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</p><p><br></p><p><br></p><p><strong>TEM與SEM的區(qū)別</strong></p><p><strong style="color: rgb(8, 121, 226);">2.1 核心原理與成像方式</strong></p><p>掃描電鏡SEM用聚焦電子束掃描樣品表面，電子與樣品相互作用產(chǎn)生多種信號，通過探測器收集信號并轉(zhuǎn)換為圖像。

03圖文導(dǎo)讀圖1.制備GNP/PU薄膜的示意圖。圖2.(a) PU網(wǎng)的SEM圖像,(b) PU網(wǎng)的放大SEM圖像,(c)GNP的SEM圖像,(d) GNP涂層PU混合物的頂面SEM圖像,(d) GNP涂層PU混合物的表面SEM圖像,(f) GNP50薄膜的表面SEM圖像,(g-k)GNP60的照片。圖3.

Nguyen等［27］ 利用FIB-SEM技術(shù)對NMC電極進(jìn)行表征重構(gòu)，通過圖像處理的方式對電極結(jié)構(gòu)中的活性材料（AM）和碳粘結(jié)劑（CB）進(jìn)行了兩相分離，并基于此重構(gòu)了電極的三維結(jié)構(gòu)，如圖3所示。圖3 基于FIB-SEM構(gòu)建的三維電極結(jié)構(gòu)表征注：（a） 采集的SEM圖像；（b）圖像分割；（c）三維 NMC電極結(jié)構(gòu)重構(gòu)；（d）和（e）分別重構(gòu)了AM和CB的三維結(jié)構(gòu)［27］。

圖5.CNCs氣凝膠的SEM圖:(a)俯視圖，(b)內(nèi)部側(cè)面視圖,A-CNCs氣凝膠的SEM圖像:(c)內(nèi)部側(cè)視圖,(d) A-CNC/STA-5EGaIn/MoS2氣凝膠的數(shù)字圖像,A-CNC /STA-5EGaIn/MoS2氣凝膠的SEM圖像:(e)俯視圖，(f)內(nèi)部側(cè)面視圖。

圖2.(a) FTIR譜圖， (b) TGA 曲線, XPS 圖的h-BN和BNNS (c) B 1s和(d) N 1s。 圖3.(a) CS/BNNS膜的靜電吸附方法，(b) CS/BNNS照片，(c) CS/BNNS復(fù)合材料TGA分析，(d) CS/BNNS-30、(e) CS/BNNS-50和(f) CS/BNNS-70斷口表面SEM圖像。

EDS成分分析： 檢測出較高的Ni、Au含量（推測是鍍金層的晶界開裂導(dǎo)致下層鎳原子向上遷移），更關(guān)鍵的是，檢測到了異常偏高的O（氧）元素含量，表明鎳層已發(fā)生嚴(yán)重氧化腐蝕。▲ PCB焊盤表面SEM圖▲ PCB焊盤表面EDS分析3.

（2021年11月9日）；(n) SiC NFAS在極寒天氣中的應(yīng)用示范；(o)人體皮膚和SiC NFAS之間的紅外輻射和反射示意圖，插圖展示了SiC NFAS 的SEM圖像。

(a) LM- CF的SEM圖像，(b) LM + W-CF的SEM圖像，(c) LM- CF和 LM + W-CF復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)，(d) LM- CF和 LM + W-CF復(fù)合材料的熱阻。 圖7.

(暖色(紅色)代表正強(qiáng)度，而冷色(藍(lán)色)代表負(fù)強(qiáng)度),(i) STC-2單軸拉伸至300%前后的SAXS圖像,(j) STC-2的劃痕自愈過程光學(xué)圖像,(k) STC-2自愈后劃痕的SEM圖像,放大后的掃描電鏡圖像突出顯示了完整納米片網(wǎng)絡(luò)的表面積。 圖3.

(a) HTPs的SEM圖像和(b) TEM圖像，(c)高溫高溫顆粒分布，(d, e) FTPU?HTPs薄膜的SEM圖像，(f) FTPU?HTPs薄膜截面的SEM圖像，(g) FTPU、FTPU?HTPs10%、FTPU?HTPs20%和FTPU?HTPs30%的WCA和(h)反射率和發(fā)射率光譜。圖5.

圖5. (a)消融后破裂的SPRA照片，(b)消融后完整PRF/SPRA的照片，(c?f)不同放大倍數(shù)下燒蝕后PRF/SPRA的SEM圖像，根據(jù)(g)原生PRF/SPRA和(h)燒蝕PRF/SPRA各自的SEM圖像，其SEM圖像和粒度統(tǒng)計(jì)分布均服從正態(tài)分布曲線。圖6. (a)氮?dú)鈿夥障翽RF/SPRA的TGA和DTGA曲線。(b)燒蝕后PRF/SPRA表面的FTIR光譜。

(a)各向異性石墨烯/PDMS復(fù)合材料的制備工藝示意圖，(b-c)氧化石墨烯氣凝膠和相應(yīng)的石墨烯/PDMS復(fù)合材料平行銅板截面的SEM圖像，(d) 0.42 wt%石墨烯/PDMS復(fù)合材料的高EMI屏蔽性能，(e)軸向AGA/EP納米復(fù)合材料，(f)為徑向AGA/EP納米復(fù)合材料對應(yīng)的SEM圖像，F(xiàn)e3O4@AGA/EP納米復(fù)合材料軸向(g)和徑向(h)為對應(yīng)的SEM圖像，(i, j) AGA/EP

初始BN漿液濃度為(d) 50 mg/mL， (e) 150 mg/mL， (f) 200 mg/mL時3D BN- TA骨架的側(cè)面SEM圖像。 圖3.初始BN濃度為400 mg/mL, BN/TA質(zhì)量比為(a)1:0，(b)為1:0.1，(c)為1:15 . 5，(d)1:0.3時，三維BN-TA骨架的橫截面SEM圖像。 圖4.

圖2 提取物的紅外光譜圖圖3 提取物的TIC圖3.2材料的形貌分析原樣SEM-EDS分析，噴金后測試SEM-EDS,從SEM圖中可以看到明顯的纖維狀物質(zhì)和球形填料。SEM譜圖見圖4。整體上主要含有C\O\Si\Al元素，纖維上主要是C說明是碳纖維或者碳納米管等。球狀物主要是Al, O的比例跟三氧化二鋁的比例47%不符，說明是AL粉不是三氧化二鋁。

用掃描電鏡(SEM)表征材料影響因素，觀察試樣的各個區(qū)域的細(xì)節(jié)。企業(yè)通過分析材料缺陷，明確不合格原因，解決生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的問題。3.

圖像;(m) KF-PVA5-BGP10氣凝膠炭殘基的SEM圖像和(n-r) EDS圖譜。

如圖2所示，微型光致發(fā)光（PL）分析結(jié)果顯示，樣品B的發(fā)光模式比樣品A更均勻。此外，與樣品A不同，樣品B的發(fā)光模式?jīng)]有明顯可見的暗點(diǎn)。對此，研究人員評論道：“微型光致發(fā)光圖像中的暗點(diǎn)，通常代表由InGaN MQW熱降解引起的非輻射復(fù)合中心。”圖2.

（aed）TEM亮場圖像；（1-d1）HRTEM，（2-d2）FFT和（3-d3）IFFT模式 圖4 金剛石/Cu復(fù)合材料的(a) SEM圖像；(b) IPF；(c) GB；(d) GND；(e)和(f)Kam和GND值分別隨金剛石附近不同截面區(qū)域的變化

總結(jié)在CMOS設(shè)計(jì)仿真流程中，設(shè)計(jì)人員可以聯(lián)合Lumerical、Zemax、Speos分析整個系統(tǒng)的性能，嘗試更多可能性設(shè)計(jì)分析，該案例也為后續(xù)的CMOS串接到宏觀的場景圖像仿真提供借鑒。