 12:43
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一.技術參數
1.分析類型：穩態熱仿真
2.材料：Cooler：ADC12
3.邊界條件：Ambient temperature：85℃
Cooler face  temperature:75℃
Air Convention:10W/(m2·K)
4.載荷：IGBT PowerLoss=30W/chip
Diode PowerLoss=10W/chip


二.仿真模型
800V高壓DCAC驅動板IGBT的熱仿真的圖1
800V高壓DCAC驅動板IGBT的熱仿真的圖2

三.仿真結果

800V高壓DCAC驅動板IGBT的熱仿真的圖3
800V高壓DCAC驅動板IGBT的熱仿真的圖4

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Ansys Workbench 2025R1版本 源模型文件 模型包含詳細的幾何模型、網格劃分設置、求解分析設置、仿真結果設置等具體步驟，可用于同類型仿真建模參考。

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