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? 基于atex軟件實現FCC，BCC，HCP織構演化預測 案例實操 1，生成包含500個晶粒的多晶模型。

BCC晶格材料的變形模擬-單晶體所有模塊的設置與第1節"FCC晶格材料的變形模擬-單晶體";的創建過程類似，只是需要修改BCC晶格材料的材料參數。

以FCC－鋁為例子。BCC與HCP同理。模型使用包含500個晶粒100000個單元的板狀多晶，承受X方向20％的工程應變。

以FCC－鋁為例子。BCC與HCP同理。模型使用包含500個晶粒100000個單元的板狀多晶，承受X方向20％的工程應變。

材料的初始取向分布 FCC軋制后的取向分布情況 BCC軋制后的取向分布情況

研究案例（三個案例） ? Fcc結構（以鋁為例）常規的Fcc定義 ? Bcc結構（雙相鋼為例）雙相材料的定義 ? Hcp結構（鎂（考慮孿晶））孿晶如何加入 實現的基本步驟（三個案例基本流程） 1，首先利用geom模塊布種子，種子數為30，模型空間尺寸為32*32*2 代碼：seeds_fromRandom

進行面內抗壓性能模擬的有限元模型尺寸參考文獻，有限元模型幾何結構如圖3.2.1不同單板模型抗壓性能對比如圖建立了三種單胞的示意圖，從如下圖所示的截面圖可看到，OCT的截面圖是8根桿匯集在一起的，而FCC和BCC是四根單胞構成的桿件組合在一起的，FCC和BCC之間的不同是由于側面結構的不同，FCC的每個側面還有兩根交叉的桿件： (a) OCT (b) FCC (c) BCC

75%取向分布一：BCC織構演化單向壓縮75%取向分布單向拉伸75%取向分布平面應變壓縮75%取向分布其中FCC和壓縮和拉伸與官網所提供的案例保持一致，FCC，BCC的平面應變壓縮與已有文獻的典型織構一致，完全正確。

軋制變形：圖1:軋制變形后的FCC金屬極圖案例2：FCC平面應變壓縮+剪切變形：圖2: 平面應變壓縮+剪切變形后的FCC金屬極圖案例3：BCC軋制變形(單滑移系)：圖3: BCC金屬軋制變形(單滑移系)后的極圖和反極圖案例4：BCC軋制變形(多滑移系)：圖4: BCC金屬軋制變形(多滑移系)后的極圖和反極圖案例5：Bcc材料在扎制變形過程中的織構及滑移系激活

在之前的推文中我們使用粘塑性自洽多晶體塑性模型（Visco-plasitic Self Consistant，VPSC）計算了面心立方（fcc）、體心立方（bcc）金屬材料變形過程，實現了織構演變的模擬，應力預測等。本文將介紹VPSC模擬FCC金屬等通道轉角擠壓(ECAE)工藝。

四、培訓內容（1），abaqus調用damask實現FCC織構演化模擬------以多晶鐵鋁為例子（2），abaqus調用damask實現BCC織構演化模擬------以多晶鐵素體為例子（3），abaqus調用damask實現HCP織構演化模擬------以多晶鎂為例子（4）FCC，BCC，HCP多晶局部應力應變場模擬，狀態變量說明，初始取向賦予，后處理取向提取

? 基于Prisms晶體塑性軟件FCC材料拉伸壓縮軋制的織構演化 案例實操 1，基于dream3d管道生成長寬高為32*32*32的多晶模型，共包含322個晶粒 2，對于fcc，bcc材料分別施加工程應變為50%的拉伸和壓縮載荷 3，得到材料的應力應變曲線和變形后的取向分布情況 材料的初始取向分布 初始的晶體幾何模型 拉伸變形后材料的等效應力分情況

四、培訓內容（1），abaqus調用damask實現FCC織構演化模擬------以多晶鐵鋁為例子（2），abaqus調用damask實現BCC織構演化模擬------以多晶鐵素體為例子（3），abaqus調用damask實現HCP織構演化模擬------以多晶鎂為例子（4）FCC，BCC，HCP多晶局部應力應變場模擬，狀態變量說明，初始取向賦予

MSU密歇根州立大學大晶體塑性是目前主流開源的晶體塑性代碼之一，可免費獲得，并且同時可以考慮FCC，BCC，HCP的滑移和孿晶變形，在一些期刊中被應用，目前該代碼已經集成到FEPX計算軟件中，支持并行運算，計算效率很高。本案例采用該代碼，模擬相同參數情況下FEPX結果與<a href="/major/abaqus">abaqus結果的比較，以及一些多晶變形案例，織構演化等。

只考慮一組的FCC單晶滑移系統序號，法線方向和滑移方向分別為： （一）(111) [110] 滑移系統： 1 ( 1 1 1 ) [ 0 -1 1 ] 2 ( 1 1 1 ) [ 1 0 -1 ] 3 ( 1 1 1 ) [ -1 1

而傳統唯象模型反應的更接近于多晶的平均特征作者的研究思路一，從經典的唯象模型出發，根據Orowan硬化理論，推導基于位錯的晶體塑性模型，兩類模型采用相同的流動方程，修改體現在滑移系的硬化方程中，昨日推薦的文獻則在硬化和流動都進行了對應的修改，兩類模型的硬化方程分別為：(1)唯象模型（SCCE-T）：(2)位錯密度模型（SCCE-D）：二，研究FCC-Cu