網(wǎng)友提供的電路圖，單火線(xiàn)取電，給控制電路供電，然后控制電路通過(guò)一個(gè)IO口控制負(fù)載設(shè)備的開(kāi)關(guān)。

（圖一 單火線(xiàn)取電完整電路）

  一、 老規(guī)矩， 按照我的風(fēng)格，分析電路需要由簡(jiǎn)到難，逐步完善。先來(lái)明確幾個(gè)核心問(wèn)題。

（1）單火取電電路的具體功能是什么？

一句話(huà)總結(jié)，就是從220V高壓交流電獲取低壓直流電，給控制電路供電。

（2）實(shí)現(xiàn)該功能需要哪幾個(gè)模塊？

首先交流轉(zhuǎn)直流，需要整流電路。然后是高壓轉(zhuǎn)低壓，需要降壓電路。

（3）實(shí)現(xiàn)該功能存在的難點(diǎn)是什么？

單火線(xiàn)取電。顧名思義，就是需要將取電電路跟負(fù)載串聯(lián)在電路中，但是又不能影響到負(fù)載的工作。尤其是在上述電路中，還需要控制電路能通過(guò)一個(gè)IO口控制負(fù)載設(shè)備的通斷。

二、那么我們一步步來(lái)解決上述問(wèn)題，然后就完成了需要的電路設(shè)計(jì)。

（1）首先就是整流電路。主要的整流電路有如下兩種。

具體原理就不細(xì)說(shuō)了，大家可自行百度。

半橋整流電路：

（圖二 半橋整流電路）

全橋整流電路：

圖三 全橋整流電路

（2）然后是實(shí)現(xiàn)降壓。

   半橋整流-電阻降壓電路：

圖四 半波整流_電阻降壓電路

半橋整流-電容降壓電路：

（圖五 半波整流_阻容降壓電路）

全橋整流-可控硅整流：

（圖六 全橋整流_可控硅降壓電路）

有些朋友可能覺(jué)得上面的幾種降壓方式很好理解，但是這個(gè)可控硅是怎么實(shí)現(xiàn)降壓的那？

其實(shí)不難，降壓的原理很簡(jiǎn)單，就是只取交流電的低壓部分。看圖七，交流電的波形是一個(gè)正弦波，幅度范圍（-311V ～+311V），我們通過(guò)控制可控硅的導(dǎo)通角來(lái)實(shí)現(xiàn)，在圖七中陰影部分可控硅關(guān)斷，交流電串接負(fù)載設(shè)備，通過(guò)全橋整流電路給電容C1充電；當(dāng)交流電電壓超過(guò)陰影電壓時(shí)，可控硅導(dǎo)通，整流橋輸入電壓為0，停止工作。因?yàn)槭褂玫碾p向可控硅，所以在交流電的正負(fù)半周都能夠工作。穩(wěn)壓管Z1,Z2反向串聯(lián)在一起，控制可控硅的導(dǎo)通角，即需要交流電電壓 > 可控硅觸發(fā)導(dǎo)通電壓+穩(wěn)壓管串聯(lián)電壓時(shí)，可控硅才能導(dǎo)通。同時(shí)，將兩個(gè)完全一樣的穩(wěn)壓管反向串聯(lián)在一起是為了在正負(fù)半周串聯(lián)電壓值一樣，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通角一致。

（圖七  交流電波形）

現(xiàn)在再來(lái)看這個(gè)電路跟一開(kāi)始提供的完整電路已經(jīng)很接近了？

那還差什么那？

還差一個(gè)半橋整流電阻降壓和一個(gè)光耦雙向可控硅。

(圖八 半橋整流-電阻降壓電路)

這里你是不是有什么疑問(wèn)？

不是已經(jīng)有一個(gè)全橋整流降壓電路了嗎，為什么還要再加一個(gè)半橋整流電阻降壓電路？

哈哈，我們一起來(lái)分析一下。你看，全橋整流可控硅降壓的前提是可控硅要工作（即，不斷的通斷），那就相當(dāng)于負(fù)載要一直工作。這是不可能的，我們需要能控制負(fù)載的通斷，而且還要在負(fù)載關(guān)斷的時(shí)候仍然能取到電。仔細(xì)看整個(gè)電路，當(dāng)負(fù)載關(guān)斷的時(shí)候，是不是就剩下半橋整流電路工作了？

（圖九 負(fù)載關(guān)斷下的工作模式）

T2光耦可控硅實(shí)現(xiàn)負(fù)載設(shè)備的通斷控制。

最后再來(lái)討論開(kāi)始說(shuō)的這個(gè)電路圖存在的一個(gè)問(wèn)題，你看出來(lái)了嗎？

如下圖，紅色標(biāo)記出Z1,該電路半橋整流部分缺少一個(gè)穩(wěn)壓二極管，如果充電電流大于PI1輸出的電流，則C2兩端電壓會(huì)不斷增加。導(dǎo)致危險(xiǎn)。

（圖十 修復(fù)后的完整電路圖）