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與第五屆【光子技術應用行業論壇】同期舉辦的首屆【泛半導體制程應用光子技術行業論壇】也已成功閉幕，該論壇由炬光科技聯手業界知名咨詢公司CINNO Research打造，深入探討激光與光學技術在泛半導體生產制造領域的應用，受到了國內光子行業與會嘉賓的廣泛認可。泛半導體制程應用光子技術行業論壇開幕致辭炬光科技泛半導體制程事業部總經理戴曄為本次論壇開幕作致辭演講。

2026深圳國際第四代半導產業大會2026 Shenzhen International Fourth-Generation Semiconductor Industry Conference同期召開:第16屆深圳國際導熱散熱材料及設備展暨高峰論壇時間：2026年06月10-12日地點：深圳國際會展中心（新館）█展會信息隨著人工智能、量子通信和新能源汽車等領域的快速發展

我們誠摯歡迎來自泛半導體制程領域的專家、學者、企業家蒞臨，一起謀產業機會、促行業發展，共同探討光子技術在泛半導體制程領域的應用大局。 論壇議程：點擊閱讀原文，報名參加論壇 - END - 更多商務合作，歡迎與小編聯絡！

SemiMap 是射頻應用中使用的半絕緣、高電阻率基板材料電阻率測量的全球領導者，Corema 產品和服務將繼續通過 Semilab 提供。

· 我國目前在襯底端已開始占據一定市場份額，如山東天岳2020年半絕緣襯底全球市占率已至30%；而器件端，目前全球意法半導體一家獨大，國內公司尚屬發展早期，但已有部分企業如斯達半導、比亞迪半導體等碳化硅模塊已實現上車應用。新能源汽車驅動市場加速，國內SiC產業鏈蓄勢待發：· 根據Yolé預測，碳化硅器件市場將從2019年5億美元增至2025年25億美元，復合增速達30%。

在IGBT分立器件市場中，中國企業士蘭微進入全球前十，2020年市場份額為2.6%；在IGBT模塊市場中，2020年斯達半導躋身全球第六，市場份額為3.3%。預計2025年我國新能源汽車IGBT市場規模或將達到385億元，2019-2025年CAGR達到33.8%。

斯達半導，嘉興斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專業從事功率半導體芯片和模塊尤其是IGBT芯片和模塊研發、生產和銷售服務的國家級高新技術企業，股票簡稱：斯達半導，代碼：603290。公司總部位于浙江嘉興，占地106畝，在上海和歐洲均設有子公司，并在國內和歐洲設有研發中心，是目前國內IGBT領域的領軍企業。

國內主要從事IGBT研發和生產的企業有斯達半導體、士蘭微、比亞迪、中車株洲、時代電氣等。其中，斯達半導體和中車株洲已經實現了第七代IGBT產品的研發和量產，分別在中低壓和高壓領域有較強的競爭力。總之，國內IGBT產業在芯片設計、晶圓制造、模塊封裝等方面都已經具備了國產替代的基礎，但仍然存在一定的技術差距和供應鏈制約。

因其優越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，有望成為未來最被廣泛使用的制作半導體芯片的基礎材料。 圖表來源：IHS Market 近年來新能源汽車驅動碳化硅行業高速成長，較傳統的燃油汽車相比，新能源汽車半導體元器件功率更大，性能要求更高，用量幾倍于傳統燃油汽車。

SiC汽車產業的發展離不開SiC器件支持，不過，目前SiC核心器件市場還高度集中于Wolfspeed、安森美、英飛凌、意法半導體、博世等國際大廠手中，本土車企主要基于國際供應商供應的產品進行相關碳化硅平臺開發，國產供應商中，目前已有中電科55所、斯達半導、三安光電、芯聚能、比亞迪半導、露笑科技等企業開始嶄露頭角，但從技術及出貨量來說，本土SiC品牌仍需繼續發力。

就IGBT技術實力來看， 比亞迪 發展到了IGBT 4.0（相當于國際第五代），而斯達半導已經發展到了第六代，該公司基于第六代Trench Field Stop技術的650V/750V IGBT 芯片 及配套的快恢復二極管芯片，已在新能源汽車行業實現應用。

而液冷散熱又分為間接液冷與直接液冷，兩者結構區別如下： 相比間接液冷散熱，直接液冷散熱不需要導熱硅脂，也無需使用液冷板，模塊整體熱阻值可降低 30%左右，因而已成為車規級功率模塊的主流散熱方式，包括英飛凌、博世、安森美、日立、中車時代、斯達半導等在內的知名廠商生產的車規級功率模塊均主要采用直接液冷散熱，搭配針式散熱基板。

X2半寬 (X2 Half Width) 5 Y2半寬 (Y2 Half Width) 5 其他參數均為默認設置。

穩壓管Z1,Z2反向串聯在一起，控制可控硅的導通角，即需要交流電電壓 > 可控硅觸發導通電壓+穩壓管串聯電壓時，可控硅才能導通。同時，將兩個完全一樣的穩壓管反向串聯在一起是為了在正負半周串聯電壓值一樣，從而實現導通角一致。 （圖七 交流電波形） 現在再來看這個電路跟一開始提供的完整電路已經很接近了？ 那還差什么那？

每個橋的上半橋和下半橋是是絕對不能同時導通的，但高速的PWM驅動信號在達到功率元件的控制極時，往往會由于各種各樣的原因產生延遲的效果，造成某個半橋元件在應該關斷時沒有關斷，造成功率元件燒毀。死區就是在上半橋關斷后，延遲一段時間再打開下半橋或在下半橋關斷后，延遲一段時間再打開上半橋，從而避免功率元件燒毀。這段延遲時間就是死區。

Y1半寬 (Y1 Half Width) 5 Z長度 (Z Length) 50 X2半寬 (X2 Half Width) 5 Y2半寬 (Y2 Half Width) 5

鉗位電路原理 當輸入Vin在負半周期為負時，電流如下圖中紅色箭頭所示。二極管導通，電容逐漸充電至V，在此過程中Vout=0。 當輸入Vin在正半周為正時，電流如藍色箭頭所示。二極管截止，Vout等于電容上電壓加上正半周電壓V，此時Vout=2V。

分析中不考慮二極管的導通壓降，假設RC時間常數足夠大，從而使輸出波形不會失真。鉗位電路原理當輸入Vin在負半周期為負時，電流如下圖中紅色箭頭所示。二極管導通，電容逐漸充電至V，在此過程中Vout=0。當輸入Vin在正半周為正時，電流如藍色箭頭所示。二極管截止，Vout等于電容上電壓加上正半周電壓V，此時Vout=2V。

分析中不考慮二極管的導通壓降，假設RC時間常數足夠大，從而使輸出波形不會失真。 鉗位電路原理當輸入Vin在負半周期為負時，電流如下圖中紅色箭頭所示。二極管導通，電容逐漸充電至V，在此過程中Vout=0。當輸入Vin在正半周為正時，電流如藍色箭頭所示。二極管截止，Vout等于電容上電壓加上正半周電壓V，此時Vout=2V。

通過交替導通上下橋臂的開關元件控制電流方向，實現電機的正反轉、制動及調速。電機控制模式：?正轉?：同時導通上半橋的兩個開關元件，電流從正電源經電機流向負電源。反轉?：同時導通下半橋的兩個開關元件，電流方向與正轉相反。制動?：短接電機兩端（導通上下橋臂對應開關元件），產生反向電流快速制動。調速?：通過PWM調節開關元件的占空比，控制電機平均電壓實現調速。