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刃位錯(左)和螺位錯（右）不同Cr比例下的P-N力 最后，歡迎大家聯(lián)系我們。

從圖3中可以看出，不同位錯遷移率下的應(yīng)力應(yīng)變曲線與相同遷移率下的應(yīng)力應(yīng)變曲線變化不大。因此，DDD模擬中使用的不同遷移率值不會對校準(zhǔn)硬化參數(shù)的預(yù)測帶來明顯的變化。此外，現(xiàn)有的MD模擬表明，F(xiàn)CC FeNiCrCoCu HEA中邊緣位錯和螺位錯之間的阻力系數(shù)差異很小。因此，與FCC晶體的其他DDD模擬研究一樣，只考慮了邊緣位錯的遷移率。

45、刃型位錯晶體中的某一晶面，在其上半部有多余的半排原子面，好像一把刀刃插入晶體中，使這一晶面上下兩部分晶體之間產(chǎn)生了原子錯排，稱為刃型位錯。46、細(xì)晶強化晶粒愈細(xì)小，晶界總長度愈長，對位錯滑移的阻礙愈大，材料的屈服強度愈高。晶粒細(xì)化導(dǎo)致晶界的增加，位錯的滑移受阻，因此提高了材料的強度。47、雙交滑移如果交滑移后的位錯再轉(zhuǎn)回和原滑移面平行的滑移面上繼續(xù)運動，則稱為雙交滑移。

常見的裂紋形成理論：①位錯塞積理論②位錯反應(yīng)理論解理與準(zhǔn)解理共同點：穿晶斷裂；有小解理刻面；臺階及河流花樣不同點：①準(zhǔn)解理小刻面不是晶體學(xué)解理面②解理裂紋常源于晶界，準(zhǔn)解理裂紋常源于晶內(nèi)硬質(zhì)點。準(zhǔn)解理不是一種獨立的斷裂機理，而是解理斷裂的變種。格雷菲斯理論是根據(jù)熱力學(xué)原理得出的斷裂發(fā)生的必要條件，但并不意味著事實上一定斷裂。

常見的裂紋形成理論：①位錯塞積理論②位錯反應(yīng)理論解理與準(zhǔn)解理共同點：穿晶斷裂；有小解理刻面；臺階及河流花樣不同點：①準(zhǔn)解理小刻面不是晶體學(xué)解理面②解理裂紋常源于晶界，準(zhǔn)解理裂紋常源于晶內(nèi)硬質(zhì)點。準(zhǔn)解理不是一種獨立的斷裂機理，而是解理斷裂的變種。格雷菲斯理論是根據(jù)熱力學(xué)原理得出的斷裂發(fā)生的必要條件，但并不意味著事實上一定斷裂。

同時還發(fā)現(xiàn)，材料強度的尺寸效應(yīng)可能來源于與幾何必需位錯(GNDs)相關(guān)的應(yīng)變梯度。另一方面，不同的SG塑性理論相繼被發(fā)展出來(研究微米/亞微米尺度的一些力學(xué)問題)，這些理論有效地結(jié)合了統(tǒng)計存儲位錯(SSDs)和幾何必需位錯(GNDs)。大多數(shù)關(guān)于尺寸依賴微孔生長的研究都是在單晶或均勻基體進(jìn)行的，然而，大多數(shù)韌性金屬材料呈現(xiàn)非均相多晶微結(jié)構(gòu)，它們的晶粒通常表現(xiàn)出不規(guī)則的形狀和隨機的晶體方向。

同時，在晶體塑性理論的基礎(chǔ)上，建立了粉末高溫合金穩(wěn)態(tài)蠕變速率的物理模型，并計算了穩(wěn)態(tài)蠕變速率(γ)，即： 其中，ρg是滑移位錯密度，b是Burgers矢量模，ν是位錯震動頻率，kb是Boltzmann 常數(shù)，T 是溫度，ΔF 是Helmholtz 自由能，τc 是位錯運動的臨界剪切應(yīng)力，ΔV是激活體積，σ

（3）淬火后形成的馬氏體經(jīng)過回火還可以形成三種特殊的金相組織：1）回火馬氏體：指淬火時形成的片狀馬氏體（晶體結(jié)構(gòu)為體心四方）于回火第一階段發(fā)生分解—其中的碳以過渡碳化物的形式脫溶—所形成的、在固溶體基體（晶體結(jié)構(gòu)已變?yōu)轶w心立方）內(nèi)彌散分布著極其細(xì)小的過渡碳化物薄片（與基體的界面是共格界面）的復(fù)相組織；這種組織在金相（光學(xué)）顯微鏡下即使放大到最大倍率也分辨不出其內(nèi)部構(gòu)造，只看到其整體是黑針

也有學(xué)者研究晶界類型對抗裂紋性能的影響，結(jié)果表明[121]：相比發(fā)散型晶界(沿增材方向)，收斂型晶界能夠促進(jìn)枝晶聯(lián)結(jié)，有利于抑制裂紋的萌生和擴展。此外，在成分偏析作用下，Al、Ti、Ta和Re等元素遷移至晶界，一方面阻礙液相填充枝晶間空隙，另一方面削弱周圍晶體的強度，進(jìn)而增大熱裂紋趨勢[108, 121]。

圖9 不同熱處理溫度的 SiC f/SiC 復(fù)合材料微觀組織及熱導(dǎo)率 高溫?zé)崽幚砜纱龠M(jìn)碳化硅晶體發(fā)育，提高結(jié)晶度，減少晶體缺陷帶來的聲子散射，從而提高復(fù)合材料的熱導(dǎo)率。