單點(diǎn)系泊系統(tǒng)基本設(shè)計(jì)方法概述 
4 單點(diǎn)系泊系統(tǒng)發(fā)展現(xiàn)狀及展望 目前國際上具備單點(diǎn)系泊設(shè)計(jì)能力的公司主要包括Blue Water和IMODCO等，具備比較豐富的單點(diǎn)系泊設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)。
4508
海工 ??? 3年前
基于ABAQUS單點(diǎn)顯式VDLOAD/隱式DLOAD激光沖擊加載(圓形光斑和方形光斑) 
ABAQUS軟件可以通過顯式VDLOAD或隱式DLOAD子程序二次開發(fā)進(jìn)行單點(diǎn)/多點(diǎn)激光沖擊模擬，效率高。不同之處在于隱式相對計(jì)算時(shí)間長但是可以在第一步?jīng)_擊后直接在第二步進(jìn)行回彈分析，無需進(jìn)行數(shù)據(jù)傳遞來計(jì)算回彈過程。 本帖基于ABAQUS的VDLOAD/DLOAD子程序?qū)Ρ蕊@式/隱式算法下不同光斑形狀的應(yīng)力和塑性應(yīng)變。首先進(jìn)行模型構(gòu)建。
4335 7 12
不是真正的工程師 ??? 2年前
基于無網(wǎng)格（mesh-free）策略實(shí)現(xiàn)單積分點(diǎn)幾何必須為錯(cuò)（GND）的計(jì)算 
作者使用的方案對于顯示大變形分析計(jì)算效率非常高，使用標(biāo)準(zhǔn)的C3D8R單積分點(diǎn)即可正常運(yùn)行，并將所提出的數(shù)值模型應(yīng)用于銅箔拉伸和杯沖過程中的尺寸效應(yīng)分析，模擬效果如下：作者的研究證明：通過 MLS 在 VUMAT 里計(jì)算 GND，可以在 ABAQUS 中完整重現(xiàn)微成形的尺寸效應(yīng)，并清晰揭示“GND 在晶界和局部剪切帶聚集”是強(qiáng)化的主要來源，同時(shí)保證數(shù)值方法可擴(kuò)展、可工程化。
2246
晶體塑性有限元 ??? 6月前
HBM單點(diǎn)稱重傳感器及其應(yīng)用 
HBM單點(diǎn)稱重傳感器及其應(yīng)用適用人群：各類衡器的設(shè)計(jì)制造廠家及工程技術(shù)人員，應(yīng)用稱重技術(shù)實(shí)現(xiàn)工業(yè)自動(dòng)化的從業(yè)人員，以及相關(guān)研究機(jī)構(gòu)和院校師生。HBM 單點(diǎn)稱重傳感器及其應(yīng)用【已結(jié)束】 直播時(shí)間：2020-08-27 14:00培訓(xùn)內(nèi)容1. HBM單點(diǎn)傳感器的原理/分類；2. SP4M單點(diǎn)傳感器參數(shù)表講解，選型及比較；3. 行業(yè)應(yīng)用分享；
1583
HBK測試與測量 ??? 5年前
JCMSuite應(yīng)用：利用微柱和量子點(diǎn)產(chǎn)生單光子源 
這個(gè)例子的靈感來自Gregersen等人[1]，其中將量子點(diǎn)放置在微柱中以產(chǎn)生單光子源。但是，我們簡化了問題，以便3D計(jì)算可以在筆記本電腦上流暢地運(yùn)行：微腔的幾何形狀 下圖顯示了放置在腔中心的x、y和z極化偶極子的場強(qiáng)。 x、y和z極化偶極子的場強(qiáng)遠(yuǎn)場數(shù)據(jù)是微柱上方或下方無限遠(yuǎn)半球上的電磁場。
1066
追光ing ??? 8月前
JCMSuite應(yīng)用-利用微柱和量子點(diǎn)產(chǎn)生單光子源 
這個(gè)例子的靈感來自Gregersen等人[1]，其中將量子點(diǎn)放置在微柱中以產(chǎn)生單光子源。但是，我們簡化了問題，以便3D計(jì)算可以在筆記本電腦上流暢地運(yùn)行： 微腔的幾何形狀 下圖顯示了放置在腔中心的x、y和z極化偶極子的場強(qiáng)。
992
信光嗎 ??? 8月前
JCMSuite應(yīng)用：利用微柱和量子點(diǎn)產(chǎn)生單光子源
這個(gè)例子的靈感來自Gregersen等人[1]，其中將量子點(diǎn)放置在微柱中以產(chǎn)生單光子源。但是，我們簡化了問題，以便3D計(jì)算可以在筆記本電腦上流暢地運(yùn)行：微腔的幾何形狀 下圖顯示了放置在腔中心的x、y和z極化偶極子的場強(qiáng)。 x、y和z極化偶極子的場強(qiáng)遠(yuǎn)場數(shù)據(jù)是微柱上方或下方無限遠(yuǎn)半球上的電磁場。
1330
追光ing ??? 1年前
寧老師CAE團(tuán)隊(duì)：LS DYNA單點(diǎn)起爆、多點(diǎn)起爆及線起爆等爆炸分析 
LS DYNA單點(diǎn)起爆、多點(diǎn)起爆及線起爆等爆炸分析掌握LS DYNA爆炸分析配置技巧及分析流程
3081 1 2
寧博士CAE團(tuán)隊(duì) ??? 5年前
單點(diǎn)液體檢測芯片超強(qiáng)抗干擾觸控夜燈觸摸IC VKD223B 
、電容式觸控芯片、觸摸芯片、觸控芯片、單鍵觸摸、單鍵觸控、觸摸觸控IC、觸摸感應(yīng)IC、觸摸檢測IC、觸控感應(yīng)IC、觸控檢測IC、電容式觸控IC、電容式觸摸IC、觸摸IC、觸控IC、觸摸按鍵、觸摸調(diào)光、觸控按鍵、觸控調(diào)光、觸控滑條、觸摸滑條、專業(yè)觸摸芯片、觸摸方案、觸摸感應(yīng)芯片原廠、觸摸感應(yīng)方案原廠、觸感觸控方案原廠、觸控觸感方案原廠、電容式觸控IC原廠、電容式觸控IC原廠、觸摸感應(yīng)IC原廠、單鍵/單通道觸摸芯片
725
楊桃 ??? 1月前
單點(diǎn)漸進(jìn)成形（k文件）
862
zhuliuxian ??? 2月前
樁基檢測常見知識(shí)點(diǎn)30條，收藏學(xué)習(xí)！ 
位移測量的基準(zhǔn)點(diǎn)設(shè)置不應(yīng)受試驗(yàn)和其他因素的影響，基準(zhǔn)點(diǎn)應(yīng)設(shè)置在與作用力方向垂直且與位移方向相反的試樁側(cè)面，基準(zhǔn)點(diǎn)與試樁凈距不應(yīng)小于1 倍樁徑。伍25.單樁水平靜載試驗(yàn)加卸載方式和水平位移測量應(yīng)符合那些規(guī)定？答：加卸載方式和水平位移測量應(yīng)符合下列規(guī)定：(1) 單向多循環(huán)加載法的分級(jí)荷載應(yīng)小干預(yù)估水平極限承載力或最大試驗(yàn)荷載的1/10 。
2445 1
魯班施工 ??? 3年前
基于CEL法的單樁基礎(chǔ)貫入過程模擬：考慮應(yīng)變軟化與應(yīng)變率效應(yīng) 
背景單樁基礎(chǔ)在巖土工程與海洋工程中應(yīng)用廣泛，其貫入過程直接影響承載力、沉降以及后期的服役性能。傳統(tǒng)的分析方法通常依賴于靜力學(xué)近似或經(jīng)驗(yàn)公式，但在高速貫入或復(fù)雜土體條件下，這類方法往往難以準(zhǔn)確反映真實(shí)機(jī)理。為此，數(shù)值模擬技術(shù)逐漸成為研究單樁動(dòng)力學(xué)行為的有力工具。內(nèi)容本案例介紹一種基于 CEL（Coupled Eulerian–Lagrangian）方法 的單樁貫入模擬思路。
3024 17 16
ABAQUS YES! ??? 9月前
Ansys Zemax | 什么是點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)（ PSF ） 
點(diǎn)列圖OpticStudio 中最基本的分析功能之一是點(diǎn)列圖。此功能從物空間中的單視場點(diǎn)發(fā)射許多光線，通過光學(xué)系統(tǒng)追跡所有光線，并繪制所有光線相對于某個(gè)公共參考的 （x，y） 坐標(biāo)。因此，點(diǎn)列圖本身就可以看作一個(gè)幾何 PSF。這里使用的示例光學(xué)系統(tǒng)是一個(gè)焦距為 50 mm 的單拋物面 F/5 反射鏡，物位于無窮遠(yuǎn)處。
2534
宇熠科技 ??? 1年前
SYNOPSYS 如何設(shè)計(jì)單透鏡，第二部分：分析 
鏡頭文件“single lens.RLE”的 PAD 如下圖所示，其他圖形是點(diǎn)列圖 (Spot Diagram)、光程差圖 (OPD Fan) 和光線光扇圖 (Ray Fan)。從以上四個(gè)圖的評(píng)估中可以明顯看出，單透鏡設(shè)計(jì)有大量的像差，包括但不限于球差、彗差、畸變、離焦、場曲和像散。
2033
墨光科技 ??? 3年前
巧用千尋位置GNSS軟件|點(diǎn)測量狀態(tài)欄與工具欄全解析 
圖 5.1-1 點(diǎn)擊【測量】->【點(diǎn)測量】，如圖5.1-1 所示，上方狀態(tài)欄解析如下: 上方狀態(tài)欄解析： 解狀態(tài)：包含有單點(diǎn)解，浮點(diǎn)解，差分解和固定解。“延遲:9”——表示當(dāng)前差分延時(shí)為 9。 “單點(diǎn)解[0]”——表示當(dāng)前為單點(diǎn)定位，差分延時(shí)為 0。
2026
千尋位置行業(yè)應(yīng)用 ??? 3年前
基于點(diǎn)云的球銑加工動(dòng)態(tài)仿真 
由于每一步的仿真間隔Δv小于精度要求，單個(gè)仿真步時(shí)，置P點(diǎn)于P'1附近若干個(gè)Δv距離內(nèi)位置都不會(huì)影響單次仿真結(jié)果。但連續(xù)步進(jìn)時(shí)，會(huì)造成誤差積累。在銑刀內(nèi)取P點(diǎn)法線和Δv所在平面S，點(diǎn)P被“擠壓”時(shí)，僅此平面內(nèi)“滑動(dòng)”。如圖3(a）所示，在平面S內(nèi)，n為P點(diǎn)法線，被“擠壓”時(shí)，P點(diǎn)沿法線方向移動(dòng)到球面上P'點(diǎn)上。
4053 5
數(shù)控編程網(wǎng) ??? 2年前
如何獲得CAD點(diǎn)云對象的截面和輪廓?
效果：輪廓誤差 < 2mm，比手動(dòng)描圖快 10 倍四、工具對比與選擇 方法 適用場景 精度 效率 推薦指數(shù) CAD 內(nèi)置工具 單點(diǎn)云單截面 ★★★☆ ★★★☆ ★★★★ ReCap
3463
自學(xué)土木網(wǎng) ??? 1年前
Ansys Zemax | 如何設(shè)計(jì)單透鏡 第二部分：分析 
從以上四個(gè)圖的評(píng)估中可以明顯看出，單透鏡設(shè)計(jì)有大量的像差，包括但不限于球差、彗差、畸變、離焦、場曲和像散。此外，根據(jù)下面點(diǎn)列圖底部的數(shù)據(jù)可以看出，最大視場的GEO半徑和RMS半徑分別為: 1774.42μm和734.581μm。使用快速聚焦工具從四個(gè)分析功能給出的結(jié)果可以看出，單透鏡在此時(shí)的性能肯定不是最優(yōu)的。性能相當(dāng)差的一個(gè)重要因素是像面位置的隨機(jī)選擇。
2449
宇熠科技 ??? 3年前
汽車安全氣囊塑料罩蓋點(diǎn)爆仿真材料卡片準(zhǔn)確性提升研究 
圖7 低溫點(diǎn)爆對比圖8 高溫點(diǎn)爆對比04結(jié)論與材料單軸拉伸實(shí)驗(yàn)對比，可以發(fā)現(xiàn)以下兩個(gè)現(xiàn)象是影響材料卡片建立精度的關(guān)鍵因素：1)聚合物材料在不同拉伸速度下，其力學(xué)特性存在明顯的差異，尤其在低溫高速拉伸過程中，局部熱軟化效應(yīng)的影響不可忽略；2)由于聚合物延伸率較高，聚合物材料單軸拉伸過程中，在大應(yīng)變階段，應(yīng)變率下降較為明顯，因此很難通過實(shí)驗(yàn)方法獲得特定應(yīng)變率下應(yīng)力應(yīng)變曲線
2360
國高材高分子材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心 ??? 6月前
X射線成像系統(tǒng)：Kirkpatrick-Baez鏡和單光柵干涉儀 
在本通訊中，我們展示了兩個(gè)X射線成像實(shí)驗(yàn)：(1)使用Kirkpatrick-Baez鏡創(chuàng)建納米級(jí)X射線成像點(diǎn)；(2)用單光柵干涉儀說明相襯X射線成像原理。 X射線束的掠入射聚焦鏡 Kirkpatrick-Baez 鏡將掠入射X射線場聚焦到一個(gè)納米級(jí)的點(diǎn)上。本用例展示了Kirkpatrick-Baez鏡的分析設(shè)計(jì)過程和焦點(diǎn)區(qū)域的衍射圖樣。
1973
追光ing ??? 8月前
20條/頁 
97 跳至頁
技術(shù)鄰APP
工程師必備
工程師必備
- 項(xiàng)目客服
- 培訓(xùn)客服
- 平臺(tái)客服
TOP
